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公开(公告)号：CN108431289B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201680065794.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10‑2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
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公开(公告)号：CN111602259A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880082306.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种电子器件及其制备方法，所述电子器件含有包含硼酸盐络合物的半导体层，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。
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公开(公告)号：CN108463897A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680065531.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。
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公开(公告)号：CN108292706A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680065408.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0021 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C28/00 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/441 , H01L51/5092 , H01L51/5203 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
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公开(公告)号：CN111566836B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201880082463.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含所述半导体材料的电子器件以及制备所述半导体材料的方法，所述半导体材料包含：(i)至少一种包含二价金属的金属络合物或金属盐；和(ii)至少一种包含二烷基氧化膦基团的基质化合物。
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公开(公告)号：CN110612614B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201880022797.1
申请日：2018-03-29
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于形成有机半导体层的油墨组合物，其中所述油墨组合物包含：‑至少一种包含吸电子基团的p‑型掺杂剂；‑至少一种第一辅助化合物，其中所述第一辅助化合物是芳香腈化合物，其中所述芳香腈化合物具有≥1至≤3个腈基团和
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公开(公告)号：CN108463897B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201680065531.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。
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公开(公告)号：CN108352456B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201680056658.1
申请日：2016-09-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·洛特 , 维金塔斯·扬库什 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 杰罗姆·加尼耶
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件，其包含阳极、阴极、发光层、包含第一基质化合物的未掺杂的电子传输层以及包含第二基质化合物和碱金属有机络合物和/或碱金属卤化物的电子注入层，其中所述未掺杂的电子传输层和所述电子注入层布置在所述发光层与阴极之间，其中所述第一基质化合物的还原电势没有9,10‑二(萘‑2‑基)蒽的还原电势这么负，但比4,4’‑双(4,6‑二苯基‑1,3,5‑三嗪‑2‑基)联苯的还原电势更负，其中在两种情况下的所述还原电势是在四氢呋喃中相对于Fc/Fc+测量的；并且所述第一基质化合物的偶极矩被选择为≥0德拜且≤2.5德拜，并且所述第二基质化合物的偶极矩被选择为>2.5德拜且
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