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公开(公告)号：CN108751254A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810556681.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种原位无损剥离量子点的方法，包括以下步骤：将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度，其中，量子点为Ⅲ‑Ⅴ族量子点，衬底的材质为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能；然后向量子点施加脉冲激光，使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离。本发明的方法可有效避免目前主流剥离方法中存在的氧化，污染，材料破坏，耗时以及不经济等问题。
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公开(公告)号：CN114743864A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210277178.5
申请日：2022-03-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明所提供的有序半导体量子点制备方法，利用材料外延过程中自然存在的热偏析现象，通过脉冲激光干涉实现图形化(即干涉光场增强处)局域加热，不涉及刻蚀过程，量子点的生长位置直接由激光干涉图样决定，故其有序可控性有极大的保障；本发明所提供的有序半导体量子点制备方法直接在分子束外延系内原位完成，故无污染、无氧化，其完成流程也极其简单快捷，成本和时间都和一次传统的S‑K外延自组装生长量子点可比拟。
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公开(公告)号：CN113540974A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110818091.X
申请日：2021-07-20
Applicant: 苏州大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本申请公开了一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法，该方法包括获得激光器下结构体，激光器下结构体包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层和下包层；采用原位激光诱导图形化外延技术在激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层，形成增益光栅；增益光栅的布拉格波长位于量子点阵列的有效增益区内；在有源层的上表面外延生长上包层，并在激光器下结构体的下表面生长下导电层；在上包层的上表面生长绝缘层，并刻蚀绝缘层形成导电区；在绝缘层的上表面生长上导电层，得到增益耦合分布反馈式半导体激光器。采用原位激光诱导图形化外延技术生长有源层，可避免引入缺陷；不需制备光栅，实现纯增益耦合，制作流程非常简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114743864B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210277178.5
申请日：2022-03-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明所提供的有序半导体量子点制备方法，利用材料外延过程中自然存在的热偏析现象，通过脉冲激光干涉实现图形化(即干涉光场增强处)局域加热，不涉及刻蚀过程，量子点的生长位置直接由激光干涉图样决定，故其有序可控性有极大的保障；本发明所提供的有序半导体量子点制备方法直接在分子束外延系内原位完成，故无污染、无氧化，其完成流程也极其简单快捷，成本和时间都和一次传统的S‑K外延自组装生长量子点可比拟。
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公开(公告)号：CN114654097B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210177492.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: B23K26/362
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。
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公开(公告)号：CN108751254B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810556681.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种原位无损剥离量子点的方法，包括以下步骤：将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度，其中，量子点为Ⅲ‑Ⅴ族量子点，衬底的材质为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能；然后向量子点施加脉冲激光，使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离。本发明的方法可有效避免目前主流剥离方法中存在的氧化，污染，材料破坏，耗时以及不经济等问题。
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公开(公告)号：CN114654097A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210177492.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: B23K26/362
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。
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公开(公告)号：CN108751127A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810523864.X
申请日：2018-05-28
Applicant: 苏州大学
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , H01L21/268
CPC classification number: B82B1/00 , B82B3/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法，包括步骤，利用分子束外延系统在基底上沉积Ga，以获得一层致密的Ga滴，在所述分子束外延系统上原位引入脉冲激光，使脉冲激光辐照上述Ga滴，使Ga滴融合团聚形成大尺寸的Ga滴。本申请采用分子束外延系统，在较低的基底温度下直接在基底表面沉积一层致密的Ga滴，直接在高真空外延设备MBE系统上原位引入脉冲激光对致密的Ga滴进行照射，Ga滴在膨胀时与相邻的Ga滴互相融合，从而制备得到大尺寸的Ga滴，由于整个制备大尺寸Ga滴的过程基底温度始终可以处于低温，因此可有效避免Ga滴对基底材料的刻蚀作用。
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