公开(公告)号：CN101752426A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253625.8

申请日：2009-12-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明 ,  诸泽成浩 ,  德永和彦

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极；形成在栅电极上的栅绝缘膜；氧化物半导体薄膜层，该层在栅绝缘膜上形成对应于栅电极的沟道区；沟道保护层，该层被形成在栅绝缘膜和氧化物半导体薄膜层上至少与沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；和源/漏电极，该源/漏电极被形成在沟道保护层上并且电连接至氧化物半导体薄膜层，其中第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且第一沟道保护层和第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。

公开(公告)号：CN102646718A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210117644.X

申请日：2009-12-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒井俊明 ,  诸泽成浩 ,  徳永和彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极；形成在栅电极上的栅绝缘膜；氧化物半导体薄膜层，该层在栅绝缘膜上形成对应于栅电极的沟道区；沟道保护层，该层被形成在栅绝缘膜和氧化物半导体薄膜层上至少与沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；和源/漏电极，该源/漏电极被形成在沟道保护层上并且电连接至氧化物半导体薄膜层，其中第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且第一沟道保护层和第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。