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公开(公告)号：CN1728384A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510083479.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基片，其具有在其表面上形成的电极；第一绝缘树脂层，其被提供在所述半导体基片上并且具有限定在对应于所述电极的位置的第一开口；第一接线层，其被提供在所述第一绝缘树脂层上并且通过所述第一开口连接到所述电极；第二绝缘树脂层，其被提供在所述第一绝缘树脂层和所述第一接线层上，该第二绝缘树脂层具有第二开口，其被限定在所述半导体基片表面方向上不同于所述第一开口位置的位置；以及第二接线层，其被提供在第二绝缘树脂层上并且通过所述第二开口连接到所述第一接线层，其中所述第二接线层包括感应元件，并且所述第一绝缘树脂层的厚度与所述第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101002337A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580025033.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种在发光元件的光出射面中由方位造成的光的强度差别小的发光元件。本发明的发光元件(1)包括：具有隔着发光部(6)的第一导电型层(5)和第二导电型层(7)的叠层体、设置于该叠层体的第二导电型层(7)上的金属薄膜层(9)、以及设置于该金属薄膜层(9)上的透明导电体(12)；所述透明导电体(12)由单层的透明导电膜(10)构成，使该透明导电膜(10)的光出射面(10’)的晶体粒径为30nm以上300nm以下。
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公开(公告)号：CN101271895A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810096959.4
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：半导体基片，具有在其表面上形成的电极；钝化膜，提供在半导体基片的表面上并具有限定在对应于电极的位置的开口；第一绝缘树脂层，形成在钝化膜上并具有限定在对应于电极的位置的第一开口；第一接线层，提供在第一绝缘树脂层上并通过第一开口连接到电极；第二绝缘树脂层，提供在第一绝缘树脂层和第一接线层上并具有第二开口，其被限定在半导体基片表面方向上不同于第一开口位置的位置；和第二接线层，提供在第二绝缘树脂层上并通过第二开口连接到第一接线层并包括感应元件，第一绝缘树脂层的厚度不小于1μm且不大于30μm，第一绝缘树脂层的厚度和第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。
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公开(公告)号：CN101271895B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810096959.4
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：半导体基片，具有在其表面上形成的电极；钝化膜，提供在半导体基片的表面上并具有限定在对应于电极的位置的开口；第一绝缘树脂层，形成在钝化膜上并具有限定在对应于电极的位置的第一开口；第一接线层，提供在第一绝缘树脂层上并通过第一开口连接到电极；第二绝缘树脂层，提供在第一绝缘树脂层和第一接线层上并具有第二开口，其被限定在半导体基片表面方向上不同于第一开口位置的位置；和第二接线层，提供在第二绝缘树脂层上并通过第二开口连接到第一接线层并包括感应元件，第一绝缘树脂层的厚度不小于1μm且不大于30μm，第一绝缘树脂层的厚度和第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。
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公开(公告)号：CN100530710C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580025033.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种在发光元件的光出射面中由方位造成的光的强度差别小的发光元件。本发明的发光元件(1)包括：具有隔着发光部(6)的第一导电型层(5)和第二导电型层(7)的叠层体、设置于该叠层体的第二导电型层(7)上的金属薄膜层(9)、以及设置于该金属薄膜层(9)上的透明导电体(12)；所述透明导电体(12)由单层的透明导电膜(10)构成，使该透明导电膜(10)的光出射面(10’)的晶体粒径为30nm以上300nm以下。
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公开(公告)号：CN100423264C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510083479.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：半导体基片，具有在其表面上形成的电极；第一绝缘树脂层，被提供在半导体基片上并具有限定在对应于电极的位置的第一开口；第一接线层，被提供在第一绝缘树脂层上并通过第一开口连接到电极；第二绝缘树脂层，被提供在第一绝缘树脂层和第一接线层上，该第二绝缘树脂层具有第二开口，其被限定在半导体基片表面方向上不同于第一开口位置的位置；以及第二接线层，被提供在第二绝缘树脂层上并通过第二开口连接到第一接线层，其中第二接线层包括感应元件，并且第一绝缘树脂层的厚度与第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm，其中通过将第一接线层的厚度除以第二接线层的厚度而获得的值在0.3和0.5之间。
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