公开(公告)号：CN109979853B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201811567172.1

申请日：2018-12-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 郑富荣 ,  金钟翰 ,  张瑛珍 ,  柳镇泽 ,  崔英骏 ,  金大勋 ,  方炳善 ,  禹钟贤 ,  金俙焕 ,  申哲榕 ,  朴贵秀

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开为待机端口以及具有该待机端口的基板处理装置。在将处理液供应到基板上之前，待机端口排出当处理液排放到待机端口中时产生的烟雾，从而防止腔室空气污染。

公开(公告)号：CN104425323A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410438403.4

申请日：2014-08-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 柳镇泽 ,  李载明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/02 ,  B08B13/00

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 本发明提供用于处理基板的装置，该基板包括基板放置在其上的转盘头，被设置为围绕转盘头的容器，向下供应处理溶液的上管口部件，与转盘头的底部相距一定距离而定位的底部清洁部件，其中底部清洁部件将清洁容易喷射至转盘头的底部。

公开(公告)号：CN117373950A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311267661.6

申请日：2018-05-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 方炳善 ,  郑富荣 ,  崔重奉 ,  金奉主 ,  李映一 ,  宋吉勋 ,  朴贵秀 ,  金光烈 ,  李广燮 ,  柳镇泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置。公开了一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理方法包括通过向基板照射激光来去除一部分薄膜，并且在去除一部分薄膜之后，通过向基板供应化学品来去除剩余部分的薄膜。

公开(公告)号：CN108962743A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810476146.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 方炳善 ,  郑富荣 ,  崔重奉 ,  金奉主 ,  李映一 ,  宋吉勋 ,  朴贵秀 ,  金光烈 ,  李广燮 ,  柳镇泽

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0042 ,  B08B7/04 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/123 ,  B23K26/127 ,  B23K26/352 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/34 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C03C23/0025 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/6708

Abstract: 公开了一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理方法包括通过向基板照射激光来去除一部分薄膜，并且在去除一部分薄膜之后，通过向基板供应化学品来去除剩余部分的薄膜。

公开(公告)号：CN116705663A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310803632.0

申请日：2018-12-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 郑富荣 ,  金钟翰 ,  张瑛珍 ,  柳镇泽 ,  崔英骏 ,  金大勋 ,  方炳善 ,  禹钟贤 ,  金俙焕 ,  申哲榕 ,  朴贵秀

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开为待机端口以及具有该待机端口的基板处理装置。在将处理液供应到基板上之前，待机端口排出当处理液排放到待机端口中时产生的烟雾，从而防止腔室空气污染。

公开(公告)号：CN109979853A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811567172.1

申请日：2018-12-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 郑富荣 ,  金钟翰 ,  张瑛珍 ,  柳镇泽 ,  崔英骏 ,  金大勋 ,  方炳善 ,  禹钟贤 ,  金俙焕 ,  申哲榕 ,  朴贵秀

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开为待机端口以及具有该待机端口的基板处理装置。在将处理液供应到基板上之前，待机端口排出当处理液排放到待机端口中时产生的烟雾，从而防止腔室空气污染。

公开(公告)号：CN104425323B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201410438403.4

申请日：2014-08-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 柳镇泽 ,  李载明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/02 ,  B08B13/00

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 提供用于处理基板的装置，该基板包括基板放置在其上的转盘头，被设置为围绕转盘头的容器，向下供应处理溶液的上管口部件，与转盘头的底部相距一定距离而定位的底部清洁部件，其中底部清洁部件将清洁容易喷射至转盘头的底部。

公开(公告)号：CN111106033B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201910991489.6

申请日：2019-10-18

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金永珍 ,  柳镇泽 ,  郑富荣 ,  方炳善 ,  吴承勋 ,  崔英骏 ,  禹钟贤

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明的一实施例提供基板处理装置及基板处理方法，基板处理方法包括以下步骤：向基板表面供给高表面张力液体而形成高表面张力液膜；向形成有所述高表面张力液膜的基板的中心区域供给低表面张力液体，从而将所述高表面张力液膜替换成所述低表面张力液体；以及在供给所述低表面张力液体的步骤中至少一部分时间区期间，追加供给所述高表面张力液体。

公开(公告)号：CN108269749B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201711469016.7

申请日：2017-12-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 方炳善 ,  柳镇泽 ,  崔英骏 ,  金钟翰 ,  张瑛珍

IPC: H01L21/67 ,  B08B3/02 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08

Abstract: 公开了用于对基板进行液体处理的装置和方法。该基板处理装置包括：液体供应单元，其被构造成将混合有第一液体和第二液体的处理液体供应到基板单元上，其中该液体供应单元包括：喷嘴，其被构造成排出处理液体；第一液体供应管线，其将第一液体供应到该喷嘴；以及第二液体供应管线，其将第二液体供应到该喷嘴，并且该喷嘴包括：主体，其在其内部具有供第一液体和第二液体混合的混合空间以及从混合空间延伸的缓冲空间；以及碰撞构件，其位于缓冲空间中且被构造为降低被供应到缓冲空间的处理液体的流速。

公开(公告)号：CN108269749A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201711469016.7

申请日：2017-12-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 方炳善 ,  柳镇泽 ,  崔英骏 ,  金钟翰 ,  张瑛珍

IPC: H01L21/67 ,  B08B3/02 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08

CPC classification number: B01F3/2223 ,  B01F3/0861 ,  B01F2215/0096 ,  B05B7/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  B08B3/102 ,  B08B2203/002 ,  H01L21/67051

Abstract: 公开了用于对基板进行液体处理的装置和方法。该基板处理装置包括：液体供应单元，其被构造成将混合有第一液体和第二液体的处理液体供应到基板单元上，其中该液体供应单元包括：喷嘴，其被构造成排出处理液体；第一液体供应管线，其将第一液体供应到该喷嘴；以及第二液体供应管线，其将第二液体供应到该喷嘴，并且该喷嘴包括：主体，其在其内部具有供第一液体和第二液体混合的混合空间以及从混合空间延伸的缓冲空间；以及碰撞构件，其位于缓冲空间中且被构造为降低被供应到缓冲空间的处理液体的流速。