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公开(公告)号：CN101271895B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810096959.4
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：半导体基片，具有在其表面上形成的电极；钝化膜，提供在半导体基片的表面上并具有限定在对应于电极的位置的开口；第一绝缘树脂层，形成在钝化膜上并具有限定在对应于电极的位置的第一开口；第一接线层，提供在第一绝缘树脂层上并通过第一开口连接到电极；第二绝缘树脂层，提供在第一绝缘树脂层和第一接线层上并具有第二开口，其被限定在半导体基片表面方向上不同于第一开口位置的位置；和第二接线层，提供在第二绝缘树脂层上并通过第二开口连接到第一接线层并包括感应元件，第一绝缘树脂层的厚度不小于1μm且不大于30μm，第一绝缘树脂层的厚度和第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。
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公开(公告)号：CN100423264C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510083479.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：半导体基片，具有在其表面上形成的电极；第一绝缘树脂层，被提供在半导体基片上并具有限定在对应于电极的位置的第一开口；第一接线层，被提供在第一绝缘树脂层上并通过第一开口连接到电极；第二绝缘树脂层，被提供在第一绝缘树脂层和第一接线层上，该第二绝缘树脂层具有第二开口，其被限定在半导体基片表面方向上不同于第一开口位置的位置；以及第二接线层，被提供在第二绝缘树脂层上并通过第二开口连接到第一接线层，其中第二接线层包括感应元件，并且第一绝缘树脂层的厚度与第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm，其中通过将第一接线层的厚度除以第二接线层的厚度而获得的值在0.3和0.5之间。
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公开(公告)号：CN102638929B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210027061.8
申请日：2012-02-08
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H05K1/02
CPC classification number: H05K1/024 , H01P3/081 , H05K1/0225 , H05K1/0245 , H05K1/0253 , H05K2201/09236 , H05K2201/09681
Abstract: 本发明涉及印刷电路板，提供一种实现高速传送并且使设计变得简单的印刷电路板的构造。其具备形成于第1绝缘层的一个主面的接地层、形成于另一个主面的信号线、形成于第1绝缘层的另一个主面并隔着信号线地并列设置的2根导电线、覆盖信号线与导电线的第2绝缘层，在第2绝缘层(绝缘层A)的介电损耗角正切A＞第1绝缘层(绝缘层B)的介电损耗角正切B的情况下，满足关系式1：相对介电常数B×信号线的宽度÷第1绝缘层(绝缘层B)的厚度＞相对介电常数A×{信号线的厚度÷信号线与一个导电线之间的距离+信号线的厚度÷信号线与另一个导电线之间的距离+信号线的厚度÷一对信号线间的距离×2)}。
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公开(公告)号：CN1728384A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510083479.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基片，其具有在其表面上形成的电极；第一绝缘树脂层，其被提供在所述半导体基片上并且具有限定在对应于所述电极的位置的第一开口；第一接线层，其被提供在所述第一绝缘树脂层上并且通过所述第一开口连接到所述电极；第二绝缘树脂层，其被提供在所述第一绝缘树脂层和所述第一接线层上，该第二绝缘树脂层具有第二开口，其被限定在所述半导体基片表面方向上不同于所述第一开口位置的位置；以及第二接线层，其被提供在第二绝缘树脂层上并且通过所述第二开口连接到所述第一接线层，其中所述第二接线层包括感应元件，并且所述第一绝缘树脂层的厚度与所述第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103052256A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210390291.0
申请日：2012-10-15
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H05K1/02
CPC classification number: H05K1/0253 , H05K1/111
Abstract: 一种柔性印刷电路板，包括：基板；垫，该垫形成在所述基板的一个侧表面上；以及接地平面层，该接地平面层形成在所述基板的另一侧表面上，该接地平面层包括接地去除部，该接地去除部形成在经过所述基板而面对所述垫的位置处，以具有与所述垫相似的形状并且具有从所述垫的外形向外延伸100±50μm的外形。
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公开(公告)号：CN102638929A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027061.8
申请日：2012-02-08
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H05K1/02
CPC classification number: H05K1/024 , H01P3/081 , H05K1/0225 , H05K1/0245 , H05K1/0253 , H05K2201/09236 , H05K2201/09681
Abstract: 本发明涉及印刷电路板，提供一种实现高速传送并且使设计变得简单的印刷电路板的构造。其具备形成于第1绝缘层的一个主面的接地层、形成于另一个主面的信号线、形成于第1绝缘层的另一个主面并隔着信号线地并列设置的2根导电线、覆盖信号线与导电线的第2绝缘层，在第2绝缘层(绝缘层A)的介电损耗角正切A＞第1绝缘层(绝缘层B)的介电损耗角正切B的情况下，满足关系式1：相对介电常数B×信号线的宽度÷第1绝缘层(绝缘层B)的厚度＞相对介电常数A×{信号线的厚度÷信号线与一个导电线之间的距离+信号线的厚度÷信号线与另一个导电线之间的距离+信号线的厚度÷一对信号线间的距离×2)}。
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公开(公告)号：CN1739014B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480002413.8
申请日：2004-01-29
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L19/0069
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不损害压力测定精度及连接的可靠性且实现小型化的半导体压力传感器，该半导体压力传感器中，在由单晶硅形成的膜片的表面形成有压电电阻感压计的感压芯片的背面侧粘结玻璃基板，在膜片的背面与玻璃基板之间形成空间，且根据该空间与在膜片表面侧形成的空间的压力差来测定被测定压力。为达到该目的，该半导体压力传感器具有：树脂制突部，其形成于在感压芯片表面所配置的感压计电极或来自感压计电极的配线上；凸块，其形成为覆盖树脂制突部的一部分或整体。
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公开(公告)号：CN101271895A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810096959.4
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：半导体基片，具有在其表面上形成的电极；钝化膜，提供在半导体基片的表面上并具有限定在对应于电极的位置的开口；第一绝缘树脂层，形成在钝化膜上并具有限定在对应于电极的位置的第一开口；第一接线层，提供在第一绝缘树脂层上并通过第一开口连接到电极；第二绝缘树脂层，提供在第一绝缘树脂层和第一接线层上并具有第二开口，其被限定在半导体基片表面方向上不同于第一开口位置的位置；和第二接线层，提供在第二绝缘树脂层上并通过第二开口连接到第一接线层并包括感应元件，第一绝缘树脂层的厚度不小于1μm且不大于30μm，第一绝缘树脂层的厚度和第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。
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公开(公告)号：CN1739014A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002413.8
申请日：2004-01-29
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L19/0069
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不损害压力测定精度及连接的可靠性且实现小型化的半导体压力传感器，该半导体压力传感器中，在由单晶硅形成的膜片的表面形成有压电电阻感压计的感压芯片的背面侧粘结玻璃基板，在膜片的背面与玻璃基板之间形成空间，且根据该空间与在膜片表面侧形成的空间的压力差来测定被测定压力。为达到该目的，该半导体压力传感器具有：树脂制突部，其形成于在感压芯片表面所配置的感压计电极或来自感压计电极的配线上；凸块，其形成为覆盖树脂制突部的一部分或整体。
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