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公开(公告)号:CN103811433B
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201310572275.8
申请日:2013-11-13
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367
Abstract: 一种表面安装封装件,其包括至少一个半导体装置和POL封装和互连系统,所述POL封装和互连系统围绕所述至少一个半导体装置形成且被构造成使表面安装封装件能够安装到外部电路。POL系统包括上覆一个或多个半导体装置的第一表面的介电层和金属互连结构,该金属互连结构延伸通过穿过介电层形成的通路或开口以便电联接到一个或多个半导体装置上的连接垫。金属化层形成于包括平坦的平面结构的金属互连结构上方,并且双面陶瓷基板定位在一个或多个半导体装置的第二表面上,其中双面陶瓷基板被构造成当表面安装封装件接合到其上时使一个或多个半导体装置的漏极与外部电路电隔离并且将热量传导离开一个或多个半导体装置。
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公开(公告)号:CN103887247B
公开(公告)日:2018-10-16
申请号:CN201310704329.1
申请日:2013-12-19
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/473 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/13 , H01L23/3735 , H01L23/46 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83815 , H01L2224/92144 , H01L2224/9222 , H01L2924/01029 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种功率模块封装件。所述功率模块包括:大致平面绝缘金属衬底,其具有至少一个切口区域;至少一个大致平面陶瓷衬底,其布置在所述切口区域内,其中所述陶瓷衬底在至少两侧由所述绝缘金属衬底形成框架,所述陶瓷衬底包括在第一侧的第一金属层和在第二侧的第二金属层;至少一个功率半导体器件,其联接到所述陶瓷衬底的所述第一侧;至少一个控制器件,其联接到所述绝缘金属衬底的第一表面;功率覆盖层,所述功率覆盖层电连接所述至少一个半导体功率器件和所述至少一个控制器件;以及冷却流体容器,所述冷却流体容器可操作地连接到所述至少一个陶瓷衬底的所述第二金属层,其中多个冷却流体通道设在所述冷却流体容器中。
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公开(公告)号:CN109119183B
公开(公告)日:2021-09-24
申请号:CN201810650233.4
申请日:2018-06-22
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本申请涉及一种用于改进的电气系统,所述电气系统包括级联多个电气装置的总线结构。所述总线结构包括:第一外部导电层,其为正层;第二外部导电层,其为负层;第一中间导电层,其邻近所述第一外部导电层;第二中间导电层,其邻近所述第二外部导电层;和第三中间导电层,其邻近所述第二中间导电层,其中所述第三中间导电层为装置间层,从而促进串联电连接所述电气装置中的至少两个。所述第一中间导电层为负层且所述第二中间导电层为正层,以减小在操作期间引入到所述电气系统中的寄生电感和/或增加在操作期间引入到所述电气系统中的寄生电容。
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公开(公告)号:CN103887247A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201310704329.1
申请日:2013-12-19
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/473 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/13 , H01L23/3735 , H01L23/46 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83815 , H01L2224/92144 , H01L2224/9222 , H01L2924/01029 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种功率模块封装件。所述功率模块包括:大致平面绝缘金属衬底,其具有至少一个切口区域;至少一个大致平面陶瓷衬底,其布置在所述切口区域内,其中所述陶瓷衬底在至少两侧由所述绝缘金属衬底形成框架,所述陶瓷衬底包括在第一侧的第一金属层和在第二侧的第二金属层;至少一个功率半导体器件,其联接到所述陶瓷衬底的所述第一侧;至少一个控制器件,其联接到所述绝缘金属衬底的第一表面;功率覆盖层,所述功率覆盖层电连接所述至少一个半导体功率器件和所述至少一个控制器件;以及冷却流体容器,所述冷却流体容器可操作地连接到所述至少一个陶瓷衬底的所述第二金属层,其中多个冷却流体通道设在所述冷却流体容器中。
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公开(公告)号:CN109119183A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810650233.4
申请日:2018-06-22
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G02B26/001 , G01R22/00 , G01R33/04 , G01R33/093 , G01R35/04 , H02G5/007 , H02M7/003 , H01B5/14 , H01R4/58 , H02M7/12
Abstract: 本申请涉及一种用于改进的电气系统,所述电气系统包括级联多个电气装置的总线结构。所述总线结构包括:第一外部导电层,其为正层;第二外部导电层,其为负层;第一中间导电层,其邻近所述第一外部导电层;第二中间导电层,其邻近所述第二外部导电层;和第三中间导电层,其邻近所述第二中间导电层,其中所述第三中间导电层为装置间层,从而促进串联电连接所述电气装置中的至少两个。所述第一中间导电层为负层且所述第二中间导电层为正层,以减小在操作期间引入到所述电气系统中的寄生电感和/或增加在操作期间引入到所述电气系统中的寄生电容。
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公开(公告)号:CN103811433A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201310572275.8
申请日:2013-11-13
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/19 , H01L23/3735 , H01L23/49805 , H01L23/49844 , H01L23/49894 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/92144 , H01L2225/1035 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 一种表面安装封装件,其包括至少一个半导体装置和POL封装和互连系统,所述POL封装和互连系统围绕所述至少一个半导体装置形成且被构造成使表面安装封装件能够安装到外部电路。POL系统包括上覆一个或多个半导体装置的第一表面的介电层和金属互连结构,该金属互连结构延伸通过穿过介电层形成的通路或开口以便电联接到一个或多个半导体装置上的连接垫。金属化层形成于包括平坦的平面结构的金属互连结构上方,并且双面陶瓷基板定位在一个或多个半导体装置的第二表面上,其中双面陶瓷基板被构造成当表面安装封装件接合到其上时使一个或多个半导体装置的漏极与外部电路电隔离并且将热量传导离开一个或多个半导体装置。
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