公开(公告)号：CN115332362A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202211079155.X

申请日：2022-09-05

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 杨敏红 ,  刘韵吉 ,  单慧

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 一种肖特基势垒二极管及制备方法，二极管结构是，在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层；具体的二极管构造是：从上到下依次为正面金属，钛钨层，肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层，背面金属；肖特基势垒位于n‑外延层和钛钨层之间；钛钨层下面肖特基势垒层周围还设有氧化层。肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层制备完成后溅射钛钨：用磁控溅射仪溅射钛钨层，钛钨厚度在0.1um‑0.3um，用于保护肖特基势垒，再制备正面金属电极。

公开(公告)号：CN104362081B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201410504797.9

申请日：2014-09-26

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 何慧强 ,  刘韵吉 ,  杨敏红

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种多晶氧化铝薄膜的制备方法、铝扩散方法和器件的钝化方法，属于氧化铝薄膜制造领域。一种多晶氧化铝薄膜的制备方法，步骤为依次进行配置悬浮液、光刻晶圆、形成铝层、铝光刻、电泳、漂洗、真空干燥、烧结成膜，完成对晶圆的多晶氧化铝薄膜的制备，基于上述步骤进行扩散可对铝在晶圆本体中进一步扩散，形成铝扩散区；使用多晶氧化铝薄膜的制备方法可以对半导体器件进行氧化铝钝化。它成本低廉、工艺精细、控制精准，可以对薄膜进行选择性生长，可以对晶圆进行铝扩散、对半导体器件进行钝化。

公开(公告)号：CN104362182B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201410665403.8

申请日：2014-11-19

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 朱军 ,  单慧 ,  刘韵吉 ,  杨敏红 ,  刘诚

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种平面双结型稳压二极管芯片及其生产工艺，属于电子器件制造领域。一种平面双结型稳压二极管芯片，包括芯片、正面金属层和背面金属层，芯片包括衬底层、外延层、深层掺杂扩散区、表面掺杂扩散区和钝化层，所述的芯片为稳压二极管芯片；芯片截层从下向上依次为衬底层、外延层、深层掺杂扩散区、表面掺杂扩散区和钝化层。芯片生产工艺采用两次离子注入及热扩散过程，可以有效地提高器件的击穿电压精度，降低因衬底及外延材料性能差异所引起的器件性能差异；通过调整两次注入剂量或扩散条件可以直接调制器件击穿电压，从而在利用单一外延材料的情况下，可实现多电压等级稳压器件的制作并提高生产效率，降低生产成本，有稳定的动态电阻性能。

公开(公告)号：CN115411099A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211189058.6

申请日：2022-09-28

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 杨敏红 ,  刘韵吉 ,  孙园

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 一种纯铂金势垒肖特基二极管的制备方法，首先在钼大盘上沉积一层铂金属，然后将硅片放置在钼大盘上，通过高纯氩离子轰击硅片表面，去掉硅片表面的自然氧化层，同时氩离子轰击硅片外的大盘，将大盘上的铂金属轰击后沉积到硅片表面；接着在硅片铂层表面沉积一层TiW层。沉积TiW层硅片后纯铂金势垒肖特基二极管的制备，衬底片用n+单晶硅衬底；n+单晶硅衬底产生n‑外延层；按区氧化、离子注入形成PN结，场氧化形成钝化层；光刻、腐蚀露出Si的外延层；制备肖特基势垒前表面清洗使硅片表面的足够的洁净和露出表面无工艺缺陷的硅片。

公开(公告)号：CN105489639A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610021997.8

申请日：2016-01-13

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 孙澜 ,  刘韵吉 ,  杨敏红 ,  单慧

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明公开了一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片及其生产工艺，属于半导体芯片领域。一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、渐变电场限制环和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从右向左依次为芯片、N+截止环、渐变电场限制环和P+阳极。渐变电场限制环由从P+阳极到N+截止环宽度逐渐变小的若干个电场限制环组成。从P+阳极到芯片边缘，电场限制环的宽度逐渐变小，电场限制环之间的间距逐渐变大，从而达到高压电势从P+阳极到芯片边缘线性变小和电场均匀分布的目的；它具有电场分布均匀，击穿电压高，开关损耗低，漏电流小，反向功耗少的优点。

