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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101710592A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910173792.1
申请日：2009-09-17
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 德永和彦
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34 , H01L21/314
CPC classification number: H01L23/564 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及制造该薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：沟道层，主要包含导电性氧化物半导体；位于沟道层上的一对电极；以及保护膜，覆盖沟道层的暴露面，暴露于该对电极之间的间隙。保护膜从沟道层侧开始依次至少包括与沟道层接触的氧气传输膜以及与氧气传输膜相比几乎不传输氧气的氧气阻隔膜。氧气阻隔膜在该对电极彼此相对的方向中的长度等于或大于通过将该对电极在与该对电极彼此相对的方向垂直的方向中的宽度乘以0.55而获得的值。
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公开(公告)号：CN101740636B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910224527.1
申请日：2009-11-17
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 德永和彦
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供了一种通过抑制电气特性的劣化而提高可靠性的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：形成沟道的氧化物半导体膜；经由栅极绝缘膜放置在氧化物半导体膜的一侧上的栅电极；以及作为源电极和漏电极、与氧化物半导体膜相接触地形成的一对电极，所述一对电极是通过从氧化物半导体膜的一侧按顺序叠层至少第一和第二金属层而获得的。第一金属层由离子化能量等于或高于钼(Mo)的金属、具有阻氧性的金属、或具有阻氧性的金属的氮化物或硅氮化物制成。
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公开(公告)号：CN101752426A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253625.8
申请日：2009-12-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极；形成在栅电极上的栅绝缘膜；氧化物半导体薄膜层，该层在栅绝缘膜上形成对应于栅电极的沟道区；沟道保护层，该层被形成在栅绝缘膜和氧化物半导体薄膜层上至少与沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；和源/漏电极，该源/漏电极被形成在沟道保护层上并且电连接至氧化物半导体薄膜层，其中第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且第一沟道保护层和第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。
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公开(公告)号：CN101710592B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910173792.1
申请日：2009-09-17
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 德永和彦
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34 , H01L21/314
CPC classification number: H01L23/564 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及制造该薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：沟道层，主要包含导电性氧化物半导体；位于沟道层上的一对电极；以及保护膜，覆盖沟道层的暴露面，暴露于该对电极之间的间隙。保护膜从沟道层侧开始依次至少包括与沟道层接触的氧气传输膜以及与氧气传输膜相比几乎不传输氧气的氧气阻隔膜。氧气阻隔膜在该对电极彼此相对的方向中的长度等于或大于通过将该对电极在与该对电极彼此相对的方向垂直的方向中的宽度乘以0.55而获得的值。
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公开(公告)号：CN101740636A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910224527.1
申请日：2009-11-17
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 德永和彦
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供了一种通过抑制电气特性的劣化而提高可靠性的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：形成沟道的氧化物半导体膜；经由栅极绝缘膜放置在氧化物半导体膜的一侧上的栅电极；以及作为源电极和漏电极、与氧化物半导体膜相接触地形成的一对电极，所述一对电极是通过从氧化物半导体膜的一侧按顺序叠层至少第一和第二金属层而获得的。第一金属层由离子化能量等于或高于钼(Mo)的金属、具有阻氧性的金属、或具有阻氧性的金属的氮化物或硅氮化物制成。
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