公开(公告)号：CN103298767A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005106.X

申请日：2012-02-09

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 金丸守贺 ,  岩崎祐纪 ,  松井实 ,  后藤裕史 ,  南部旭

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086

Abstract: 提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)：[A/(A+B+C+D)]×100≥70 (1)。

公开(公告)号：CN103298767B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280005106.X

申请日：2012-02-09

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 金丸守贺 ,  岩崎祐纪 ,  松井实 ,  后藤裕史 ,  南部旭

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086

Abstract: 提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)[A/(A+B+C+D)]×100≥70···(1)。