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公开(公告)号：CN114654097A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210177492.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: B23K26/362
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。
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公开(公告)号：CN106596654B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201611135425.9
申请日：2016-12-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器及其制备方法，经带负电多孔石墨烯分散液的制备、带正电多孔石墨烯分散液的制备、三维多孔石墨烯超薄膜的组装制备、基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器的制备四个步骤实现传感器的制备。本发明所得到的多孔石墨烯超薄膜气敏传感器对DMMP气体分子具有极高的灵敏度；此制备方法工艺简单，适合于传感器的大量制备。
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公开(公告)号：CN108751127A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810523864.X
申请日：2018-05-28
Applicant: 苏州大学
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , H01L21/268
CPC classification number: B82B1/00 , B82B3/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法，包括步骤，利用分子束外延系统在基底上沉积Ga，以获得一层致密的Ga滴，在所述分子束外延系统上原位引入脉冲激光，使脉冲激光辐照上述Ga滴，使Ga滴融合团聚形成大尺寸的Ga滴。本申请采用分子束外延系统，在较低的基底温度下直接在基底表面沉积一层致密的Ga滴，直接在高真空外延设备MBE系统上原位引入脉冲激光对致密的Ga滴进行照射，Ga滴在膨胀时与相邻的Ga滴互相融合，从而制备得到大尺寸的Ga滴，由于整个制备大尺寸Ga滴的过程基底温度始终可以处于低温，因此可有效避免Ga滴对基底材料的刻蚀作用。
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公开(公告)号：CN106556677B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610959549.2
申请日：2016-10-27
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N33/00 , C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种三维多孔石墨烯超薄膜气体传感器及其制备方法，经带负电多孔石墨烯分散液的制备、带正电多孔石墨烯分散液的制备、三维多孔石墨烯超薄膜的组装制备、三维多孔石墨烯超薄膜气体传感器的制备四个步骤实现传感器的制备。本发明所得到的多孔石墨烯超薄膜气敏传感器对DMMP气体分子具有极高的灵敏度。此制备方法工艺简单，适合于传感器的大量制备。
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公开(公告)号：CN103257156B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310178984.8
申请日：2013-05-15
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，公开了一种基于还原氧化石墨烯的气体传感器及其制备方法，首先将氧化石墨烯在混合溶剂中超声分散，形成单片分散的悬浮液，加入吡咯继续反应，得到还原氧化石墨烯的固体粉末，分散至有机溶剂中形成分散液，取分散液滴加到电极表面，真空干燥，从而得到基于还原氧化石墨烯的气体传感器；通过本发明的方法制备的还原氧化石墨烯气体传感器对氨气分子具有优异的传感性能，此制备方法工艺简单，适合于气体传感器的大量制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102916343B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110224270.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 苏州大学
Inventor： 彭长四
CPC classification number: H01L21/02601 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/02395 , H01L21/02546 , H01L21/0259 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01S5/3412 , H01S2304/00 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种量子点材料的制作装置和制作方法，该制作装置通过在现有的外延装置中添加了可以产生干涉图像的光学装置，使得衬底在进行外延的同时，在外延层上施加一个干涉图像。通过该干涉图像，在外延层上形成一个规则分布的温度场，使得外延层在温度较高的点位上开始形成原子聚集现象，而在温度相对较低的区域则没有原子聚集。如此一来，根据外延表面温度的分布情况，就能人为的控制量子点产生的位置而不引入缺陷，实现一种无缺陷的长程有序的量子点制作。
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公开(公告)号：CN103196962A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310136507.5
申请日：2013-04-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于化学还原氧化石墨烯薄膜立式微纳结构的气敏传感器及其制备方法，首先将氧化石墨烯在溶剂中分散，通过控制还原条件在基底上自组装得到具有立式微纳结构的还原氧化石墨烯薄膜，再采用微加工和剥离技术在石墨烯表面制备金属电极，从而得到与基底结合较好的基于化学还原氧化石墨烯薄膜立式微纳结构的气敏传感器；本发明所得到的具有立式微纳结构的化学还原氧化石墨烯薄膜气敏传感器可实现对气体分子检测性能的提高，其制备方法工艺简单，适合于气敏传感器的批量制备。
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公开(公告)号：CN102916343A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110224270.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 苏州大学
Inventor： 彭长四
CPC classification number: H01L21/02601 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/02395 , H01L21/02546 , H01L21/0259 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01S5/3412 , H01S2304/00 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种量子点材料的制作装置和制作方法，该制作装置通过在现有的外延装置中添加了可以产生干涉图像的光学装置，使得衬底在进行外延的同时，在外延层上施加一个干涉图像。通过该干涉图像，在外延层上形成一个规则分布的温度场，使得外延层在温度较高的点位上开始形成原子聚集现象，而在温度相对较低的区域则没有原子聚集。如此一来，根据外延表面温度的分布情况，就能人为的控制量子点产生的位置而不引入缺陷，实现一种无缺陷的长程有序的量子点制作。
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公开(公告)号：CN114743864B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210277178.5
申请日：2022-03-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明所提供的有序半导体量子点制备方法，利用材料外延过程中自然存在的热偏析现象，通过脉冲激光干涉实现图形化(即干涉光场增强处)局域加热，不涉及刻蚀过程，量子点的生长位置直接由激光干涉图样决定，故其有序可控性有极大的保障；本发明所提供的有序半导体量子点制备方法直接在分子束外延系内原位完成，故无污染、无氧化，其完成流程也极其简单快捷，成本和时间都和一次传统的S‑K外延自组装生长量子点可比拟。
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公开(公告)号：CN114654097B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210177492.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: B23K26/362
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。
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