公开(公告)号：CN118724584B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411072768.X

申请日：2024-08-06

Applicant: 深圳众诚达应用材料股份有限公司

Inventor： 徐红星 ,  马厚良 ,  周贤界 ,  黄勇彪

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本申请涉及靶材制备技术领域，提供了一种低电阻的氧化锡基靶材及其制备方法，氧化锡基靶材包括SnO2、第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第一掺杂剂包括Sb2O5、Nb2O5、Ta2O5、MoO3和WO3中的至少一种；所述第二掺杂剂包括ZnO、CuO、Bi2O3和B2O3中至少一种。本申请提供的低电阻的氧化锡基靶材，以SnO2作为主材，通过第一掺杂剂掺杂一定量的Sb5+、Nb5+、Ta5+、Mo6+或W6+等，这些离子进入SnO2晶格中取代Sn4+，会引入自由电子载流子，使电子载流子浓度增大，从而降低靶材电阻率；通过第二掺杂剂促进SnO2致密化烧结，因此形成的氧化锡基靶材具有电阻低和密度高的特点。

公开(公告)号：CN119841653A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510015801.3

申请日：2025-01-06

Applicant: 格林美(无锡)能源材料有限公司

Inventor： 许开华 ,  赵德 ,  陈玉君 ,  张明龙

IPC: C04B35/66 ,  C04B35/185 ,  C04B35/195 ,  C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  F27D5/00

Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域，具体涉及一种莫来石‑堇青石导电匣钵及其制备方法和应用。其中，一种莫来石‑堇青石导电匣钵，原料包括：莫来石、堇青石、导电材料，所述导电材料为锡源或/和银源。本发明利用锡源或/和银源在莫来石‑堇青石匣钵中引入导电金属元素，可以提高进入正极材料颗粒中匣钵渣的导电性，使得残留在正极材料中的匣钵渣能够充当导电桥梁的作用，从而提升匣钵承烧的正极材料的电化学性能。

公开(公告)号：CN119774999A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411777250.6

申请日：2024-12-05

Applicant: 安徽狄拉克新材料科技有限公司

Inventor： 徐国军 ,  张蛟 ,  蒋明伟

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C23C14/34 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明涉及靶材技术领域，具体涉及一种掺杂氧化铜的低阻氧化锡锑靶材及其制备方法，制备所述靶材包括如下重量份的原料：氧化锡97‑98份、氧化锑1‑3份、氧化铜1‑3份、粘结剂0.5‑1份和增塑剂0.2‑0.5份。制备方法包括制浆、造粒、成型、烧结等步骤。本发明通过两次砂磨能有效增加氧化锑和氧化铜在基底氧化锡中的均匀性，有效改善氧化锡锑靶材电阻率均匀性不佳的劣势。通过合理的配方及工艺流程、参数的设置，能够解决传统的氧化锡锑靶材电阻率高的问题，电阻率差异小于3.3mΩ.cm。

公开(公告)号：CN119551981A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411740214.2

申请日：2024-11-29

Applicant: 芜湖映日科技股份有限公司

Inventor： 曾墩风 ,  余庆萍 ,  王志强 ,  曾探

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及靶材制造领域，提供一种低电阻高透过低铟靶材的制备方法，通过原材料采用纳米级粉末，粉末径100nm～500nm，且纯度均≥99.99％，能进一步提高靶材密度，减少砂磨时间，提高效率，节省成本。并且原材料粉末的配比为氧化铟：氧化锌：氧化锡：氧化铈＝1‑20％：10‑30％：60‑80％：1‑2％，这样可实现高透过率和低电阻。通过先对粉末砂磨，砂磨过程添加分散剂、粘结剂、消泡剂，再粉末造粒，之后进行两次冷压成型，最后进行高温高压烧结，可以得到高密度的靶材。

公开(公告)号：CN119551980A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411738025.1

申请日：2024-11-29

Applicant: 郑州大学

Inventor： 韩道洋 ,  韩权 ,  邵刚 ,  马超 ,  王海龙

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种兼具吸波和隔热性能的高熵氧化物陶瓷及其制备方法。该陶瓷的化学式为ABO3，其中A位包含Bi、Na两种元素，同时包含Ca、Sr、Ba中的任意两种；B位则包含Sn、Ti、Zr、Ce中的任意两种。所有元素在各自位置上等摩尔比。制备方法包括球磨、干燥、煅烧、压片、微波烧结等步骤。与现有技术相比，本发明提供的一种高熵氧化物陶瓷具有优异的吸波和隔热性能，并具有制备成本低的优势。

公开(公告)号：CN119430907A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411570243.9

申请日：2024-11-06

Applicant: 中国矿业大学(北京) ,  鄂尔多斯市圣圆水务集团有限责任公司

Inventor： 张春晖 ,  林智炜 ,  崔婷婷 ,  郭美光子 ,  王泽鹏 ,  陈乐贻 ,  李载宁 ,  乔平 ,  张瑞 ,  贾越 ,  陈鑫薇