公开(公告)号：CN115472497A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210898689.9

申请日：2022-07-28

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 朱军 ,  单慧 ,  杨敏红 ,  刘韵吉

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 改善沟槽型MOS肖特基高温反偏老化性能的方法及器件，器件从下至上由背面金属层、N+型衬底层、N‑型硅外延层、有效区，终端区，正面金属层；器件结构为顶部阳极芯片；在原有热生成的氧化层基础上通过PECVD或LPCVD沉积相应厚度的二氧化硅、氮化硅、二氧化硅/氮化硅复合介质层或其他绝缘介质层；沉积的厚度在0.25‑1.5微米。本发明通过增加终端区介质厚度，可有效降低介质‑半导体界面的电场强度，从而减小老化过程中反向偏压对半导体材料中电荷迁移作用。

公开(公告)号：CN105489639B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201610021997.8

申请日：2016-01-13

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 孙澜 ,  刘韵吉 ,  杨敏红 ,  单慧

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片及其生产工艺，属于半导体芯片领域。一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、渐变电场限制环和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从右向左依次为芯片、N+截止环、渐变电场限制环和P+阳极。渐变电场限制环由从P+阳极到N+截止环宽度逐渐变小的若干个电场限制环组成。从P+阳极到芯片边缘，电场限制环的宽度逐渐变小，电场限制环之间的间距逐渐变大，从而达到高压电势从P+阳极到芯片边缘线性变小和电场均匀分布的目的；它具有电场分布均匀，击穿电压高，开关损耗低，漏电流小，反向功耗少的优点。

公开(公告)号：CN104195524A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410456414.5

申请日：2014-09-09

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 谈步亮 ,  刘韵吉 ,  杨敏红 ,  何慧强 ,  陈道友

IPC: C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种气相沉积清理行星盘的系统及其清洗方法，属于芯片工装设备领域。包括蒸发机台、冷泵、机械泵、高压柜和晶控仪，所述的蒸发机台包括钟罩，所述的钟罩将三角架、轨道、行星盘、烘烤灯和电子枪封闭在钟罩内部形成腔体，钟罩内部的腔体与外部的氦气压缩机、冷泵、机械泵和高压柜连接。在系统中使用旋转电机系统，使用圆周形的轨道。在旋转过程中对行星盘进行气相沉积，沉积表面均匀光滑。使用物理方法的气相沉积方法，使用镍和铝进行气相沉积，对环境无影响，环保无污染，仪器的使用寿命长，耗时短，效率高。

公开(公告)号：CN104332503B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201410551171.3

申请日：2014-10-16

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 孙澜 ,  单慧 ,  朱军 ,  刘韵吉 ,  杨敏红

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种高压快恢复二极管芯片生产工艺，属于半导体芯片领域。一种高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从下向上依次为芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极。特殊钝化层包含电场限制环。芯片生产工艺采用电场限制环的方法，成功调制快恢复二极管表面电场，在同样条件下，增加了快恢复二极管的耐压；采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流。它具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。

公开(公告)号：CN108598075A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201711476209.5

申请日：2017-12-29

Applicant: 桑德斯微电子器件(南京)有限公司

Inventor： 那雪梅 ,  杨敏红 ,  刘韵吉

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8222

Abstract: 一种双向低压ESD倒装二极管，器件设有两个相同的二极管，第一个二极管的阳极与第二个二极管的阴极相连作为器件的输入端in，第一个二极管的阴极与第二个二极管的阳极相连作为器件的输出端out，同时保证两个二极管的正向击穿电压比反向击穿电压要低。器件通过匹配同一芯片的两个相同的二极管结构的阳极与阴极互连的方式实现正反向电压对称的工作。该结构既实现了双向都工作在低压状态，又实现了倒装焊工艺，减小了RC延迟，有效地提高了电性能，使器件满足集成电路对低压高速且小型化高性能的需求。