-
公开(公告)号：CN100573886C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710107310.3
申请日：2007-05-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/04 , G02F1/1368
Abstract: 一种显示装置，包括设置的驱动基板，其上排列有多个像素电极以及用于驱动像素电极的薄膜晶体管。每个薄膜晶体管均包括具有通过能量束照射而多结晶化的有源区的半导体薄膜以及被设置以横跨有源区的栅电极，并且在与栅电极重叠的有源区的沟道部中，沿沟道长度方向周期性地改变结晶状态，并且基本相同的结晶状态横跨沟道部。
-
公开(公告)号：CN101038867A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710103567.1
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1203 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种通过在半导体薄膜上连续辐射能量束的同时以给定速度扫描而结晶半导体薄膜的方法，其中所述能量束以平行线扫描，同时保持节距不大于所述能量束的辐射直径，以在不同于所述能量束的扫描方向的方向上生长带状晶粒。
-
公开(公告)号：CN1327262A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN01124308.2
申请日：2001-05-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/12
Abstract: 在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后,通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区,源区和漏区。然后,形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层,通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说,对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷,同时不会对衬底造成热损坏。
-
公开(公告)号：CN101038868B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200710103569.0
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296
Abstract: 本发明公开了一种通过在半导体薄膜上连续照射能量光束同时以特定的速度扫描来结晶半导体薄膜的方法，其中，半导体薄膜完全熔化，并且设定能量束的照射条件，使得结合使用能量束的扫描使处于能量束的中心位置的半导体薄膜最后结晶。
-
公开(公告)号：CN100380579C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200510107040.7
申请日：2005-09-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括采用激光束辐射非晶半导体薄膜以使非晶半导体薄膜结晶的退火步骤。在该退火步骤中，用激光束连续辐射半导体薄膜，并同时以预定速度移动激光束辐射的半导体薄膜的位置，从而可以从激光束辐射的区域中除去过剩氢，而不在半导体薄膜中发生氢离子的蒸发和扩散。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038867B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200710103567.1
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1203 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种通过在半导体薄膜上连续辐射能量束的同时以给定速度扫描而结晶半导体薄膜的方法，其中所述能量束以平行线扫描，同时保持节距不大于所述能量束的辐射直径，以在不同于所述能量束的扫描方向的方向上生长带状晶粒。
-
公开(公告)号：CN101038937A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710086328.X
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/04 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及一种薄膜半导体器件及其制造方法。所述薄膜半导体器件包括：半导体薄膜，设置以具有通过用能量束辐射而被转变为多晶区的有源区；和栅电极，设置以横过有源区。在为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中，在沟道长度方向周期地改变晶态，且每个具有基本相同晶态的区域横过沟道部分。因为沟道部分的多晶化，以高精度控制了载流子迁移率而且确保了元件特性随时间小的变化和高的载流子迁移率。在该薄膜半导体器件中，元件特性好且元件之间的特性变化小。
-
公开(公告)号：CN1655326A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510008156.5
申请日：2005-02-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1292 , H01L29/78618
Abstract: 在硅膜表面上施加含有掺杂离子的溶液形成溶液层，然后干燥成含有杂质的复合层。用能量束辐照进行热处理，使复合层中的掺杂原子向硅膜扩散，进入源区和漏区。然后除去复合层。
-
公开(公告)号：CN1298207A
公开(公告)日：2001-06-06
申请号：CN00128327.8
申请日：2000-11-24
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 町田晓夫 , 达拉姆·帕尔·高塞恩 , 野口隆 , 堆井节夫
IPC: H01L31/0376 , H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/204 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/202 , Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 对于制造像包括有机高分子聚合物材料的基体、氧化物电极薄膜和在氧化物电极薄膜上的各含有至少一种Ⅳ族元素的半导体薄膜的薄膜太阳能电池之类的半导体器件来说,例如,在像不含有氢气之类的非还原性气氛下用溅射堆积与氧化物电极薄膜接触的一层半导体薄膜。保证在氧化物电极薄膜和半导体薄膜之间的界面上基本上不含有直径达3纳米及以上的粒状产物。所以,在表面上有ITO薄膜那样的氧化物电极薄膜的塑料衬底上,能够堆积像非晶半导体薄膜之类的半导体薄膜带有增强的粘附力。
-
公开(公告)号：CN100587969C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710103568.6
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种薄膜半导体装置及其制备方法，该薄膜半导体装置包括：半导体薄膜，设置成具有通过使用能量束照射而转变为多晶区域的有源区域；和栅电极，设置成被提供来横穿过有源区域；其中连续的晶界在有源区域与栅电极交叠的沟道部分中沿栅电极延伸，并且晶界横穿过沟道部分和在沟道长度方向循环地被提供。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.02 seconds)
