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公开(公告)号：CN101632146A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880005914.X
申请日：2008-02-08
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01H36/00
Abstract: 本发明涉及磁传感器模块以及活塞位置检测装置。磁传感器模块包括：半导体基板，其具有进行开关动作的集成电路；磁阻元件，其设置在该半导体基板的一个面上，且在沿着该一个面的方向上具有感磁方向；偏置磁场施加部件，其设置在所述半导体基板上、且配置在与所述一个面平行的面上，所述偏置磁场施加部件，在沿着配置该偏置磁场施加部件的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁场的状态下，该偏置磁场施加部件在沿着设置了所述磁阻元件的所述一个面的方向上施加偏置磁场。
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公开(公告)号：CN101438178B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200780016434.9
申请日：2007-05-08
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01R33/09 , G01R33/0011 , G01R33/02 , G01R33/063 , G01R33/18 , H01L43/12
Abstract: 本发明的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构，从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向(S)上形成磁场(M)。由此，对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言，整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场(M)。
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公开(公告)号：CN1728384A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510083479.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基片，其具有在其表面上形成的电极；第一绝缘树脂层，其被提供在所述半导体基片上并且具有限定在对应于所述电极的位置的第一开口；第一接线层，其被提供在所述第一绝缘树脂层上并且通过所述第一开口连接到所述电极；第二绝缘树脂层，其被提供在所述第一绝缘树脂层和所述第一接线层上，该第二绝缘树脂层具有第二开口，其被限定在所述半导体基片表面方向上不同于所述第一开口位置的位置；以及第二接线层，其被提供在第二绝缘树脂层上并且通过所述第二开口连接到所述第一接线层，其中所述第二接线层包括感应元件，并且所述第一绝缘树脂层的厚度与所述第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。
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公开(公告)号：CN101438178A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016434.9
申请日：2007-05-08
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01R33/09 , G01R33/0011 , G01R33/02 , G01R33/063 , G01R33/18 , H01L43/12
Abstract: 本发明的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构，从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向(S)上形成磁场(M)。由此，对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言，整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场(M)。
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公开(公告)号：CN101271895A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810096959.4
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：半导体基片，具有在其表面上形成的电极；钝化膜，提供在半导体基片的表面上并具有限定在对应于电极的位置的开口；第一绝缘树脂层，形成在钝化膜上并具有限定在对应于电极的位置的第一开口；第一接线层，提供在第一绝缘树脂层上并通过第一开口连接到电极；第二绝缘树脂层，提供在第一绝缘树脂层和第一接线层上并具有第二开口，其被限定在半导体基片表面方向上不同于第一开口位置的位置；和第二接线层，提供在第二绝缘树脂层上并通过第二开口连接到第一接线层并包括感应元件，第一绝缘树脂层的厚度不小于1μm且不大于30μm，第一绝缘树脂层的厚度和第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。
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公开(公告)号：CN101271895B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810096959.4
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：半导体基片，具有在其表面上形成的电极；钝化膜，提供在半导体基片的表面上并具有限定在对应于电极的位置的开口；第一绝缘树脂层，形成在钝化膜上并具有限定在对应于电极的位置的第一开口；第一接线层，提供在第一绝缘树脂层上并通过第一开口连接到电极；第二绝缘树脂层，提供在第一绝缘树脂层和第一接线层上并具有第二开口，其被限定在半导体基片表面方向上不同于第一开口位置的位置；和第二接线层，提供在第二绝缘树脂层上并通过第二开口连接到第一接线层并包括感应元件，第一绝缘树脂层的厚度不小于1μm且不大于30μm，第一绝缘树脂层的厚度和第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm。
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公开(公告)号：CN100423264C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510083479.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L27/04
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：半导体基片，具有在其表面上形成的电极；第一绝缘树脂层，被提供在半导体基片上并具有限定在对应于电极的位置的第一开口；第一接线层，被提供在第一绝缘树脂层上并通过第一开口连接到电极；第二绝缘树脂层，被提供在第一绝缘树脂层和第一接线层上，该第二绝缘树脂层具有第二开口，其被限定在半导体基片表面方向上不同于第一开口位置的位置；以及第二接线层，被提供在第二绝缘树脂层上并通过第二开口连接到第一接线层，其中第二接线层包括感应元件，并且第一绝缘树脂层的厚度与第二绝缘树脂层的厚度之和不小于5μm且不大于60μm，其中通过将第一接线层的厚度除以第二接线层的厚度而获得的值在0.3和0.5之间。
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