公开(公告)号：CN111525021B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202010320707.6

申请日：2020-04-22

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  冯超 ,  钱进 ,  林秀娟 ,  程振祥 ,  黄世峰

IPC: H10N10/853 ,  H10N10/855 ,  H10N10/01 ,  C23C28/00 ,  C23C18/12 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  B05D1/00 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  C01G29/00

Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成，所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1‑x‑yWxFey)O3，其中，1.01≤a≤1.02，1.01≤b≤1.04，0.01≤x≤0.02，0.01≤y≤0.02。在143℃附近，正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值：∆T~55 K，∆S~64 J K‑1 kg‑1；在同一制冷循环内，54℃附近，负绝热温变和等温熵变的峰值为：∆T~‑17 K，∆S~‑26 J K‑1 kg‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点，在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN112557516B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202011504747.2

申请日：2020-12-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  冯超 ,  杨长红 ,  耿朝辉 ,  张晓芳 ,  刘芬 ,  林秀娟 ,  程新

IPC: G01N29/14 ,  C04B35/50 ,  C04B35/478 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高温压电陶瓷声发射传感器，包括封装外壳、透声层、导电胶、压电元件、连接压电元件正电极面的引线、压电元件与封装层之间的背衬层、射频连接器和射频同轴电缆。本发明所用的压电元件为陶瓷，其中0.30≤x≤0.33,0.05≤y≤0.10，0.02≤a≤0.05,0.01≤b≤0.03，0.01≤c≤0.03。该陶瓷具有高的居里温度(TC=470℃~500℃)和优异的压电性能(d33>230pC/N)。本发明所制备的声发射传感器可在300℃的高温下稳定工作，具有高灵敏度、高信噪比、制作工艺简单、使用方便等特点，对将声发射技术应用于高温领域的在线监测具有重要意义。

公开(公告)号：CN113213918B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202110709653.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  黄世峰 ,  耿朝辉 ,  冯超 ,  林秀娟 ,  范梦佳 ,  冯云云

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明属于高温压电陶瓷材料领域，具体涉及兼具高压电性能和低损耗的钛酸锶铋—钪酸铋—钛酸铅系高温压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x‑y)BiScO3‑yPbTiO3‑1mol%MnO2，其中0.01≤x≤0.04，0.62≤y≤0.64。本发明制备的陶瓷材料的介电损耗在室温到高温范围内大幅度降低，还保持了高压电性能和高居里温度，满足高温压电传感器对压电功能元件的要求，制备工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产，在高温压电加速度计传感器件、高温压电阀和高温压电马达驱动器、高温压电能量收集等方面具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN114722689B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210643741.6

申请日：2022-06-09

Applicant: 淄博高新技术产业开发区MEMS研究院 ,  山东超探电子科技有限公司 ,  济南大学

Inventor： 刘通 ,  何长运 ,  阮勇 ,  牟言鹏 ,  曹丽霞 ,  胡燕威 ,  杨长红 ,  黄世峰

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/17 ,  G06F119/14

Abstract: 本申请涉及一种MEMS悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备。所述方法包括：基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；根据仿真阻值判断所述接触电阻是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻符合预设优化标准。采用本方法能够降低MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高MEMS悬臂梁器件的可靠性。

公开(公告)号：CN113213918A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110709653.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  黄世峰 ,  耿朝辉 ,  冯超 ,  林秀娟 ,  范梦佳 ,  冯云云

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明属于高温压电陶瓷材料领域，具体涉及兼具高压电性能和低损耗的钛酸锶铋—钪酸铋—钛酸铅系高温压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x‑y)BiScO3‑yPbTiO3‑1mol%MnO2，其中0.01≤x≤0.04，0.62≤y≤0.64。本发明制备的陶瓷材料的介电损耗在室温到高温范围内大幅度降低，还保持了高压电性能和高居里温度，满足高温压电传感器对压电功能元件的要求，制备工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产，在高温压电加速度计传感器件、高温压电阀和高温压电马达驱动器、高温压电能量收集等方面具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN112557516A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011504747.2

申请日：2020-12-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  冯超 ,  杨长红 ,  耿朝辉 ,  张晓芳 ,  刘芬 ,  林秀娟 ,  程新

