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公开(公告)号：CN118173445A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211580072.9
申请日：2022-12-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
IPC: H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种将DNA折纸图案精确放置在基底表面的方法，其包括以下步骤：利用DNAbrick法设计DNA折纸结构图，将所有链进行混合并退火，形成DNA图案。对基底表面处理呈疏水性，并利用等离子体刻蚀法形成掩膜版。将掩膜版置于基底上，用APTES处理表面形成带正电单分子层，将DNA图案沉积于基底上，带负电DNA结构会特异性吸附于带正电APTES区域，实现了DNA图案的精确放置。优点：实现了DNA图案的确定性沉积，提高了实验产率及精度，为电子芯片图案提供一种精确定位方法。
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公开(公告)号：CN118150521A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211550545.0
申请日：2022-12-05
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于对称结构的高灵敏度高Q值的折射率传感器。该传感器由二维光子晶体波导集成组成，包含输入、输出波导端口和两种不同类型的空腔，两个不同类型的空腔构成两个上下对称的Fano共振结构。两类空腔分别产生Fano共振所需的离散态和连续态，二者耦合形成非对称的Fano共振线形。基于该对称结构的传感器可有效提高共振强度，对待测介质的折射率变化更加敏感，器件的灵敏度和Q值都得到有效提高。
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公开(公告)号：CN118169784A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211573672.2
申请日：2022-12-08
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
Abstract: 本发明设计了一种可见光波段的高数值孔径的消色差超透镜。该消色差超透镜由多个相同单元阵列组成，每个单元以方形的玻璃相位块为衬底，衬底上是有低损耗氢化非晶硅(a‑Si:H)组成的超原子阵列，上下两层结构组成一个单元，四个单元组成一个组，每个组内的任意同方向单元的蓝色超原子需分别替换为红色超原子或绿色超原子，最后每个组内只存在两种颜色的超原子，可以根据实际需求，来构成任意尺寸的超透镜。本发明通过采用在可见光波段内具有低色散的高透过率材料，制备了基于空间交错法的超透镜，可在三个波长内，实现高分辨率、高效率、偏振不敏感的消色差成像。本发明设计结构简单，简化了超透镜的制备工艺，提高了超透镜的数值孔径和聚焦效率，增加了消色差超透镜设计自由度并拓宽了其应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117451655A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311232788.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种基于加热丝环形走线方法的MEMS红外光源及其制备方法。所述红外光源的结构自下而上依次为衬底、复合介质层和辐射增强层。复合介质层为电阻层外包覆薄膜层，加热丝电阻为环形走线设计，均匀分布在辐射区域，有效地提高电阻丝的热稳定性。薄膜层是由氧化硅和氮化硅复合而成的复合膜，起到支撑和保护的作用，所述衬底中央区域留有矩形空气间隙形成隔热区域，使整个红外光源底面悬空。本发明采用化学气相沉积法的工艺制备多晶硅，利用反应离子刻蚀获得圆柱形微纳结构，并将金属溅射在其表面形成纳米结构辐射层，提高发射率。基于该加热丝环形走线方法的MEMS红外光源具有功耗低、辐射特性好、温度分布均匀的特点，进一步提高了光源的性能。
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公开(公告)号：CN118010677A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311451566.1
申请日：2023-11-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明提供了一种基于拓扑光子晶体角态模式的Fano共振折射率传感器，该构由二维拓扑谷光子晶体波导和波导上下两侧的拓扑缺陷腔组成，拓扑直波导和拓扑缺陷腔均由上下两部分不同拓扑性质的圆形谷光子晶体圆孔在介质背景下呈蜂窝状晶格方式周期性排列而形成。波导里的入射光激发出拓扑缺陷腔里的拓扑角态模式，两个角态模式最终干涉耦合形成拓扑Fano共振，形成的Fano共振其Q值为3.3*104，灵敏度为140nm/RIU，FOM值为7489，具有高Q值和对缺陷杂质具有鲁棒性的特点。
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公开(公告)号：CN117348154A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311232750.7
申请日：2023-09-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于拓扑光子结构的硅发光实现方法其包括以下结构：硅发光结构由生长在硅基底上的周期性排布的微纳级柱状晶栅和硅基底构成，微纳级柱状晶栅呈周期性排布，作为垂直腔激光阵列。每个微纳级柱状晶栅由上下布拉格反射镜与中间硅量子点构成，每个微纳级别的柱状晶栅高3～7微米，横截面直径1.5～3微米。相邻微纳级柱状晶栅依间距大小分为压缩结构与拉伸结构，两种结构拥有不同的拓扑不变量，二者交界处满足了拓扑边缘态，形成能量定向流动腔，在硅量子点吸收波长处形成角态模式，能量高度集中，显著提升此处外量子效率，形成拓扑光子发光界面。通过改变压缩结构区域与拉伸结构区域分布，可以改变拓扑发光界面形状。也可以通过选用不同规格以及不同表面处理的的硅量子点构建微纳级柱状晶栅，实现不同频率的激发光。通过选用不同几何形状的微纳级柱状晶栅，或对微纳级柱状晶栅进行不同的几何形状周期性排列，以适应不同的发光需求。优点是结合了硅量子点技术与拓扑光子结构，利用成熟的硅制造工艺，有利于商业生产。
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公开(公告)号：CN117470794A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311338014.X
申请日：2023-10-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01N21/3504 , B81B7/02 , B81B7/04 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及光学器件领域，具体涉及一种基于超表面的红外窄带热辐射光源实现方法。所述的光源结构从上到下依次为密封层、超表面微阵列结构、绝缘层、金属加热层、复合介质支撑层、金属反射层和硅基衬底层。超表面结构由图案化的金属或介质微结构组成，表面覆盖有密封层。金属加热层与超表面微阵列结构之间用绝缘层隔开。金属加热层下方是复合介质支撑层，支撑层由两层薄膜组成，形成四端梁固支悬膜结构。硅基衬底层中具有一个矩形空腔，腔底集成了金属反射层。所述的基于超表面的红外窄带热辐射光源通过调整超表面结构参数可任意调谐发射波长，无需借助滤光装置即可实现窄带发射光谱，用作气体传感器光源能够有效减小器件尺寸并与CMOS工艺兼容，利于大规模生产和片上集成。
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公开(公告)号：CN117241597A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311338013.5
申请日：2023-10-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提出了一种埋栅式背接触非掺杂硅基太阳能电池结构及其制备方法。该电池包括依次层叠设置的减反层、前表面钝化层、N型单晶硅衬底、电子传输层、阴极电极、空穴传输层、阳极电极。其中，电子传输层和空穴传输层均采用载流子选择性材料。电子传输层和阴极电极呈栅状结构叠设于硅衬底的后表面，埋设在单晶硅衬底和空穴传输层之间，这种埋栅式的结构有利于简化制备工艺。在电池制备过程中，采用旋涂法制备电子和空穴传输层，并结合直接掩膜和一次刻蚀的方法来形成埋栅式结构，极大地简化了制备工艺流程，节约制造成本。
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