公开(公告)号：CN103224786B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310026670.6

申请日：2013-01-24

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.M.斯里瓦斯塔瓦 ,  A.伊凡

IPC: C09K11/61 ,  G01T3/06

CPC classification number: G01T1/20 ,  C09K11/772 ,  G21K4/00

Abstract: 中子闪烁体复合物(NSC)由中子闪烁体和粘合剂制成。所述复合物的中子闪烁体具有式LiyMgBry+2，其中y=2、4或6，并可进一步包含铈作为闪烁活化剂。所述复合物的粘合剂的折射率基本相等于所述中子闪烁体的折射率。将所述中子闪烁体和粘合剂混合成固体或半固体中子闪烁体复合物，该复合物具有充足的流动性以模塑为成形物品，例如辐射检测器的中子感应元件。所述中子闪烁体复合物采集和引导光子通过该材料自身并进入光学偶联至该复合物的感光元件。因为所述中子闪烁体和所述粘合剂两者的折射率基本相等，在闪烁体‑粘合剂界面的散射被最小化，从而产生接近单晶的透射效率。

公开(公告)号：CN103224786A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310026670.6

申请日：2013-01-24

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.M.斯里瓦斯塔瓦 ,  A.伊凡

IPC: C09K11/61 ,  G01T3/06

CPC classification number: G01T1/20 ,  C09K11/772 ,  G21K4/00

Abstract: 中子闪烁体复合物(NSC)由中子闪烁体和粘合剂制成。所述复合物的中子闪烁体具有式LiyMgBry+2，其中y=2、4或6，并可进一步包含铈作为闪烁活化剂。所述复合物的粘合剂的折射率基本相等于所述中子闪烁体的折射率。将所述中子闪烁体和粘合剂混合成固体或半固体中子闪烁体复合物，该复合物具有充足的流动性以模塑为成形物品，例如辐射检测器的中子感应元件。所述中子闪烁体复合物采集和引导光子通过该材料自身并进入光学偶联至该复合物的感光元件。因为所述中子闪烁体和所述粘合剂两者的折射率基本相等，在闪烁体-粘合剂界面的散射被最小化，从而产生接近单晶的透射效率。

公开(公告)号：CN109313277A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780040827.7

申请日：2017-06-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.I.多林斯基 ,  B.D.亚诺夫 ,  R.吉达 ,  A.伊凡

IPC: G01T1/20

Abstract: 一种像素化的伽马检测器包含闪烁体柱组件（140），其具有沿纵轴交替的闪烁体晶体（120）和光透明元件（125）；准直器组件（110），其具有由大致平行的准直器隔板（114）分离的纵向壁，准直器隔板（114）被隔离开形成准直器通道（118）；闪烁体柱组件（140）与准直器组件（110）相邻放置以便闪烁体晶体（120）中的相应的一些与准直器通道（118）中的相应的一些相邻放置，光透明元件（125）中的相应的一些与准直器隔板（114）中的相应的一些相邻放置；以及第一光电传感器（150）和第二光电传感器（155），第一和第二光电传感器各自被连接到闪烁体柱组件（140）的对立末端。也公开了一种用于检查和/或检测物体的内部中的缺陷的系统和方法。

公开(公告)号：CN108387922A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810109029.1

申请日：2018-02-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 付赓 ,  钱华 ,  赖皓 ,  郭建军 ,  A.伊凡 ,  B.亚诺夫

IPC: G01T1/202

CPC classification number: G01T1/2018 ,  G01T1/208

Abstract: 基于硅光电倍增管(SiPM)的检测系统包括多个闪烁体、SiPM、前端电路、调整电路、以及能量和位置处理单元。SiPM具有对与辐射检测相对应的能量沉积的非线性响应。调整电路被配置成接收来自SiPM的模拟信号，并提供经调整的模拟信号，该经调整的模拟信号被配置成模拟对应于线性响应的信号。能量和位置处理单元利用经调整的信号来提供检在测器块中检测到的事件的能量和位置信息。