公开(公告)号：CN117373950A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311267661.6

申请日：2018-05-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 方炳善 ,  郑富荣 ,  崔重奉 ,  金奉主 ,  李映一 ,  宋吉勋 ,  朴贵秀 ,  金光烈 ,  李广燮 ,  柳镇泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置。公开了一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理方法包括通过向基板照射激光来去除一部分薄膜，并且在去除一部分薄膜之后，通过向基板供应化学品来去除剩余部分的薄膜。

公开(公告)号：CN108962743A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810476146.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 方炳善 ,  郑富荣 ,  崔重奉 ,  金奉主 ,  李映一 ,  宋吉勋 ,  朴贵秀 ,  金光烈 ,  李广燮 ,  柳镇泽

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0042 ,  B08B7/04 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/123 ,  B23K26/127 ,  B23K26/352 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/34 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C03C23/0025 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/6708

Abstract: 公开了一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理方法包括通过向基板照射激光来去除一部分薄膜，并且在去除一部分薄膜之后，通过向基板供应化学品来去除剩余部分的薄膜。