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公开(公告)号：CN109313277A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780040827.7
申请日：2017-06-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01T1/20
Abstract: 一种像素化的伽马检测器包含闪烁体柱组件（140），其具有沿纵轴交替的闪烁体晶体（120）和光透明元件（125）；准直器组件（110），其具有由大致平行的准直器隔板（114）分离的纵向壁，准直器隔板（114）被隔离开形成准直器通道（118）；闪烁体柱组件（140）与准直器组件（110）相邻放置以便闪烁体晶体（120）中的相应的一些与准直器通道（118）中的相应的一些相邻放置，光透明元件（125）中的相应的一些与准直器隔板（114）中的相应的一些相邻放置；以及第一光电传感器（150）和第二光电传感器（155），第一和第二光电传感器各自被连接到闪烁体柱组件（140）的对立末端。也公开了一种用于检查和/或检测物体的内部中的缺陷的系统和方法。
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公开(公告)号：CN106415320A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480063841.5
申请日：2014-08-12
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01T1/24
CPC classification number: G01T1/248 , G01J1/44 , G01J2001/4466 , G01T1/2006 , G01T1/208 , G01T1/247 , G01T1/249 , H01L31/102 , H01L31/115
Abstract: 公开了光电倍增管，所述光电倍增管包括用于检测光电事件并且作为响应生成短数字脉冲增管包括具有微单元(46)阵列的固态光电倍增管(40)。在一个实施例中，所述微单元(46)响应于入射的光子生成具有大约2ns或更短的持续时间的数字脉冲信号(110)。(110)的电路系统。在一个实施例中，所述光电倍
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公开(公告)号：CN106461799A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029613.0
申请日：2015-04-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01T1/208
CPC classification number: G01V5/08 , E21B47/00 , G01T1/2006 , G01T1/2018 , G01T1/24 , G01T1/248 , G01V5/04 , G01T1/208
Abstract: 公开了用于检测光子的方法以及设备。所述设备包含固态光电倍增器装置，其中所述固态光电倍增器装置具有多个微单元，所述微单元具有在25℃大于大约1.7 eV的带隙。所述固态光电倍增器装置进一步包含与微单元的每一个相关联的集成抑制装置以及薄膜涂层。本文中公开的所述固态光电倍增器装置在大约-40℃到大约275℃的温度范围中操作。
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公开(公告)号：CN107393897A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710345864.0
申请日：2017-05-16
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/498 , H01L31/02 , H01L31/107 , H01L27/144 , H01L31/18 , H01L21/48
CPC classification number: H01L31/02005 , H01L27/1443 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L27/1446
Abstract: 本发明公开一种硅光电倍增器阵列，所述硅光电倍增器阵列包括在所述光电倍增管阵列内且位于硅晶片上的多个微单元，所述多个微单元以行和列布置，所述多个微单元中的每一个包括输出端口，并且配置成提供：具有脉冲特征的脉冲波形；与硅晶片层背表面接触的至少一个重新图案化介电层，所述硅晶片具有与所述背表面相对的有源表面；以及多个相应的硅通孔，所述硅通孔将所述硅晶片的所述有源表面上的所述多个微单元中的相应微单元的输出端口连接到设置在所述硅晶片的所述背表面的所述至少一个重新图案化介电层上的多个相应电路线路。本发明还公开了一种用于制造硅光电倍增器阵列的方法。
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公开(公告)号：CN107110985B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201580069109.3
申请日：2015-09-18
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明提供一种硅光电倍增管，所述硅光电倍增管包括多个微单元，所述多个微单元响应于入射辐射提供脉冲输出，每个微单元包括电路，所述电路配置成启用和禁用所述脉冲输出。每个微单元包括单元禁用开关。所述控制逻辑电路控制所述单元禁用开关和自测试电路。当所述单元禁用开关处于第一状态下时，微单元的脉冲输出被禁用。一种用于微单元的自测试校准方法包括：向所述微单元提供测试启用信号；在预定时间段内集成暗电流；将所述集成暗电流与预定阈值水平进行比较；以及如果高于所述预定阈值水平，则提供信号。
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公开(公告)号：CN107110985A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069109.3
申请日：2015-09-18
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明提供一种硅光电倍增管，所述硅光电倍增管包括多个微单元，所述多个微单元响应于入射辐射提供脉冲输出，每个微单元包括电路，所述电路配置成启用和禁用所述脉冲输出。每个微单元包括单元禁用开关。所述控制逻辑电路控制所述单元禁用开关和自测试电路。当所述单元禁用开关处于第一状态下时，微单元的脉冲输出被禁用。一种用于微单元的自测试校准方法包括：向所述微单元提供测试启用信号；在预定时间段内集成暗电流；将所述集成暗电流与预定阈值水平进行比较；以及如果高于所述预定阈值水平，则提供信号。
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