公开(公告)号：CN118150521A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211550545.0

申请日：2022-12-05

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) ,  电子科技大学

Inventor： 郭小伟 ,  李若禺 ,  陈跃冲 ,  王世强 ,  李欣欣 ,  李帆 ,  周轶凡

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/03

Abstract: 本发明提供了一种基于对称结构的高灵敏度高Q值的折射率传感器。该传感器由二维光子晶体波导集成组成，包含输入、输出波导端口和两种不同类型的空腔，两个不同类型的空腔构成两个上下对称的Fano共振结构。两类空腔分别产生Fano共振所需的离散态和连续态，二者耦合形成非对称的Fano共振线形。基于该对称结构的传感器可有效提高共振强度，对待测介质的折射率变化更加敏感，器件的灵敏度和Q值都得到有效提高。

公开(公告)号：CN117377334A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202211582276.6

申请日：2022-12-09

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) ,  电子科技大学

Inventor： 郭小伟 ,  何逸洲 ,  邬云舒 ,  王世强 ,  严宏凯

IPC: H10K39/15 ,  H10K30/20 ,  H10K85/00 ,  H01L31/04 ,  H01L31/028

Abstract: 本发明提出了一种无中间层的钙钛矿量子点/硅叠层太阳能电池及其制备方法，其电池结构包括：有源层为窄带隙(1.4～1.6eV)和宽带隙(1.65～1.95eV)的钙钛矿量子点层的顶部电池，有源层为晶硅(1.12eV)的底部电池的，不需要中间互连层。顶部钙钛矿电池为p‑i‑n或n‑i‑p结构，从上至下依次为透明电极层，缓冲层，空穴/电子传输层，窄带隙钙钛矿量子层，宽带隙钙钛矿量子点层，电子/空穴传输层；底部硅电池为同质结或异质结结构，从上至下依次为p型区域，晶体硅区域，钝化层，n型区域。制备方法包括：1)通过热扩散法或者PECVD制备出底部的同质结硅电池或异质结硅电池；2)通过旋涂法、真空热蒸发法、磁控溅射制备出顶部钙钛矿电池。本发明的优点是：相对于传统的中间互连层结构，工艺更加简单且成本低；因为没有中间互连层，降低了寄生吸收，从而提升了效率；两层量子点层构成的异质结结构提升了载流子的扩散长度，有利于光生载流子的分离和提取。