公开(公告)号：CN109417034A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039956.4

申请日：2017-04-20

Applicant: V科技股份有限公司

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618

Abstract: 依赖于激光束的能量密度的偏差而玻璃基板包含的多个薄膜晶体管的特性产生偏差，在将玻璃基板使用于液晶显示装置的液晶的情况下，存在产生显示不均的问题。本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光束；投影透镜，其向被覆于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的互不相同的多个区域照射所述激光束，所述投影透镜以所述薄膜晶体管的源电极与漏电极之间通过多个沟道区域并联连接的方式向所述非晶硅薄膜的所述互不相同的多个区域照射所述激光束。

公开(公告)号：CN105280716B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201510587300.9

申请日：2015-09-16

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 叶家宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法至少包括下列步骤。在基板上依序形成半导体层、金属层与辅助层。在金属层及辅助层位于半导体层上方的情况下，对半导体层进行结晶程序以形成有源层。于形成有源层后，图案化金属层以形成源极与漏极。形成栅极绝缘层以及形成栅极。栅极绝缘层位于栅极以及源极与漏极之间。

公开(公告)号：CN104956466B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201380068763.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 恩耐公司

Inventor： R·J·马丁森 ,  S·R·卡尔森 ,  K·格罗斯

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0624 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686

Abstract: 来自脉冲式光纤激光器的激光脉冲被导引至非晶硅层以通过重复的熔化和再结晶而产生包括结晶区域的无序排列的多晶硅层。可使用在10kHz至10MHz的重复率下、在约500nm与1000nm之间的波长范围下的约0.5到5ns的激光脉冲持续时间。可通过利用多模光纤中的拉曼散射使激光脉冲频谱展宽或通过将不同相位延迟应用到用激光脉冲形成的光束的不同部分来改善直线光束强度均一性，以减小光束相干性。

公开(公告)号：CN104835725B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510198987.7

申请日：2008-05-30

Applicant: 株式会社 ,  IHI

Inventor： 河口纪仁 ,  川上隆介 ,  西田健一郎 ,  M.正木 ,  森田胜

IPC: H01L21/268 ,  B23K26/073 ,  B23K26/04

CPC classification number: B23K26/0608 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及激光退火方法以及装置。在透镜阵列方式的均化器光学系统的情况下，一边使长轴用透镜阵列（20a、20b）在与线状光束的长轴方向对应的方向（X方向）往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜（长轴用聚光透镜22）的激光（1）的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，纵向条纹被大幅度降低。另外，一边使短轴用透镜阵列（26a、26b）在与线状光束的长轴方向对应的方向（Y方向）往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜（投影透镜30）的激光（1）的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，横向条纹被大幅度降低。

公开(公告)号：CN104051244B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201410095844.9

申请日：2014-03-14

Applicant: 恩耐公司

Inventor： J·M·哈登 ,  S·R·卡尔森 ,  R·J·马丁森

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/08 ,  H01L21/02 ,  H01S5/042 ,  H01S5/40 ,  B23K26/0622 ,  B23K1/005

CPC classification number: H01S5/0428 ,  B23K1/0056 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/352 ,  B29C65/1616 ,  B29C65/1664 ,  B29C65/1674 ,  B29C66/91443 ,  B29C66/919 ,  B29C66/949 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01S5/4012

Abstract: 诸如对非晶硅进行退火，以形成多晶硅的处理使用曝光至由激光二极管或激光二极管阵列提供的脉冲激光束。基于来自相应的激光二极管的多个束的光束被成形且被引导到衬底。所述激光二极管的占空比被选择成小于约0.2，使得°s可以大于连续波运行中可用的。刚性衬底或柔性衬底上的非晶硅层被处理，以产生具有至少50cm2/Vs的迁移率的多晶硅层。

公开(公告)号：CN103700695B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310728614.7

申请日：2013-12-25

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 张隆贤

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02678 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括生长非晶硅薄膜层的步骤，首先在所述非晶硅薄膜层上生长一氧化硅层；然后在所述氧化硅层上制备多个凹形弧面，所述凹形弧面可使垂直照射于所述氧化硅层的激光束发生折射；最后采用准分子激光束从所述氧化硅层照射到所述非晶硅薄膜层上，使所述非晶硅薄膜层结晶形成低温多晶硅薄膜。本发明还公开了一种由如上所述的方法制备获得的低温多晶硅薄膜以及包含该低温多晶硅薄膜的晶体管。本发明在采用准分子激光退火工艺制备低温多晶硅薄膜时，重结晶的起点和方向可控，获得较大的多晶硅晶粒。

公开(公告)号：CN104704610B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380052225.5

申请日：2013-10-02

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 郑石焕 ,  次田纯一 ,  町田政志

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0622 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268

Abstract: 为了提供能够更为均匀地对非晶质半导体进行结晶化的结晶质半导体的制造方法及结晶质半导体的制造装置，本发明包括：多个脉冲激光光源(2、3)、以及将多个脉冲激光引导至非晶质半导体的光学系统(12)，各脉冲激光在随时间流逝而发生强度变化的1个脉冲中，至少具有第1个波峰组、以及在其后出现的第2个波峰组，且所述第1个波峰组中的最大波峰强度成为所述1个脉冲中的最大高度，将所述第1个波峰组的所述最大波峰强度a与所述第2个波峰组的最大波峰强度b的比b/a设为最大波峰强度比，将作为基准的所述最大波峰强度比设为基准最大波峰强度比，多个所述脉冲激光的所述最大波峰强度比与所述基准最大波峰强度比的差设为4％以下。

公开(公告)号：CN104508796B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380024316.8

申请日：2013-06-24

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 若林直木

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。使从半导体激光振荡器射出且具有第1脉冲宽度的第1激光脉冲入射到半导体基板的第2面，其中，在半导体基板的第1面形成有半导体元件，并且在第2面侧的表层部添加有杂质。使具有第1脉冲宽度的1/10以下的第2脉冲宽度的第2激光脉冲重叠入射到第1激光脉冲的入射区域。设定第1激光脉冲的下降时刻与第1激光脉冲的上升时刻在时间轴上的相对位置关系，以使通过第1激光脉冲及第2激光脉冲的入射而上升的第1面的温度不超过预先确定的容许上限值。

公开(公告)号：CN102099895B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201080002151.0

申请日：2010-02-25

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 富樫陵太郎 ,  佐藤亮介 ,  清野俊明 ,  井波俊夫 ,  草间秀晃

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0732 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种结晶膜的制造方法及结晶膜制造装置，以1～10次的照射次数，向非晶膜照射由340～358nm的波长所形成的、具有130～240mJ/cm2的能量密度的脉冲激光，将所述非晶膜加热至不超过结晶熔点的温度使其晶化，作为优选，将脉冲激光的脉宽设为5～100ns，将频率设为6～10kHz，将短轴宽度设为1.0mm以下，使该脉冲激光相对地以50～1000mm/秒的扫描速度进行扫描，从而能高效地由非晶膜制作晶粒直径的偏差较小的、均匀而细微的结晶膜而不对基板造成损坏。

公开(公告)号：CN103765564B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280041674.5

申请日：2012-08-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布鲁斯·E·亚当斯 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/268

Abstract: 说明了用于处理具有非晶半导体层或具有小晶体的半导体层的基板以于基板中形成大晶体的设备与方法。识别基板的处理区，并利用对处理区传送脉冲能量的逐步熔化工艺来熔化处理区。接着利用对该区域传送脉冲能量的逐步结晶化工艺来使该处理区重新结晶化。在逐步结晶化工艺中所传送的脉冲能量被选择以随着熔化材料凝固而使小晶体转变为大晶体。