公开(公告)号：CN118053929A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410196757.6

申请日：2024-02-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 石震武 ,  张高俊 ,  彭长四 ,  耿彪 ,  朱泽群 ,  韩照祥 ,  程灵素 ,  任卯韫

IPC: H01L31/0352 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延的原位激光直接制备半导体量子环的方法。该方法包括以下步骤，对衬底AB加热后进行第一次原位激光脉冲辐照；调低激光脉冲能量进行第二次原位激光脉冲辐照，通入B中断退火；重复第二次原位激光脉冲辐照和通入B中断退火，直至形成AB半导体量子环。本发明方法能够制备高晶体质量、高对称性的半导体量子环，同时该方法还具备高效可控等优点。

公开(公告)号：CN114907848B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210439135.2

申请日：2022-04-25

Applicant: 苏州大学

Inventor： 石震武 ,  耿彪 ,  彭长四 ,  祁秋月 ,  张高俊 ,  朱泽群 ,  韩照祥

IPC: C09K11/74 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物，包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核，其中，所述第二温度低于所述第一温度；S3、在第二温度下，继续沉积1.7‑n原子层的InAs，所述量子点晶核形成第一量子点，当沉积量达到1.7原子层时，第一量子点之间的原子层表面形成第二量子点，其中，所述第二量子点的尺寸小于第一量子点的尺寸。本发明实现双模尺寸且能对两个模式间比例可调的量子点进行制备。

公开(公告)号：CN114907848A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210439135.2

申请日：2022-04-25

Applicant: 苏州大学

Inventor： 石震武 ,  耿彪 ,  彭长四 ,  祁秋月 ,  张高俊 ,  朱泽群 ,  韩照祥

IPC: C09K11/74 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物，包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核，其中，所述第二温度低于所述第一温度；S3、在第二温度下，继续沉积1.7‑n原子层的InAs，所述量子点晶核形成第一量子点，当沉积量达到1.7原子层时，第一量子点之间的原子层表面形成第二量子点，其中，所述第二量子点的尺寸小于第一量子点的尺寸。本发明实现双模尺寸且能对两个模式间比例可调的量子点进行制备。