通过加工单晶而制造多个半导体晶片的方法

    公开(公告)号:CN102280380A

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201110113401.4

    申请日:2011-04-27

    CPC classification number: C30B33/06 Y10T156/1052

    Abstract: 本发明涉及通过加工单晶而制造多个半导体晶片的方法,所述单晶的中心纵轴的取向偏离所期望的半导体晶片晶格取向。该方法包括将以生长状态存在的单晶沿着垂直于晶轴的切面切割成至少一个晶块,所述晶轴代表所期望的半导体晶片晶格取向;围绕所述晶轴磨削所述晶块的侧面;及将经磨削的晶块沿着垂直于晶轴的切面切割成多个半导体晶片。

    通过加工单晶而制造多个半导体晶片的方法

    公开(公告)号:CN102280380B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201110113401.4

    申请日:2011-04-27

    CPC classification number: C30B33/06 Y10T156/1052

    Abstract: 本发明涉及通过加工单晶而制造多个半导体晶片的方法,所述单晶的中心纵轴的取向偏离所期望的半导体晶片晶格取向。该方法包括将以生长状态存在的单晶沿着垂直于晶轴的切面切割成至少一个晶块,所述晶轴代表所期望的半导体晶片晶格取向;围绕所述晶轴磨削所述晶块的侧面;及将经磨削的晶块沿着垂直于晶轴的切面切割成多个半导体晶片。

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