一种核壳结构的中空碳球@MoSe2/MoO2新型微波吸收材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117163938A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311068356.4

    申请日:2023-08-23

    Applicant: 贵州大学

    Abstract: 本发明涉及一种核壳结构的中空碳球@MoSe2/MoO2新型微波吸收材料的设计及其制备。该材料具有中空的核壳结构,其中,核壳结构的内核为中空碳球,外部壳层为MoSe2/MoO2纳米片,同时材料整体构成球状分层核壳结构。本发明的中空碳球@MoSe2/MoO2微波吸收材料在2.0‑18.0GHz频率范围内展现出优异的电磁波损耗能力。本发明是利用官能化的中空碳球作为模板,在其表面生长MoSe2纳米片,随后在氩氢混气下退火后置于空气环境,便可以制得具有多组分与丰富异质界面的中空碳球@MoSe2/MoO2微波吸收材料。

    一种高性能吸波材料核壳结构CoxFe3-xO4@MoS2纳米复合物及其合成方法

    公开(公告)号:CN109943285A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201910304379.8

    申请日:2019-04-16

    Applicant: 贵州大学

    Abstract: 本发明公开合成高选择性、核壳结构CoxFe3-xO4@MoS2纳米复合物的方法:首先利用水热法,通过调节Co源和Fe源的摩尔比(1:1,1:2,1:3,1:4和1:5),可控合成出不同Co:Fe原子比的CoxFe3-xO4纳米颗粒;然后以所合成的CoxFe3-xO4纳米颗粒此作为前期物,以四水合钼酸铵作为钼源,以硫脲作为硫源,通过180℃水热反应10h,经过简单的水洗、干燥后可收集到大量的黑色样品。研究结果表明该类型样品具有良好的介电损耗和磁损耗补偿,与目前已报道的同类型纳米复合物相比,该纳米复合物表现出更加优异的微波吸收性能。

    原位催化生长低螺旋碳纳米复合物微波吸收材料的方法

    公开(公告)号:CN103013441B

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201310008814.5

    申请日:2013-01-10

    Applicant: 贵州大学

    Abstract: 本发明公开一种原位催化合成低螺旋碳纳米复合物的方法:首先利用水热方法合成Fe2O3纳米管,之后将所得催化剂粉末平铺在小瓷舟内并推入管式石英管内至管式炉热电偶位置处,在氩气的保护作用下将反应温度由室温升高至600°C;关闭氩气并立即切换通入乙炔气体,在Fe2O3纳米管表面原位催化裂解乙炔2个小时后再将样品在氩气中退火1个小时,待整个装置冷却至室温后可在小瓷舟内收集到黑色样品。理论计算表明该样品具有良好的介电损耗和磁损耗补偿,因而与其他类型碳纳米复合物相比,该结构的低螺旋碳纳米复合物表现出更加优异的微波吸收性能。

    原位催化生长低螺旋碳纳米复合物微波吸收材料的方法

    公开(公告)号:CN103013441A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201310008814.5

    申请日:2013-01-10

    Applicant: 贵州大学

    Abstract: 本发明公开一种原位催化合成低螺旋碳纳米复合物的方法:首先利用水热方法合成Fe2O3纳米管,之后将所得催化剂粉末平铺在小瓷舟内并推入管式石英管内至管式炉热电偶位置处,在氩气的保护作用下将反应温度由室温升高至600°C;关闭氩气并立即切换通入乙炔气体,在Fe2O3纳米管表面原位催化裂解乙炔2个小时后再将样品在氩气中退火1个小时,待整个装置冷却至室温后可在小瓷舟内收集到黑色样品。理论计算表明该样品具有良好的介电损耗和磁损耗补偿,因而与其他类型碳纳米复合物相比,该结构的低螺旋碳纳米复合物表现出更加优异的微波吸收性能。

    一种高性能吸波材料核壳结构CoxFe3-xO4@MoS2纳米复合物及其合成方法

    公开(公告)号:CN109943285B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201910304379.8

    申请日:2019-04-16

    Applicant: 贵州大学

    Abstract: 本发明公开合成高选择性、核壳结构CoxFe3‑xO4@MoS2纳米复合物的方法:首先利用水热法,通过调节Co源和Fe源的摩尔比(1:1,1:2,1:3,1:4和1:5),可控合成出不同Co:Fe原子比的CoxFe3‑xO4纳米颗粒;然后以所合成的CoxFe3‑xO4纳米颗粒此作为前期物,以四水合钼酸铵作为钼源,以硫脲作为硫源,通过180℃水热反应10h,经过简单的水洗、干燥后可收集到大量的黑色样品。研究结果表明该类型样品具有良好的介电损耗和磁损耗补偿,与目前已报道的同类型纳米复合物相比,该纳米复合物表现出更加优异的微波吸收性能。

    ZnS纳米带/CdS纳米柱异质结的合成方法

    公开(公告)号:CN105932099A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610324899.1

    申请日:2016-05-17

    Applicant: 贵州大学

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/0296

    Abstract: 本发明公开了ZnS纳米带/CdS纳米柱异质结的合成方法,其特征在于:包含以下步骤:首先,利用离子溅射仪在硅基片上沉积金膜,ZnS粉末放置在陶瓷舟里,并将陶瓷舟放置在管式炉的热电偶位置处,然后,将上述的硅基片放置在ZnS粉末的下风向,通入氩气,在氩气的保护下将反应温度升至900±20℃,并在此温度反应2±0.5h,反应结束后硅片上有白色样品生成,最后,打开装置将CdS粉末放置在热电偶位置处,将上述制备的白色样品放置在距离CdS粉末下风口处,在氩气的保护下将反应温度升至800±20℃,并在氩气的保护下在此温度反应1±0.3h,待反应完成并降到室温,在硅基片上得到淡黄色的样品。

    在氧化铝基片表面直接生长碳纳米螺旋或碳纳米球的方法

    公开(公告)号:CN104609392A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201510034619.9

    申请日:2015-01-23

    Applicant: 贵州大学

    Abstract: 本发明公开了一种在氧化铝基片表面直接生长碳纳米螺旋或碳纳米球的方法。本发明以乙炔作为碳源,利用高温裂解的方法,通过调控反应温度,实现了在无过渡族金属的催化作用下,在氧化铝基片上可控地合成出高选择性的碳纳米螺旋或碳纳米球,很好地解决了以往由于过渡族金属催化剂的存在而带来的该种功能材料在电子学领域研究的工艺技术难题,并大大地简化了实验过程和成本。为了该种材料的电子学领域研究和产品开发奠定了坚实的实验基础。本表明具有很好的重复性、操作简单且环境友好,拓宽了该类型在纳米器件领域的研究和潜在性的应用。本发明方法简单,使用效果好。

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