公开(公告)号：CN108751127A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810523864.X

申请日：2018-05-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 石震武 ,  杨新宁 ,  杨琳韵 ,  缪力力 ,  陈晨 ,  霍大云 ,  邓长威 ,  彭长四

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/268

CPC classification number: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明公开了一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法，包括步骤，利用分子束外延系统在基底上沉积Ga，以获得一层致密的Ga滴，在所述分子束外延系统上原位引入脉冲激光，使脉冲激光辐照上述Ga滴，使Ga滴融合团聚形成大尺寸的Ga滴。本申请采用分子束外延系统，在较低的基底温度下直接在基底表面沉积一层致密的Ga滴，直接在高真空外延设备MBE系统上原位引入脉冲激光对致密的Ga滴进行照射，Ga滴在膨胀时与相邻的Ga滴互相融合，从而制备得到大尺寸的Ga滴，由于整个制备大尺寸Ga滴的过程基底温度始终可以处于低温，因此可有效避免Ga滴对基底材料的刻蚀作用。

公开(公告)号：CN108751254A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810556681.8

申请日：2018-06-01

Applicant: 苏州大学

Inventor： 石震武 ,  缪力力 ,  杨琳韵 ,  杨新宁 ,  彭长四

IPC: C01G28/00 ,  C01G30/00 ,  C01B21/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种原位无损剥离量子点的方法，包括以下步骤：将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度，其中，量子点为Ⅲ‑Ⅴ族量子点，衬底的材质为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能；然后向量子点施加脉冲激光，使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离。本发明的方法可有效避免目前主流剥离方法中存在的氧化，污染，材料破坏，耗时以及不经济等问题。

公开(公告)号：CN107424914A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710560071.0

申请日：2017-07-11

Applicant: 苏州大学

Inventor： 石震武 ,  杨琳韵 ,  霍大云 ,  邓长威 ,  陈晨 ,  彭长四

IPC: H01L21/02 ,  C09K11/75 ,  C09K11/66 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02428 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/66 ,  C09K11/75 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02612

Abstract: 本发明公开了一种图形化生长量子点的方法，包括以下步骤：a.应变基底的生长；b.原位引入激励源，利用激励源产生周期性的温度场去诱导应变基底的应力进行图形化调制释放，从而原位实现具有纳米周期性分布的应力场的应力结构；c.基于纳米周期性分布的应力场的耦合诱导，在应力结构上生长相应的周期性量子点。

公开(公告)号：CN108751254B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810556681.8

申请日：2018-06-01

Applicant: 苏州大学

Inventor： 石震武 ,  缪力力 ,  杨琳韵 ,  杨新宁 ,  彭长四

IPC: C01G28/00 ,  C01G30/00 ,  C01B21/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种原位无损剥离量子点的方法，包括以下步骤：将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度，其中，量子点为Ⅲ‑Ⅴ族量子点，衬底的材质为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能；然后向量子点施加脉冲激光，使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离。本发明的方法可有效避免目前主流剥离方法中存在的氧化，污染，材料破坏，耗时以及不经济等问题。