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公开(公告)号：CN102403650A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110369269.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/062
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101247023B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200810004649.5
申请日：2008-01-21
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01L33/145 , H01S5/18338
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。
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公开(公告)号：CN102420387B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110358564.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101640374B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910160685.5
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101640374A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910160685.5
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163803B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110069915.4
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18347 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0014 , H01S5/0042 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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公开(公告)号：CN102163803A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110069915.4
申请日：2007-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18347 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01S5/0014 , H01S5/0042 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
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公开(公告)号：CN101247023A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810004649.5
申请日：2008-01-21
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01L33/145 , H01S5/18338
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。
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公开(公告)号：CN102403650B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110369269.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/062
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN102420387A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110358564.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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