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公开(公告)号:CN115692643A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202211211214.4
申请日:2022-09-30
Applicant: 烟台南山学院
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/50 , H01M4/1391 , H01M4/131 , H01M4/04 , H01M10/052 , C01G45/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种二氧化锰正极材料的制备方法及其在锂硫电池中的应用。通过特定制备方法,获得的片层形态的二氧化锰实现了对硫化物的对多硫化物的转化和锚定作用,有效的抑制了“穿梭效应”,从而提高了锂硫电池的循环性能和库伦效率。
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公开(公告)号:CN115121795B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202210606151.6
申请日:2022-05-31
Applicant: 烟台南山学院
IPC: B22F1/17
Abstract: 本发明涉及功能材料领域,具体为一种能驱动金属镓滴移动的壳层结构及其制备方法和应用方法,壳层结构包括泡沫镍片和与泡沫镍片粘接在一起铜箔片,铜箔片与泡沫镍片的外接直径之比为1:1至1:2。与现有技术相比,本发明利用铜与镓表面常温接触迅速形成铜镓合金产生强粘附而泡沫镍与镓不浸润的特性,设计铜箔@泡沫镍壳层结构用以液态金属镓,该结构对静磁场响应十分显著,通过静磁场可以驱动金属镓液滴的移动。同时该结构内侧与液态金属镓表面具有强粘附力,但外侧与镓完全不浸润,可以有效的避免液态金属镓液滴之间在酸/碱性溶液的聚合。
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公开(公告)号:CN112018213B
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202010697339.7
申请日:2020-07-20
Applicant: 烟台南山学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , G01N21/65
Abstract: 本发明涉及一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法,在硅片表面腐蚀出大量纳米尺度的腐蚀孔;将Au蒸镀于硅片表面,进一步通过退火在刻蚀孔内Au‑Si界面处形成大规模的Au‑Si二元合金焊接点作为纳米尺寸的夹持端;通过机械分离,在Au箔与Si表面制备Au纳米锥。该结构显著的提升了Au纳米锥与基底的结合力,为提高SERS探测器、以及太阳能电池的器件稳定性以及使用寿命提供新的技术手段。本发明的设计与制备工艺无特殊条件要求、操作容易、设备要求简单,特别适合商业化大规模生产。
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公开(公告)号:CN112018213A
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN202010697339.7
申请日:2020-07-20
Applicant: 烟台南山学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , G01N21/65
Abstract: 本发明涉及一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法,在硅片表面腐蚀出大量纳米尺度的腐蚀孔;将Au蒸镀于硅片表面,进一步通过退火在刻蚀孔内Au-Si界面处形成大规模的Au-Si二元合金焊接点作为纳米尺寸的夹持端;通过机械分离,在Au箔与Si表面制备Au纳米锥。该结构显著的提升了Au纳米锥与基底的结合力,为提高SERS探测器、以及太阳能电池的器件稳定性以及使用寿命提供新的技术手段。本发明的设计与制备工艺无特殊条件要求、操作容易、设备要求简单,特别适合商业化大规模生产。
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公开(公告)号:CN111185590A
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN202010024256.1
申请日:2020-01-10
Applicant: 烟台南山学院
Abstract: 本发明属于新型光波导制备技术领域,具体为基于低温等离子体制备高度有序银纳米链结构的方法包括a.清洗硅片、b.配制一维银纳米线悬浊液、c.铺展、d.干燥步骤与现有技术不同的是,还包括:e.低温等离子体轰击:采用国产CVD管式炉,同时搭载250W射频电源,射频频率13.56 MHZ,将样品置于管式炉内,Ar气氛压强0.2Pa条件下启辉,射频功率60W~150W,处理时间3~5min,轰击过程中保证一维银纳米线的“准液态”温度低于其熔,得到高度有序银纳米链。本发明专利用简单的射频低温等离子体放电的手段,无特殊条件要求、操作容易、设备要求简单,因此特别适合商业化大规模生产。