IPC: G01N29/14 ,  C04B35/50 ,  C04B35/478 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高温压电陶瓷声发射传感器，包括封装外壳、透声层、导电胶、压电元件、连接压电元件正电极面的引线、压电元件与封装层之间的背衬层、射频连接器和射频同轴电缆。本发明所用的压电元件为陶瓷，其中0.30≤x≤0.33,0.05≤y≤0.10，0.02≤a≤0.05,0.01≤b≤0.03，0.01≤c≤0.03。该陶瓷具有高的居里温度(TC=470℃~500℃)和优异的压电性能(d33>230pC/N)。本发明所制备的声发射传感器可在300℃的高温下稳定工作，具有高灵敏度、高信噪比、制作工艺简单、使用方便等特点，对将声发射技术应用于高温领域的在线监测具有重要意义。

公开(公告)号：CN112537955A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202011504782.4

申请日：2020-12-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  黄世峰 ,  冯超 ,  钱进 ,  张晓芳 ,  林秀娟 ,  刘芬 ,  程新

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  B06B1/06

Abstract: 本发明公开了一种掺杂改性钪酸铋‑钛酸铅‑铁酸铋三元体系的压电陶瓷，该陶瓷的化学通式为，其中0.30≤x≤0.33，0.05≤y≤0.10，0.02≤a≤0.05，0.01≤b≤0.03，0.01≤c≤0.03，采用金属氧化物为原料，通过固相反应法制备该压电陶瓷。本发明还公开了基于该压电陶瓷的偶极子发射换能器，换能器在空气中的谐振频率约为2~3kHz，可耐200℃的高温及50MPa的高静水压。

公开(公告)号：CN107555986B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201710786124.0

申请日：2017-09-04

Applicant: 济南大学

Inventor： 毕金鑫 ,  吴海涛 ,  杨长红

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种低损耗岩盐矿结构微波介质陶瓷及制备方法，该陶瓷材料组成表达式为：Li2Mg1+0.33xTi1‑xNb0.67xO4，其中0.25≤x≤0.35。本发明先将Li2CO3，MgO，TiO2和Nb2O5等原材料按照表达式进行配料，经球磨、干燥、过筛后于1050°C环境下进行预烧处理；再经二次球磨、干燥后外加8%重量百分比粘合剂进行造粒，压制成型为坯体，采用埋烧法对陶瓷坯体于1400‑1450°C烧结，制得高性能的锂镁钛基微波介质陶瓷。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：较高的品质因数（Q×f~160,000GHz），接近于0的谐振频率温度系数（τf~‑3ppm/°C）。所制备材料介电常数（εr）约为16，制备工艺较为简单，制备过程环保，成本较低，是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。

公开(公告)号：CN111525021A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010320707.6

申请日：2020-04-22

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  冯超 ,  钱进 ,  林秀娟 ,  程振祥 ,  黄世峰

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34 ,  C23C28/00 ,  C23C18/12 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  B05D1/00 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  C01G29/00

Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成，所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1‑x‑yWxFey)O3，其中，1.01≤a≤1.02，1.01≤b≤1.04，0.01≤x≤0.02，0.01≤y≤0.02。在143 ℃附近，正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值：∆T~55 K，∆S~64 J K‑1 kg‑1；在同一制冷循环内，54 ℃附近，负绝热温变和等温熵变的峰值为：∆T~‑17 K，∆S~‑26 J K‑1 kg‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点，在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN109494076A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811256156.0

申请日：2018-10-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  韩亚洁 ,  钱进 ,  吕盼盼 ,  陈乐欣 ,  林秀娟 ,  黄世峰

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/005 ,  H01G4/1218

Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法。本发明的薄膜电容器，由柔性云母基片、Pt薄膜底电极、铁电薄膜层和金属Pt或Au顶电极组成。本发明的薄膜电容器，以钛酸铋钠基铁电薄膜作为功能层，其化学通式为0.97(0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaTiO3)-0.03BiFeO3-xCeO2-yMnO2，其中0≤x≤1%，0≤y≤2%，且y＞x。本发明工艺简单、成本低廉，所制备的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器耐弯折、储能密度大、储能效率高、热稳定性好、损耗低，可满足柔性储能元器件的要求。