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C02F1/461

Abstract: 本发明提供了一种一体式导电陶瓷膜及其制备方法和应用，属于污水处理技术领域。本发明以Sn源、金属掺杂剂为原料，采用共沉淀‑煅烧‑混合球磨‑液压压制‑煅烧方法，使陶瓷膜具备导电能力而直接制备出“一体式”导电陶瓷膜，实现一体式导电陶瓷膜的制备。本发明的方法使得陶瓷膜整体具备导电性，不仅能避免涂敷法存在的导电涂层脱落问题，而且可以简化制备流程，降低生成难度，提高制膜效率。

公开(公告)号：CN119306490A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411236378.1

申请日：2024-09-04

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 徐威 ,  葛春桥 ,  陈露 ,  高钰航 ,  罗泽宇

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供了一种RPD靶材的制备方法和RPD靶材。RPD靶材的制备方法步骤包括：以ITO废靶和ITO废靶坯为原料，分别制备得到ITO废靶粉和ITO废靶坯粉，将所述ITO废靶粉和ITO废靶坯粉混合得到混合粉末后，进行素坯成型、排胶和烧结的步骤，其中，所述ITO废靶为经过烧结的ITO废旧靶材，所述ITO废靶坯为未经烧结的ITO废旧靶材。本发明还提供了一种RPD靶材。

公开(公告)号：CN119118653A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411322690.2

申请日：2024-09-23

Applicant: 河北夏宸新材料科技有限公司

Inventor： 熊翠萍 ,  褚燕红 ,  刘存领

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/626

Abstract: 本申请涉及TZO粉末加工技术领域，更具体地说，涉及一种固相合成制备TZO粉末的方法，包括以下制备步骤：ZnO和SnO2进行球磨，得到混合粉末；将混合粉末进行预烧处理，得到活化混合粉末；将活化活化混合粉末置于真空环境中烧结，烧结完毕，冷却，筛选，得到TZO粉末；所述烧结过程烧结过程包括十三烧结阶段，其中，第一烧结阶段从25℃升温至95‑105℃，所述第二烧结阶段至所述第五烧结阶段升高温度分别为45‑55℃、45‑55℃、195‑205℃和95‑105℃；所述第七烧结阶段至所述第八烧结阶段升高温度分别为45‑55℃、295‑305℃；第六烧结阶段、第九烧结阶段、第十一烧结阶段和第十三烧结阶段均为恒温烧结阶段，恒温烧结温度分别为475‑520℃、815‑880℃、1065‑1180℃和1400‑1500℃，该工艺时间短、设备简单、成本低。

公开(公告)号：CN119118651A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202310692241.6

申请日：2023-06-12

Applicant: 松山湖材料实验室 ,  中国科学院物理研究所

Inventor： 陈兴谦 ,  杜小龙 ,  李昊臻 ,  刘尧平

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种掺氟氧化锡靶材的制备方法。将原料的粉体混合物压制成型后烧结；粉体混合物包括：70wt.％～99.9wt.％SnO2、0.1wt.％～10wt.％金属氟化物；0wt.％～10wt.％金属氧化物；0wt.％～10wt.％助烧剂；金属氟化物的熔点大于800℃。本申请提供的掺氟氧化锡靶材的制备方法，使用高熔点(>800℃)的金属氟化物替代氟化亚锡作为掺氟氧化锡靶材的氟源，从根本上解决了靶材高温烧结过程中金属氟化物分解的问题，从而提高了靶材成分的控制精度，进而能够有效地提升掺氟氧化锡薄膜的光电性能。

公开(公告)号：CN118344176A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410267577.2

申请日：2024-03-08

Applicant: 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

Inventor： 陈杰 ,  王诗 ,  王海龙 ,  孙本双 ,  何季麟

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料技术领域，公开了一种利用废靶制备氧化锡钽RPD靶材的方法，包括以下步骤：取TTO溅射废靶材，在稀盐酸中浸泡，洗涤，烘干；将烘干后的TTO溅射废靶材研磨成粉，过筛网，将过筛网的粉料进一步过细筛网，未过筛网的粉料为粗颗粒，过筛网的粉料为细颗粒；取粗颗粒、细颗粒与聚乙烯醇水溶液混合均匀，过筛网；将混合物料放入模具中，使用油压机压制成型，得到靶材素坯；用铝硅箔将得到的靶材素坯完全包覆，用真空封装机进行真空封装处理，然后冷等静压机压制；将得到的靶材素坯放入烧结炉中进行无压烧结，得到低密度多孔氧化锡钽RPD靶材。本发明以TTO溅射废靶材为原料制备氧化锡钽RPD靶材，可有效地减少资源的浪费。