公开(公告)号：CN118147746A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410261029.9

申请日：2024-03-07

Applicant: 苏州大学

Inventor： 石震武 ,  任卯韫 ,  彭长四 ,  程灵素 ,  耿彪

IPC: C30B25/16 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  C30B25/10 ,  C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/52 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及面向半导体分子束外延的一种图形化可控液滴外延方法。该方法包括以下步骤，将衬底的温度维持在低于目标液滴材料的熔点；在衬底表面沉积目标液滴材料，形成金属镀膜层，沉积厚度高于目标液滴材料正常形成液滴时的临界厚度；原位引入激光干涉脉冲辐照作用于所述金属镀膜层，实现目标液滴的图形化有序构筑。本发明方法可实现图形化制备III族元素液滴，该方法的原理和实施过程完全兼容传统的液滴外延过程，不存在引入任何材料缺陷的风险，不对衬底种类有选择，从而解决当前现有图形化技术普遍存在的包括材料晶体质量潜在的损伤，液滴成分一致性差以及液滴的种类直接受限于选用的衬底等问题。

公开(公告)号：CN118053929A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410196757.6

申请日：2024-02-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 石震武 ,  张高俊 ,  彭长四 ,  耿彪 ,  朱泽群 ,  韩照祥 ,  程灵素 ,  任卯韫

IPC: H01L31/0352 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延的原位激光直接制备半导体量子环的方法。该方法包括以下步骤，对衬底AB加热后进行第一次原位激光脉冲辐照；调低激光脉冲能量进行第二次原位激光脉冲辐照，通入B中断退火；重复第二次原位激光脉冲辐照和通入B中断退火，直至形成AB半导体量子环。本发明方法能够制备高晶体质量、高对称性的半导体量子环，同时该方法还具备高效可控等优点。