-
公开(公告)号：CN118901142A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380028723.X
申请日：2023-03-23
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 本发明其目的在于，提供一种氧化物半导体膜，能够同时提高薄膜晶体管的载流子迁移率和对于环境温度的稳定性。本发明的一个方式的氧化物半导体膜，是用于薄膜晶体管的氧化物半导体膜，作为金属元素，含有In和Zn、与作为La和Nd中任意一个的元素X，全部金属元素中的上述In、上述Zn和上述X的含量为，In：30atm％以上且90atm％以下，Zn：9atm％以上且70atm％以下，X：0.0001atm％以上且2atm％以下。
Search Results
1
records
(took 0.033 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
