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公开(公告)号：CN105408786B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480035844.8
申请日：2014-06-25
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/126 , G02B6/105 , G02B6/1228 , G02B6/2726 , G02B6/2766 , G02B2006/12038 , G02B2006/12061
Abstract: 本发明涉及高阶偏振波转换元件、光波导元件以及DP－QPSK调制器。高阶偏振波转换元件具备基板、下部包层、在剖面矩形状都具有恒定的高度且由相同的材料形成的上部纤芯(3)以及下部纤芯(4)构成的纤芯(2)、和由与上述下部包层相同的材料形成的上部包层，上述纤芯在开始部(8)和结束部(9)的任意一个中，下部纤芯的宽度和上部纤芯的宽度都相同，从开始部朝向结束部，上部纤芯的宽度以及下部纤芯的宽度中的至少一方连续减少、且上部纤芯的宽度以及下部纤芯的宽度双方都不增加，在开始部中，TE1的有效折射率大于TM0的有效折射率，在结束部中，TM0的有效折射率大于TE1的有效折射率，在除了开始部和结束部之外的、开始部与结束部之间的部分中，上述纤芯具有上部纤芯的宽度与下部纤芯的宽度不同的上下非对称的结构，在开始部的TE1与结束部的TM0之间进行高阶偏振波转换。
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公开(公告)号：CN104570201A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410527822.5
申请日：2014-10-09
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/126 , G02B6/14 , G02B6/2726
Abstract: 基板型光波导元件和DP-QPSK调制器。基板型光波导元件具有两个输入部，它们是相互具有相同的宽度、相互平行、剖面为矩形形状的波导；宽幅部，是直线波导且与上述两个输入部的后段连接；锥形部与上述宽幅部的后段连接且是宽度逐渐变狭的锥状的至少TE1传播的多模波导；输出部，是与上述锥形部的后段连接的剖面为矩形形状的至少TE1传播的多模波导，基板型光波导元件具备能够将输入到上述两个输入部的TE0从上述输出部作为TE1输出的高阶模转换多路复用元件，将上述两个输入部的宽度方向的间隔定义为gap，上述两个输入部的宽度定义为Wa，上述宽幅部的波导宽度定义为Wb时，满足Wb＞Wa×2+gap，上述两个输入部的宽度方向的中心与上述宽幅部的宽度方向的中心一致。
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公开(公告)号：CN102483490A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161034.6
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/124 , G02B6/136 , G02B2006/12107
Abstract: 一种制造平面光波导装置的方法，所述平面光波导装置包括芯线，其顶表面设置有沿芯线的纵向的槽部，所述槽部填充有由折射率低于所述芯线的折射率的低折射率材料制成的槽部填充体，所述方法包括：形成构成所述芯线的下部的由高折射率材料制成的高折射率材料层的第一高折射率材料层形成步骤；在所述高折射率材料层上形成由低折射率材料制成的低折射率材料层的低折射率材料层形成步骤；通过利用光刻和蚀刻来修剪所述低折射率材料层的两个侧面部分以形成所述槽部填充体的槽部填充体形成步骤；和形成构成所述芯线的上部的由高折射率材料制成的高折射率材料层以填充所述槽部填充体的侧面部分的两侧的第二高折射率材料层形成步骤。
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公开(公告)号：CN104885003B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201380067837.1
申请日：2013-09-04
Applicant: 株式会社藤仓
Abstract: 本发明提供光波导元件以及光调制器。该光波导元件具备具有芯层的脊形波导，该芯层具有脊部、和以夹持脊部的方式分别连接于脊部的两侧的包含第1平板部以及第2平板部的一对平板部，脊部具有预先设定的能够传播处于单一的偏振光状态的基本模式以及高次模式的剖面尺寸，还具有形成PN结的第1P型半导体部以及第1N型半导体部，第1平板部具有相互连接的第2P型半导体部以及P型导体部，第2P型半导体部与脊部的第1P型半导体部连接，第2平板部具有相互连接的第2N型半导体部以及N型导体部，第2N型半导体部与脊部的第1N型半导体部连接。
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公开(公告)号：CN105378526A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201380077674.5
申请日：2013-09-02
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/14
CPC classification number: G02B6/126 , G02B6/1228 , G02B6/14 , G02B2006/1209 , G02B2006/12097 , G02B2006/12142 , G02B2006/12152 , G02B2006/12164
Abstract: 一种偏振变换元件，其中，形成在基板上的光波导依次具有第1导波部、偏振波旋转部以及第2导波部，第1导波部的剖面中的导波光的固有模式的有效折射率最高的TE模式与TM模式相比有效折射率较高，第2导波部的剖面中的TM模式与有效折射率最高的TE模式相比有效折射率较高，第1导波部以及第2导波部相互波导构造(例如芯)的高度相等，偏振波旋转部的波导构造具有与第1导波部及第2导波部的波导构造相同的高度的厚板部、以及与厚板部相比厚度较低的薄板部，具有剖面相对于宽度方向非对称且相对于高度方向也非对称的部分，在第1导波部、偏振波旋转部的厚板部以及第2导波部之间，相同高度的波导构造连续地存在。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104885004A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068057.9
