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公开(公告)号:CN102280380A
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201110113401.4
申请日:2011-04-27
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B28D5/04
CPC classification number: C30B33/06 , Y10T156/1052
Abstract: 本发明涉及通过加工单晶而制造多个半导体晶片的方法,所述单晶的中心纵轴的取向偏离所期望的半导体晶片晶格取向。该方法包括将以生长状态存在的单晶沿着垂直于晶轴的切面切割成至少一个晶块,所述晶轴代表所期望的半导体晶片晶格取向;围绕所述晶轴磨削所述晶块的侧面;及将经磨削的晶块沿着垂直于晶轴的切面切割成多个半导体晶片。
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公开(公告)号:CN101728259B
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN200910204002.1
申请日:2009-09-30
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , H01L29/02 , B28D5/00 , B28D5/04
CPC classification number: B28D5/0082 , B28D5/045 , Y10T83/0405 , Y10T156/1052 , Y10T428/192
Abstract: 一种借助线状锯同时将半导体材料复合棒切割成多个晶片的方法,包括如下步骤:a)从工件库存中选择至少两个从一个或多个半导体棒切割下来的工件;b)研磨每个棒的两个端面的至少一个;c)利用紧固装置在其被研磨端面上将所述至少两个工件粘合在一起,以生产复合棒工件,并沿纵向将所述复合棒固定在安装板上,由于定位于它们之间的所述紧固装置,工件之间仅分别有一距离;d)将其上固定有所述复合棒工件的安装板夹在线状锯中;以及e)借助所述线状锯垂直于其纵轴切割所述复合棒。
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公开(公告)号:CN102280380B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201110113401.4
申请日:2011-04-27
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B28D5/04
CPC classification number: C30B33/06 , Y10T156/1052
Abstract: 本发明涉及通过加工单晶而制造多个半导体晶片的方法,所述单晶的中心纵轴的取向偏离所期望的半导体晶片晶格取向。该方法包括将以生长状态存在的单晶沿着垂直于晶轴的切面切割成至少一个晶块,所述晶轴代表所期望的半导体晶片晶格取向;围绕所述晶轴磨削所述晶块的侧面;及将经磨削的晶块沿着垂直于晶轴的切面切割成多个半导体晶片。
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公开(公告)号:CN101728259A
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200910204002.1
申请日:2009-09-30
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , H01L29/02 , B24B37/04 , B28D5/04
CPC classification number: B28D5/0082 , B28D5/045 , Y10T83/0405 , Y10T156/1052 , Y10T428/192
Abstract: 一种借助线状锯同时将半导体材料复合棒切割成多个晶片的方法,包括如下步骤:a)从工件库存中选择至少两个从一个或多个半导体棒切割下来的工件;b)研磨每个棒的两个端面的至少一个;c)利用紧固装置在其被研磨端面上将所述至少两个工件粘合在一起,以生产复合棒工件,并沿纵向将所述复合棒固定在安装板上,由于定位于它们之间的所述紧固装置,工件之间仅分别有一距离;d)将其上固定有所述复合棒工件的安装板夹在线状锯中;以及e)借助所述线状锯垂直于其纵轴切割所述复合棒。
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