公开(公告)号：CN119392215A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411572047.5

申请日：2024-11-05

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李翔 ,  姚俊 ,  袁红霞 ,  李鹏 ,  杨蕾

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  G02B1/113

Abstract: 本发明提供了一种低温ALD制备金属氟化物薄膜的方法，将金属前驱体与氧等离子体进行等离子体增强原子层沉积反应，得到金属氟化物薄膜；所述金属前驱体选自六氟乙酰丙酮化物。本发明利用PEALD制备金属氟化物薄膜，不采用腐蚀性极强的含氟气体，提高了薄膜沉积的安全性；且制备工艺过程温度较低、环境友好、薄膜厚度可控，工艺方法易于实现。制备得到的金属氟化物薄膜膜层均匀，表面致密，具有极低的折射率，应用于光学镜头上，能均匀沉积，具有保型性。不仅如此，还可搭配一些高折射率的膜层结构在一些特定的光谱区实现增透或者减反性能。

公开(公告)号：CN119392214A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411572046.0

申请日：2024-11-05

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李翔 ,  姚俊 ,  袁红霞 ,  糜珂 ,  杨蕾

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明提供了一种氟化钇薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1)将衬底置于原子层沉积装置内，通入同时含钇和含氟的前驱体，反应后在所述衬底表面形成膜层；将所述膜层进行吹扫；S2)在原子层沉积装置内通入氧源，与所述膜层反应，再次吹扫，得到氟化钇薄膜。根据反应物前驱体的不同，本申请还提供了一种氟化钇薄膜的制备方法。本申请还提供了氟化钇薄膜的应用。本申请提供的氟化钇薄膜的制备方法是利用原子层沉积方法将金属有机源与氧源交替地通入到反应腔室中，并通过自限制反应成膜的过程；制备的氟化钇薄膜均匀、致密，且未引入有毒气体，具有较高的安全性。

公开(公告)号：CN119136628A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411244334.3

申请日：2024-09-05

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李翔 ,  袁红霞 ,  糜珂 ,  李鹏 ,  姚俊 ,  杨蕾

IPC: H10K71/60 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00 ,  H10K30/82 ,  H10K30/86 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C14/22 ,  C23C4/134 ,  C23C28/00

Abstract: 本申请公开了一种钙钛矿电池的制作方法，涉及光伏技术领域。钙钛矿电池的制作方法包括在基底上划刻沟槽；采用原子层沉积工艺在基底上沉积第一子层，第一子层包覆沟槽的壁面；采用物理气相沉积工艺或快速等离子体沉积工艺在第一子层上沉积第二子层，第一子层与第二子层共同形成功能层，功能层填充沟槽。第一子层的致密性使得其能够较好地覆盖沟槽的内壁，而最终沉积得到的功能层也能够良好地填充沟槽，保证功能层与基底的紧密结合。并且，原子层沉积工艺相对于物理气相沉积工艺而言，反应温度更低，能量更小，不容易损伤基底。

公开(公告)号：CN117198861A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311335821.6

申请日：2023-10-13

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李翔 ,  糜珂 ,  杨蕾 ,  姚俊 ,  袁红霞

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域。本发明提供一种薄膜晶体管沟道层制备方法和薄膜晶体管。制备方法包括以下步骤：提供衬底层；在衬底层上，使用原子层沉积的方式进行若干次IGZO大循环沉积IGZO沟道层；其中IGZO大循环包括循环次数呈一定比例并依次进行的若干次铟氧化物子循环、若干次镓氧化物子循环和若干次锌氧化物子循环。本发明的薄膜晶体管沟道层制备方法，可以通过控制比例变化调整每一IGZO大循环中铟氧化物子循环、镓氧化物子循环和锌氧化物子循环的循环次数，进而精准控制IGZO沟道层的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN119710623A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411943017.0

申请日：2024-12-26

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李翔 ,  袁红霞 ,  杨蕾 ,  李鹏

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本申请提供一种氟掺杂氧化锡薄膜的制备方法，包括以下步骤：将基底置于沉积装置内；进行至少一次沉积处理，每次所述沉积处理各自独立地包括进行至少一次氧化锡薄膜子沉积处理和至少一次氟化物子沉积处理。本申请通过改变沉积处理次数、氧化锡薄膜子沉积次数以及氟化物子沉积处理次数，可以精确地调控氟掺杂氧化锡薄膜的厚度，且薄膜的均匀性好、厚度差异小。

公开(公告)号：CN119133315A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411244251.4

申请日：2024-09-05

Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李翔 ,  袁红霞 ,  糜珂 ,  李鹏 ,  姚俊 ,  杨蕾

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20 ,  C23C28/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C14/08

Abstract: 本申请公开了一种TCO薄膜的制作方法和异质结电池的制作方法，涉及光伏技术领域。TCO薄膜的制作方法包括在基材上采用原子层沉积工艺制作第一透明导电层，在第一透明导电层上采用物理气相沉积工艺或快速等离子体沉积工艺沉积第二透明导电层。由于原子层沉积工艺反应温度低且对基材无损伤。此后进行的物理气相沉积工艺或快速等离子体沉积工艺在第一透明导电层上进行，即便工艺温度相对更高、能量相对大，但在第一透明导电层的隔离作用下，不会直接作用于基材，因此不容易对基材造成损伤，保证了电池性能。本申请实施例提供的异质结电池的制作方法包括采用上述TCO薄膜的制作方法在硅片上制作TCO薄膜。