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公开(公告)号：CN101326858A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046430.0
申请日：2006-12-07
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 提供了一种能够通过保护膜来保护发光器件并且能够防止发光器件的性能下降从而维持良好的显示特性的显示装置，所述保护膜具有良好的密封特性以及侧壁阶梯覆盖。包括在基板2上设置的并且通过保护膜4保护的有机电致发光器件3的显示装置1的特征在于，保护膜4由氮化硅膜4a、4b和4c构成，所述氮化硅膜4a、4b和4c是通过使用氨气的化学气相沉积方法以层的方式形成的，高密度氮化硅膜4c被设置在保护膜4的表层中，并且密度低于高密度氮化硅膜4c的低密度氮化硅膜4b被设置在高密度氮化硅膜4c下面。
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公开(公告)号：CN101154669A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153197.2
申请日：2007-09-29
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/532 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/1248
Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄膜半导体装置及显示装置，通过对污染物质的阻断作用强且能够通过氢供给而对多晶硅膜进行缺陷修补的层间绝缘膜，而覆盖多晶硅膜，从而具有稳定的优良特性。该薄膜半导体装置具有由通过激光照射而实施结晶化退火处理的多晶硅膜构成的半导体薄膜(9)和覆盖半导体薄膜(9)的层间绝缘膜(11)，其中，层间绝缘膜(11)从半导体薄膜(9)侧按照成为氢供给部的含氢氮化硅膜(11－2)和成为对污染物质的阻断部的致密的膜质的阻断氮化硅膜(11－4)的顺序进行层积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101527350B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910118337.1
申请日：2009-02-27
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/5275 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5265 , H01L2251/5315
Abstract: 公开了一种显示装置及电子设备。所述显示装置包括：具有用于使产生的光谐振的谐振结构的显示区；被形成用于覆盖所述显示区的保护膜；被形成在所述保护膜上的树脂层；以及通过所述树脂层附着的密封层，其中所述保护膜包括单个氮化硅层，并在450nm的波长时具有介于1.65与1.75之间的折射率。
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公开(公告)号：CN101527350A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910118337.1
申请日：2009-02-27
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/5275 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5265 , H01L2251/5315
Abstract: 公开了一种显示装置及电子设备。所述显示装置包括：具有用于使产生的光谐振的谐振结构的显示区；被形成用于覆盖所述显示区的保护膜；被形成在所述保护膜上的树脂层；以及通过所述树脂层附着的密封层，其中所述保护膜包括单个氮化硅层，并在450nm的波长时具有介于1.65与1.75之间的折射率。
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公开(公告)号：CN100385623C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN03801404.1
申请日：2003-03-19
Applicant: 日商佳能安内华股份有限公司 , 株式会社爱发科 , 索尼株式会社 , 东京毅力科创株式会社 , 株式会社日立国际电气 , 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到反应室。
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公开(公告)号：CN100555571C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN03801403.3
申请日：2003-03-19
Applicant: 日商佳能安内华股份有限公司 , 株式会社爱发科 , 索尼株式会社 , 东京毅力科创株式会社 , 株式会社日立国际电气 , 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45593 , C23C16/4405 , H01L21/02046 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到所述废气通道上游侧，而且，等离子体生成装置安装在所述废气循环通道上。
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公开(公告)号：CN1290157C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03801231.6
申请日：2003-03-13
Applicant: 日商佳能安内华股份有限公司 , 株式会社爱发科 , 关东电化工业株式会社 , 索尼株式会社 , 大金工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝 , 株式会社日立国际电气 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的目的是提供一种化学气相沉积设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜步骤中附着并沉积在反应室内壁、电极等的表面上。此外，本发明的目的是提供一种清洗方法，其中排放的清洗气的量非常小，对于环境的影响如全球变暖也下降，以及降低了成本。将能量施加到氟化合物上使氟化合物反应，从而生成氟气和除了氟气之外的组分。此外，生成的氟气和除了氟气之外的组分相互分离，以分离和精炼所述氟气。在使用化学气相沉积设备对基底材料进行成膜处理之后，接着将分离和精炼的氟气转变成等离子体以除去附着杂所述反应室中的副产物。
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