公开(公告)号：CN118901142A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202380028723.X

申请日：2023-03-23

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社神钢科研

Inventor： 越智元隆 ,  寺前裕美 ,  西山功兵 ,  宫田浩一

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明其目的在于，提供一种氧化物半导体膜，能够同时提高薄膜晶体管的载流子迁移率和对于环境温度的稳定性。本发明的一个方式的氧化物半导体膜，是用于薄膜晶体管的氧化物半导体膜，作为金属元素，含有In和Zn、与作为La和Nd中任意一个的元素X，全部金属元素中的上述In、上述Zn和上述X的含量为，In：30atm％以上且90atm％以下，Zn：9atm％以上且70atm％以下，X：0.0001atm％以上且2atm％以下。

公开(公告)号：CN113348562B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202080007374.X

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  西山功兵 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，分别包含In、Ga、Zn、Sn及O，第一氧化物半导体层满足0.05≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.20≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.20≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.15，第二氧化物半导体层满足0.20≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.15≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.01≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.20。

公开(公告)号：CN114761607B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202080084596.1

申请日：2020-12-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  寺前裕美 ,  湖山贵之

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明获得一种氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足特定条件。

公开(公告)号：CN113348562A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202080007374.X

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  西山功兵 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明提供一种可获得应力耐受性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O，在第一氧化物半导体层中，满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，在第二氧化物半导体层中，满足0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20。

公开(公告)号：CN111226307B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201880067635.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  后藤裕史 ,  越智元隆 ,  日野绫

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN114761607A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080084596.1

申请日：2020-12-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  寺前裕美 ,  湖山贵之

IPC: C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明获得一种薄膜晶体管，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足0.070≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.200、0.250≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.600、0.180≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.550、0.030≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.150，并且满足0.10≦Sn/Zn≦0.25及(Sn×In)/Ga≧0.009。

公开(公告)号：CN110120459B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201910085196.1

申请日：2019-01-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  寺前裕美

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C23C14/34

Abstract: 提供一种有机EL显示器用的反射阳极电极及其应用。为包含包括Al‑Ge系合金膜、以及与Al‑Ge系合金膜接触的氧化物导电膜的层叠结构、且在这些的接触界面中介隔存在以氧化铝为主成分的层的有机EL显示器用的反射阳极电极，并且Al‑Ge系合金膜含有0.1原子％～2.5原子％的Ge，且在Al‑Ge系合金膜与氧化物导电膜的接触界面中形成有Ge浓化层及含有Ge的析出物，Al‑Ge系合金膜中的、自氧化物导电膜侧的表面起50nm以内的平均Ge浓度为Al‑Ge系合金膜中的平均Ge浓度的2倍以上，且含有Ge的析出物的平均直径为0.1μm以上。

公开(公告)号：CN112018168A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010458017.7

申请日：2020-05-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 西山功兵 ,  越智元隆 ,  寺前裕美 ,  川原田乔生

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造成本相对低、形成了薄膜晶体管时的载流子迁移率及光应力耐性高的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材。本发明为一种氧化物半导体薄膜，其包含金属元素，其中所述金属元素包含In、Zn、Fe及不可避免的杂质，相对于In、Zn及Fe的合计原子数，In的原子数为58atm％以上且80atm％以下，Zn的原子数为19atm％以上且41atm％以下，Fe的原子数为0.6atm％以上且3atm％以下。

公开(公告)号：CN112018168B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202010458017.7

申请日：2020-05-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 西山功兵 ,  越智元隆 ,  寺前裕美 ,  川原田乔生

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造成本相对低、形成了薄膜晶体管时的载流子迁移率及光应力耐性高的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材。本发明为一种氧化物半导体薄膜，其包含金属元素，其中所述金属元素包含In、Zn、Fe及不可避免的杂质，相对于In、Zn及Fe的合计原子数，In的原子数为58atm％以上且80atm％以下，Zn的原子数为19atm％以上且41atm％以下，Fe的原子数为0.6atm％以上且3atm％以下。

公开(公告)号：CN118291930A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410397593.3

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  西山功兵 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，分别包含In、Ga、Zn、Sn及O，第一氧化物半导体层满足0.05≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.20≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.20≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.15，第二氧化物半导体层满足0.20≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.15≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.01≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.20。