公开(公告)号：CN107615671B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201680029574.9

申请日：2016-04-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 串冈洋一 ,  高岛光博

IPC: H04B1/10

CPC classification number: H04B1/1027 ,  H04B1/10 ,  H04B1/123 ,  H04B1/7107 ,  H04L25/0328

Abstract: 课题：提供一种能够除去来自其他系统的干扰信号、使希望信号的通信品质提高的噪声消除器装置。解决手段：将由副天线(12)接收到的干扰信号用第1相关值计算部(13)进行互相关的处理，由第1峰值检测部(14)检测干扰信号的峰值，由第1干扰信号信息取得部(15)取得干扰信号信息，由干扰信号合成部(16)将干扰信号合成，由第2相关值计算部(18)进行由主天线(11)接收到的信号与合成后的干扰信号的相关处理，第2峰值检测部(19)检测合成后的干扰信号的峰值，由第2干扰信号信息取得部(20)取得干扰信号信息，由干扰信号复制品生成部(21)生成干扰信号复制品，由干扰信号除去部(23)从由主天线(11)接收到的信号中将干扰信号复制品减去。

公开(公告)号：CN105321847B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201410459438.6

申请日：2014-09-10

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 田边光朗 ,  柳泽爱彦 ,  汤浅和宏 ,  境正宪 ,  坪田康寿

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4585 ,  B05C9/14 ,  B05C11/1015 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H05B1/0233

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法，解决了如下问题：衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收，结果，难以使衬底面内的温度均匀。具有：腔室盖部，具有第一加热机构；衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；控制部，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。

公开(公告)号：CN108615693A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201710697329.1

申请日：2017-08-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: G03F7/70866 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制产生微粒的衬底处理装置、光刻用模板的制造方法、记录程序的记录介质。根据本发明的一个方案，提供如下技术，具有：衬底载置台，其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与上述凸部一起构成空间的底部，该衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有上述非接触区域；处理室，其具有上述衬底载置台；处理气体供给部，其向上述处理室供给处理气体；和热气体供给部，其向上述空间供给热气体。

公开(公告)号：CN105489473B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201510543534.3

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 小仓慎太郎 ,  笹岛亮太

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/30 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法及衬底处理装置，能够抑制在衬底上形成膜时的颗粒的产生。所述半导体器件的制造方法包括下述工序：将非同时地进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、从处理室内排出原料气体的工序、对处理室内的衬底供给含氧气体的工序、从处理室内排出含氧气体的工序、对处理室内的衬底供给含氢气体的工序、及从处理室内排出含氢气体的工序作为一循环，通过以规定次数进行该循环，在衬底上形成膜；所述半导体器件的制造方法中，使排出含氧气体的工序及排出含氢气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出原料气体的工序中大。

公开(公告)号：CN105304525B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510401574.4

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。通过本发明，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、以及提高制造生产能力，并抑制颗粒产生。本发明的衬底处理装置具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体。

公开(公告)号：CN104752273B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410092872.5

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  小川有人

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

公开(公告)号：CN108400092A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201711083530.7

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  大桥直史

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32183 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67011

Abstract: 提供一种能够提高使膜特性改变的处理后的衬底的特性的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。包括：收容衬底的处理容器；衬底支承部，在处理容器内支承衬底，具有支承电极；与衬底支承部相对的上部电极；第一阻抗控制部，其一端连接于上部电极；第二阻抗控制部，其一端连接于支承电极；处理气体供给部，向衬底供给处理气体；活化部，其在处理容器的外侧，经由绝缘部连接于电力供给部，使处理气体活化；以及第三阻抗控制部，其一端连接于绝缘部与活化部之间。

公开(公告)号：CN108389812A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810102012.3

申请日：2018-02-01

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/033

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/167 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明涉及平版印刷用模板的制造方法、记录介质及衬底处理装置。本发明的目的在于，提供可提高模板的品质的技术。本发明的解决手段为下述技术，其具有将衬底搬入处理室的工序，所述衬底在中央具有图案形成区域、在其外周具有非接触区域；衬底载置台具有支承非接触区域的背面的凸部、和与凸部共同构成空间的底部，使衬底载置台中的凸部支承非接触区域的背面的工序；在向处理室供给第二热气体的状态下，向空间供给第一热气体从而加热衬底的工序；和在加热的工序之后，在向空间供给上述第一热气体的状态下，向处理室供给处理气体从而处理衬底的工序。

公开(公告)号：CN108122736A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711230835.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 花岛建夫 ,  佐佐木隆史 ,  平松宏朗 ,  镰仓司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质，能够控制在基板上形成的膜的面内膜厚分布。本发明的半导体装置的制造方法具有通过将不同时进行(a)工序和(b)工序的循环进行预定次数从而在基板上形成膜的工序，(a)工序为对于基板由第1喷嘴供应原料来形成第1层的工序，(b)工序为对于基板由与第1喷嘴不同的第2喷嘴供应反应体来形成第2层的工序，在(a)工序中，依次进行(a-1)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量小的第1流量来供应非活性气体的工序和(a-2)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量大的第2流量来供应非活性气体的工序。

公开(公告)号：CN104752163B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410412612.1

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  山本哲夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及高效率地除去喷头内的副产物、并抑制颗粒生成的半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置。本发明的半导体器件的制造方法，具有：成膜工序，通过喷头向处理室内的衬底上供给成膜气体和非活性气体，在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，在所述处理室内没有衬底的状态下，将温度比所述成膜工序时供给的所述非活性气体低的非活性气体供给到所述喷头，由此除去因所述成膜工序而堆积在所述喷头内的堆积膜。