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公开(公告)号：CN101038868B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200710103569.0
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296
Abstract: 本发明公开了一种通过在半导体薄膜上连续照射能量光束同时以特定的速度扫描来结晶半导体薄膜的方法，其中，半导体薄膜完全熔化，并且设定能量束的照射条件，使得结合使用能量束的扫描使处于能量束的中心位置的半导体薄膜最后结晶。
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公开(公告)号：CN100573886C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710107310.3
申请日：2007-05-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/04 , G02F1/1368
Abstract: 一种显示装置，包括设置的驱动基板，其上排列有多个像素电极以及用于驱动像素电极的薄膜晶体管。每个薄膜晶体管均包括具有通过能量束照射而多结晶化的有源区的半导体薄膜以及被设置以横跨有源区的栅电极，并且在与栅电极重叠的有源区的沟道部中，沿沟道长度方向周期性地改变结晶状态，并且基本相同的结晶状态横跨沟道部。
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公开(公告)号：CN101038867A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710103567.1
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1203 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种通过在半导体薄膜上连续辐射能量束的同时以给定速度扫描而结晶半导体薄膜的方法，其中所述能量束以平行线扫描，同时保持节距不大于所述能量束的辐射直径，以在不同于所述能量束的扫描方向的方向上生长带状晶粒。
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公开(公告)号：CN101038867B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200710103567.1
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1203 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种通过在半导体薄膜上连续辐射能量束的同时以给定速度扫描而结晶半导体薄膜的方法，其中所述能量束以平行线扫描，同时保持节距不大于所述能量束的辐射直径，以在不同于所述能量束的扫描方向的方向上生长带状晶粒。
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公开(公告)号：CN101038937A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710086328.X
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/04 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及一种薄膜半导体器件及其制造方法。所述薄膜半导体器件包括：半导体薄膜，设置以具有通过用能量束辐射而被转变为多晶区的有源区；和栅电极，设置以横过有源区。在为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中，在沟道长度方向周期地改变晶态，且每个具有基本相同晶态的区域横过沟道部分。因为沟道部分的多晶化，以高精度控制了载流子迁移率而且确保了元件特性随时间小的变化和高的载流子迁移率。在该薄膜半导体器件中，元件特性好且元件之间的特性变化小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101150057B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710154784.3
申请日：2007-09-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/22 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/268 , H01L29/78618
Abstract: 一种薄膜半导体装置及其制造方法，在该制造方法中，在存在n型或p型杂质的情况下以能量束点照射半导体薄膜，以形成浅扩散层，在该浅扩散层中，所述杂质仅在半导体薄膜的表面层中扩散。
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公开(公告)号：CN101038937B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710086328.X
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/04 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及一种薄膜半导体器件及其制造方法。所述薄膜半导体器件包括：半导体薄膜，设置以具有通过用能量束辐射而被转变为多晶区的有源区；和栅电极，设置以横过有源区。在为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中，在沟道长度方向周期地改变晶态，且每个具有基本相同晶态的区域横过沟道部分。因为沟道部分的多晶化，以高精度控制了载流子迁移率而且确保了元件特性随时间小的变化和高的载流子迁移率。在该薄膜半导体器件中，元件特性好且元件之间的特性变化小。
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公开(公告)号：CN101150057A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710154784.3
申请日：2007-09-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/22 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/268 , H01L29/78618
Abstract: 一种薄膜半导体装置及其制造方法，在该制造方法中，在存在n型或p型杂质的情况下以能量束点照射半导体薄膜，以形成浅扩散层，在该浅扩散层中，所述杂质仅在半导体薄膜的表面层中扩散。
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公开(公告)号：CN100587969C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710103568.6
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种薄膜半导体装置及其制备方法，该薄膜半导体装置包括：半导体薄膜，设置成具有通过使用能量束照射而转变为多晶区域的有源区域；和栅电极，设置成被提供来横穿过有源区域；其中连续的晶界在有源区域与栅电极交叠的沟道部分中沿栅电极延伸，并且晶界横穿过沟道部分和在沟道长度方向循环地被提供。
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公开(公告)号：CN101079432A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710107310.3
申请日：2007-05-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/04 , G02F1/1368
Abstract: 一种显示装置，包括设置的驱动基板，其上排列有多个像素电极以及用于驱动像素电极的薄膜晶体管。每个薄膜晶体管均包括具有通过能量束照射而多结晶化的有源区的半导体薄膜以及被设置以横跨有源区的栅电极，并且在与栅电极重叠的有源区的沟道部中，沿沟道长度方向周期性地改变结晶状态，并且基本相同的结晶状态横跨沟道部。
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