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公开(公告)号：CN1349252A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01138570.7
申请日：2001-08-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G03F7/70483 , G01N21/9501 , G01N21/956
Abstract: 一个图案检查设备7被用于光刻的半导体生产线1中。图案检查设备7测量通过曝光设备4中的曝光过程形成在半导体晶片100上的绝缘图案和L/S图案二者的线宽,并且基于测量的结果产生要用来校正曝光设备4中的光量的光量校正信息,要用来校正曝光聚焦位置的聚焦校正信息等等。于是,相应于通过图案检查设备7产生的这些校正信息,曝光设备4中的曝光被校正。于是,通过曝光设备4形成的抗蚀图案能够被快速地检查从而允许基于检查结果实时地校正曝光设备4的参数,并且高准确地控制曝光设备4的参数。
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公开(公告)号：CN1256759A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99800230.5
申请日：1999-02-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02B27/00
CPC classification number: G02B6/2861 , G02B6/264 , G02B6/4206
Abstract: 提供一种结构简易的减小光相干性的减小相干性的方法及其装置,生成可抑制斑纹并且强度高的照明光的照明方法及其装置以及实现这些方法及装置的束式光纤。在其中相干光(α)入射到由长度差超过此相干光的相干长度的、长度相互不同的多根光纤(2a)、(2b)…构成的束式光纤(1)的入射端部(3),从此束式光纤(1)的光射出侧光纤束部(4)射出非相干光束。
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公开(公告)号：CN101093929B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710112080.X
申请日：2007-06-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , H01S3/0675 , H01S3/1305 , H01S3/1608 , H01S3/1618 , H01S5/0092 , H01S5/0687 , H01S5/12 , H01S5/141
Abstract: 本发明公开了一种波长转换装置。该波长转换装置包括至少一个基波光源和一个外部谐振器，其中，如式1和2所示地选择用于从基波光源向外部谐振器输入光的输入耦合元件的反射率Rin，其中，基波光源的频率抖动为Δfjitter，外部谐振器的谐振器长度为Lcav，外部谐振器的频率线宽为Δvcav，外部谐振器的总内部损耗为δ，光速为c，其中Δvcav＜200MHzΔvcav≥Δfjitter(2)。
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公开(公告)号：CN101093929A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112080.X
申请日：2007-06-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , H01S3/0675 , H01S3/1305 , H01S3/1608 , H01S3/1618 , H01S5/0092 , H01S5/0687 , H01S5/12 , H01S5/141
Abstract: 本发明公开了一种波长转换装置。该波长转换装置包括至少一个基波光源和一个外部谐振器，其中，如式1和2所示地选择用于从基波光源向外部谐振器输入光的输入耦合元件的反射率Rin，其中，基波光源的频率抖动为Δfjitter，外部谐振器的谐振器长度为Lcav，外部谐振器的频率线宽为Δvcav，外部谐振器的总内部损耗为δ，光速为c。
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