申请日：2013-12-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02F1/2257 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/29353 , G02B6/29355 , G02B2006/12097 , G02B2006/12142 , G02B2006/12147 , G02B2006/12159 , G02F1/025 , G02F1/218 , G02F1/2255 , G02F2001/212 , G02F2201/58
Abstract: 本发明涉及光调制元件，由基板型光波导构成的光调制元件具备：光入射部，将光入射到上述基板型光波导；马赫曾德干涉仪，具有：对入射到上述光入射部的光进行分支的第1光分支部；对由上述第1光分支部分支出的光进行导波的2个臂部；在上述2个臂部分别呈直线状设置的相位调制部；以及对从上述2个臂部导波出的光进行合波的第1光合波部；光出射部，从上述基板型光波导出射由上述第1光合波部合波的光；以及行波电极，具有输入部和输出部，并对上述相位调制部施加电压，上述基板型光波导具有包括俯视时分别与上述相位调制部的长边方向的延长线交叉的2个边的轮廓，上述输入部形成在上述2个边中的一方，上述光入射部以及上述光出射部位于俯视时与形成上述行波电极的区域不同的区域。
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公开(公告)号：CN103907049A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052325.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02F1/2257 , G02B6/122 , G02B6/2935 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/025 , G02F2001/0151 , G02F2001/212 , G02F2201/063
Abstract: 提供光学元件以及马赫－曾德型光波导元件。光学元件具备具有由肋部及夹着上述肋部位于其两侧且比上述肋部的厚度薄的第一及第二平板部形成的芯线的光波导，上述芯线的上述肋部和上述第一及第二平板部由半导体单晶一体地形成，上述第一平板部具有掺杂成P型的P型区域，上述第二平板部具有掺杂成N型的N型区域，上述肋部具有与设于上述第一平板部的P型区域接触的P型区域及与设置于上述第二平板部的N型区域接触的N型区域，上述肋部的P型区域和N型区域接触而构成PN结部，上述肋部具有在与上述光波导的长度方向垂直的截面中位于比上述第一及第二平板部靠上方的位置的上端部，上述肋部的上端部具有由本征区域、及以邻接的上述P型区域或N型区域的掺杂浓度的1/10以下的掺杂浓度掺杂的低浓度掺杂区域中的一方形成的未掺杂区域。
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公开(公告)号：CN102483491A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161036.5
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/136 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B6/124 , G02B2006/12107
Abstract: 一种用于制造平面光波导装置的方法，该平面光波导装置的芯线包括多个交替布置的凸部和凹部以形成光栅结构，在该光栅结构中，凹部的芯线宽度沿纵向方向变化，该方法包括：高折射率材料层形成步骤，形成高折射率材料层；光刻胶层形成步骤，在高折射率材料层上形成光刻胶层；第一曝光步骤，使用相移光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；第二曝光步骤，使用二元光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；显影步骤，对光刻胶层进行显影；以及蚀刻步骤，使用从显影步骤得到的光刻胶图案对高折射率材料层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN106461986A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480077838.9
申请日：2014-04-07
CPC classification number: G02F1/025 , G02B2006/12097 , G02F1/0018 , G02F1/015 , G02F2001/0151 , G02F2001/212
Abstract: 一种光波导器件(111)包括：衬底(111)；布置在衬底上的下包覆层(112)；脊形波导(100)，包括布置在下包覆层上的平板(115)以及布置在平板上的与平板邻接的单个脊(114)；以及布置在脊形波导上的上包覆层(113)。脊形波导包括：跨脊和平板的具有表现出P型导电性的第一导电性的第一掺杂区(101)；以及跨脊和平板的与第一掺杂区邻接的具有表现出N型导电性的第二导电性的第二掺杂区(102)。第一掺杂区与第二掺杂区之间的边界(103)提供在与衬底的表面垂直的方向上形成的PN结，并且在衬底的平面视图中边界沿着被引导光在脊形波导中的传播方向以波纹线形式(例如曲折)被布置。而且，脊形波导包括第一低导电区和第二低导电区中的至少一个，第一低导电区邻接脊中的与第二掺杂区相反的一侧并表现出比第二掺杂区(106)更低的导电性，第二低导电区(105)邻接脊中的与第一掺杂区相反的一侧并且表现出比第一掺杂区更低的
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公开(公告)号：CN105408786A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480035844.8
申请日：2014-06-25
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/126 , G02B6/105 , G02B6/1228 , G02B6/2726 , G02B6/2766 , G02B2006/12038 , G02B2006/12061
Abstract: 本发明涉及高阶偏振波转换元件、光波导元件以及DP－QPSK调制器。高阶偏振波转换元件具备基板、下部包层、在剖面矩形状都具有恒定的高度且由相同的材料形成的上部纤芯(3)以及下部纤芯(4)构成的纤芯(2)、和由与上述下部包层相同的材料形成的上部包层，上述纤芯在开始部(8)和结束部(9)的任意一个中，下部纤芯的宽度和上部纤芯的宽度都相同，从开始部朝向结束部，上部纤芯的宽度以及下部纤芯的宽度中的至少一方连续减少、且上部纤芯的宽度以及下部纤芯的宽度双方都不增加，在开始部中，TE1的有效折射率大于TM0的有效折射率，在结束部中，TM0的有效折射率大于TE1的有效折射率，在除了开始部和结束部之外的、开始部与结束部之间的部分中，上述纤芯具有上部纤芯的宽度与下部纤芯的宽度不同的上下非对称的结构，在开始部的TE1与结束部的TM0之间进行高阶偏振波转换。
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