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公开(公告)号:CN111185590B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202010024256.1
申请日:2020-01-10
Applicant: 烟台南山学院
Abstract: 本发明属于新型光波导制备技术领域,具体为基于低温等离子体制备高度有序银纳米链结构的方法包括a.清洗硅片、b.配制一维银纳米线悬浊液、c.铺展、d.干燥步骤与现有技术不同的是,还包括:e.低温等离子体轰击:采用国产CVD管式炉,同时搭载250W射频电源,射频频率13.56 MHZ,将样品置于管式炉内,Ar气氛压强0.2Pa条件下启辉,射频功率60W~150W,处理时间3~5min,轰击过程中保证一维银纳米线的“准液态”温度低于其熔,得到高度有序银纳米链。本发明专利用简单的射频低温等离子体放电的手段,无特殊条件要求、操作容易、设备要求简单,因此特别适合商业化大规模生产。
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公开(公告)号:CN112609096B
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202011465727.9
申请日:2020-12-14
Applicant: 烟台南山学院
Abstract: 本发明涉及一种耐热高强Al‑Li‑Cu‑Ce合金板材的制备方法,本发明通过Ce的微合金化和其制备过程的全流程的工艺有效控制,提高了Al‑Li‑Cu合金的耐热性能(热暴露和高温拉伸),实现耐热高强Al‑Li‑Cu‑Ce合金板材的制备。一方面,通过提高合金中的Cu/Li和时效前预变形的协同作用增加合金中具有耐热潜质的T1(Al2CuLi)相的析出比例,同时微量Ce的添加可以通过抑制合金中主元素Cu扩散的方式有效抑制T1(Al2CuLi)相的粗化和含Ce金属间化合物的细化,极大地提高了该合金的热稳定性和高温变形均匀性。设备要求简单,可重复性强,适合大规模商业化生产,可作为航空航天领域用新型飞行器耐热结构件材料,具有现实的应用价值。
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公开(公告)号:CN112695235A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011367614.5
申请日:2020-11-30
Applicant: 烟台南山学院
Abstract: 本发明公开了一种高合金化Al‑Zn‑Mg‑Cu‑Ce合金的单级均匀化热处理方法,涉及有色金属合金领域。利用真空气氛炉对高合金化Al‑Zn‑Mg‑Cu‑Ce合金在均匀化热处理过程中微观组织的有效调控功效。如凝固相T(AlZnMgCu)相的充分溶解并转化为耐高温相Al2CuMg,同时促进了亚微米级相Al8Cu4Ce相的形成;耐高温相Al8Cu4Ce和Al2CuMg相粒子为合金在后续的热加工过程中发生粒子促进形核的动态再结晶过程提供了可能,以此保证合金在热加工过程中的动态软化。本方法为高合金化该合金结构材料后续热加工提供了有效技术手段,为相关材料开发及产业化应用提供了新思路。由于方法对设备要求简单、操作容易、大范围、可控性好,具有很好的重现性,而且成本大大降低。因此特别适合商业化大规模生产。
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公开(公告)号:CN112609096A
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN202011465727.9
申请日:2020-12-14
Applicant: 烟台南山学院
Abstract: 本发明涉及一种耐热高强Al‑Li‑Cu‑Ce合金板材的制备方法,本发明通过Ce的微合金化和其制备过程的全流程的工艺有效控制,提高了Al‑Li‑Cu合金的耐热性能(热暴露和高温拉伸),实现耐热高强Al‑Li‑Cu‑Ce合金板材的制备。一方面,通过提高合金中的Cu/Li和时效前预变形的协同作用增加合金中具有耐热潜质的T1(Al2CuLi)相的析出比例,同时微量Ce的添加可以通过抑制合金中主元素Cu扩散的方式有效抑制T1(Al2CuLi)相的粗化和含Ce金属间化合物的细化,极大地提高了该合金的热稳定性和高温变形均匀性。设备要求简单,可重复性强,适合大规模商业化生产,可作为航空航天领域用新型飞行器耐热结构件材料,具有现实的应用价值。
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公开(公告)号:CN112226636A
公开(公告)日:2021-01-15
申请号:CN202010935579.6
申请日:2020-09-08
Applicant: 烟台南山学院
Abstract: 本发明涉及一种高强耐蚀Al‑Zn‑Mg‑Cu‑Zr‑Ce合金的制备方法,利用微量Ce添加对Al‑Zn‑Mg‑Cu‑Zr合金微观组织的有效调控功效,在保证合金强度的同时,尽可能提高合金的抗腐蚀性能。此外,辅以回归再时效的热处理工艺解决了微量Ce添加导致合金晶界析出相含Cu量相对较低,对合金耐腐蚀性能造成一定负面影响的问题。本发明专利用的手段,无特殊条件要求、工艺条件成熟,因此特别适合商业化大规模生产。
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