公开(公告)号：CN103887247A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310704329.1

申请日：2013-12-19

Applicant: 通用电气公司

Inventor： E.C.德尔加多 ,  J.S.格拉泽 ,  B.L.罗登

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/473 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/46 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种功率模块封装件。所述功率模块包括：大致平面绝缘金属衬底，其具有至少一个切口区域；至少一个大致平面陶瓷衬底，其布置在所述切口区域内，其中所述陶瓷衬底在至少两侧由所述绝缘金属衬底形成框架，所述陶瓷衬底包括在第一侧的第一金属层和在第二侧的第二金属层；至少一个功率半导体器件，其联接到所述陶瓷衬底的所述第一侧；至少一个控制器件，其联接到所述绝缘金属衬底的第一表面；功率覆盖层，所述功率覆盖层电连接所述至少一个半导体功率器件和所述至少一个控制器件；以及冷却流体容器，所述冷却流体容器可操作地连接到所述至少一个陶瓷衬底的所述第二金属层，其中多个冷却流体通道设在所述冷却流体容器中。

公开(公告)号：CN103887247B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201310704329.1

申请日：2013-12-19

Applicant: 通用电气公司

Inventor： E.C.德尔加多 ,  J.S.格拉泽 ,  B.L.罗登

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/473 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/46 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种功率模块封装件。所述功率模块包括：大致平面绝缘金属衬底，其具有至少一个切口区域；至少一个大致平面陶瓷衬底，其布置在所述切口区域内，其中所述陶瓷衬底在至少两侧由所述绝缘金属衬底形成框架，所述陶瓷衬底包括在第一侧的第一金属层和在第二侧的第二金属层；至少一个功率半导体器件，其联接到所述陶瓷衬底的所述第一侧；至少一个控制器件，其联接到所述绝缘金属衬底的第一表面；功率覆盖层，所述功率覆盖层电连接所述至少一个半导体功率器件和所述至少一个控制器件；以及冷却流体容器，所述冷却流体容器可操作地连接到所述至少一个陶瓷衬底的所述第二金属层，其中多个冷却流体通道设在所述冷却流体容器中。