-
公开(公告)号：CN102483490B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN200980161034.6
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/124 , G02B6/136 , G02B2006/12107
Abstract: 一种制造平面光波导装置的方法，所述平面光波导装置包括芯线，其顶表面设置有沿芯线的纵向的槽部，所述槽部填充有由折射率低于所述芯线的折射率的低折射率材料制成的槽部填充体，所述方法包括：形成构成所述芯线的下部的由高折射率材料制成的高折射率材料层的第一高折射率材料层形成步骤；在所述高折射率材料层上形成由低折射率材料制成的低折射率材料层的低折射率材料层形成步骤；通过利用光刻和蚀刻来修剪所述低折射率材料层的两个侧面部分以形成所述槽部填充体的槽部填充体形成步骤；和形成构成所述芯线的上部的由高折射率材料制成的高折射率材料层以填充所述槽部填充体的侧面部分的两侧的第二高折射率材料层形成步骤。
-
公开(公告)号：CN102483491B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN200980161036.5
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/136 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B6/124 , G02B2006/12107
Abstract: 一种用于制造平面光波导装置的方法，该平面光波导装置的芯线包括多个交替布置的凸部和凹部以形成光栅结构，在该光栅结构中，凹部的芯线宽度沿纵向方向变化，该方法包括：高折射率材料层形成步骤，形成高折射率材料层；光刻胶层形成步骤，在高折射率材料层上形成光刻胶层；第一曝光步骤，使用相移光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；第二曝光步骤，使用二元光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；显影步骤，对光刻胶层进行显影；以及蚀刻步骤，使用从显影步骤得到的光刻胶图案对高折射率材料层进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN102483491A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161036.5
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/136 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B6/124 , G02B2006/12107
Abstract: 一种用于制造平面光波导装置的方法，该平面光波导装置的芯线包括多个交替布置的凸部和凹部以形成光栅结构，在该光栅结构中，凹部的芯线宽度沿纵向方向变化，该方法包括：高折射率材料层形成步骤，形成高折射率材料层；光刻胶层形成步骤，在高折射率材料层上形成光刻胶层；第一曝光步骤，使用相移光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；第二曝光步骤，使用二元光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；显影步骤，对光刻胶层进行显影；以及蚀刻步骤，使用从显影步骤得到的光刻胶图案对高折射率材料层进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN102483490A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161034.6
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/124 , G02B6/136 , G02B2006/12107
Abstract: 一种制造平面光波导装置的方法，所述平面光波导装置包括芯线，其顶表面设置有沿芯线的纵向的槽部，所述槽部填充有由折射率低于所述芯线的折射率的低折射率材料制成的槽部填充体，所述方法包括：形成构成所述芯线的下部的由高折射率材料制成的高折射率材料层的第一高折射率材料层形成步骤；在所述高折射率材料层上形成由低折射率材料制成的低折射率材料层的低折射率材料层形成步骤；通过利用光刻和蚀刻来修剪所述低折射率材料层的两个侧面部分以形成所述槽部填充体的槽部填充体形成步骤；和形成构成所述芯线的上部的由高折射率材料制成的高折射率材料层以填充所述槽部填充体的侧面部分的两侧的第二高折射率材料层形成步骤。
-
公开(公告)号：CN1906269B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200580001443.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/442 , C04B2235/5427 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05B33/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的电灯色光发光二极管灯具备：具有发光中心波长为400nm～480nm的半导体蓝色光发光二极管元件(5)；和用于吸收从其发出的光的一部分，发出与该光波长不同的荧光的荧光体(11)。该荧光体(11)用通式Mp(Si，Al)12(O，N)16:Eu2+q表示、主相具有α-塞隆结构。M为Ca、Y、Mg、Li、Sc、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Sr中的至少一种，满足0.75≤p≤1.0且0.02＜q＜0.09。从该二极管灯发出的光的色度范围，收纳于连接XYZ表色系色度图上的坐标x＝0.4775，y＝0.4283、x＝0.4594，y＝0.3971、x＝0.4348，y＝0.4185、和x＝0.4214，y＝0.3887表示的4点的四边形表示的电灯色的范围内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101952753A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980106207.4
申请日：2009-02-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/124 , G02B6/29394 , G02F1/225 , G02F2001/213 , G02F2201/02 , G02F2201/307
Abstract: 该光波导元件具备光波导的芯和设置在该芯中的布拉格光栅图样，所述布拉格光栅图样的局部周期取3个以上规定离散值中的任一值，取各离散值的局部周期在所述光波导全长上分别存在于多个部位，当设全部离散值中分布频度最高的值为M、比该M大的值中离所述M最近的值为A、比所述M小的值中离所述M最近的值为B时，由A-M表示的差等于由M-B表示的差。
-
公开(公告)号：CN100513517C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200580001325.0
申请日：2005-08-25
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/442 , C04B2235/656 , C04B2235/766 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C04B2235/9646 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 提供可以抑制制造成本且可以降低色度偏移的氧氮化物荧光体以及发光器件。设计的荧光体11由通式(Ca1-zYz)x(Si，Al)12(O，N)16:Eu2+y表示，主相具有α-塞隆结晶结构，0＜z＜0.15。
-
公开(公告)号：CN1906269A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001443.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/442 , C04B2235/5427 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05B33/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的电灯色光发光二极管灯具备：具有发光中心波长为400nm～480nm的半导体蓝色光发光二极管元件(5)；和用于吸收从其发出的光的一部分，发出与该光波长不同的荧光的荧光体(11)。该荧光体(11)用通式Mp(Si，Al)12(O，N)16：Eu2+q表示、主相具有α－塞隆结构。M为Ca、Y、Mg、Li、Sc、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Sr中的至少一种，满足0.75≤p≤1.0且0.02＜q＜0.09。从该二极管灯发出的光的色度范围，收纳于连接XYZ表色系色度图上的坐标x＝0.4775，y＝0.4283、x＝0.4594，y＝0.3971、x＝0.4348，y＝0.4185、和x＝0.4214，y＝0.3887表示的4点的四边形表示的电灯色的范围内。
-
公开(公告)号：CN101960346B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980106431.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/10 , G02B6/124 , G02B6/29325 , G02B6/29394
Abstract: 本发明提供一种基板型光波导元件，该光波导具有芯；和在该芯的宽度方向的中央沿着光的波导方向配置，并且折射率比上述芯低的间隙部；上述芯具有被上述间隙部分离的两个区域，构成了跨越这两个区域传播单一模式的单模光波导。
-
公开(公告)号：CN101960346A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106431.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/10 , G02B6/124 , G02B6/29325 , G02B6/29394
Abstract: 本发明提供一种基板型光波导元件，该光波导具有芯；和在该芯的宽度方向的中央沿着光的波导方向配置，并且折射率比上述芯低的间隙部；上述芯具有被上述间隙部分离的两个区域，构成了跨越这两个区域传播单一模式的单模光波导。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.175 seconds)
