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公开(公告)号:CN109205545B
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN201810696124.6
申请日:2018-06-29
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/12 , G01P15/125
Abstract: 一种微机械传感器包括电容式的第一传感器元件和第二传感器元件,分别具有第一电极和第二电极,其中第一电极的电极壁面和第二电极的电极壁面在第一方向上彼此对置并形成电容,其中第一电极可响应于待检测的变量在与第一方向不同的第二方向上移动,并且第二电极是固定的。第一传感器元件的第一电极的电极壁面在第二方向上具有比第一传感器元件的第二电极的对置的电极壁面小的延伸。第二传感器元件的第二电极的电极壁面在第二方向上具有比第二传感器元件的第一电极的对置的电极壁面小的延伸。
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公开(公告)号:CN109319729B
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN201810845999.8
申请日:2018-07-27
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
Abstract: 本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括:执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体;在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域,电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度;以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙,其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离,并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。
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公开(公告)号:CN109319729A
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201810845999.8
申请日:2018-07-27
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
Abstract: 本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括:执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体;在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域,电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度;以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙,其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离,并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。
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公开(公告)号:CN109205545A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810696124.6
申请日:2018-06-29
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/12 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , G01L9/12 , G01P15/0802 , G01P2015/088 , B81B3/0032 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264
Abstract: 一种微机械传感器包括电容式的第一传感器元件和第二传感器元件,分别具有第一电极和第二电极,其中第一电极的电极壁面和第二电极的电极壁面在第一方向上彼此对置并形成电容,其中第一电极可响应于待检测的变量在与第一方向不同的第二方向上移动,并且第二电极是固定的。第一传感器元件的第一电极的电极壁面在第二方向上具有比第一传感器元件的第二电极的对置的电极壁面小的延伸。第二传感器元件的第二电极的电极壁面在第二方向上具有比第二传感器元件的第一电极的对置的电极壁面小的延伸。
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