公开(公告)号：CN108987365A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810832541.9

申请日：2012-02-07

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·A·赫尔嵩末 ,  O·J·洛佩斯 ,  J·A·浓趣勒

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H02M3/158

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本申请公开具有减小的开关节点振铃的三维电源模块。同步降压转换器的高频电源模块(800)有漏极向下直接焊接到引脚框架的焊盘(801)的控制管芯(810)；焊盘(801)连接到VIN，且到控制管芯(810)的VIN连接表现消失的阻抗和电感，因此将开关节点电压振铃的幅值和持续时间减小多于90％。因此输入电流从焊盘垂直进入控制管芯端子。控制管芯(810)顶部上的开关节点夹片(840)被设计为具有面积足够大以漏极向下的方式放置同步管芯(820)在控制管芯顶部上；电流继续垂直流过转换器堆叠。同步管芯的有效面积等于或大于控制管芯的有效面积；同步管芯的物理面积等于或大于控制管芯的物理面积。同步管芯(820)的源极端子由设计为充当散热器的夹片(860)连接到地。

公开(公告)号：CN105118818B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201510427669.3

申请日：2015-07-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  王宁 ,  魏家行 ,  刘超 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/17738 ,  H01L2924/17747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方形扁平无引脚封装结构的功率模块，用于抑制功率模块局部温度过高，包括：绝缘树脂、驱动芯片、功率芯片和金属电极触点，驱动芯片、功率芯片和金属电极触点按照既定设计电路并通过金属引线电连接，在绝缘树脂的底层设有用于功率芯片散热的金属散热盘和驱动芯片引线框架，在金属散热盘上设有功率芯片引线框架，所述功率芯片设在功率芯片引线框架上且功率芯片的漏与金属散热盘电连接，在驱动芯片引线框架上设有驱动芯片，所述金属散热盘在底层的驱动芯片引线框架及金属电极触点占据的以外区域延伸，在驱动芯片引线框架的下方设有金属支柱，金属散热盘还延伸进入驱动芯片引线框架下方的底层区域。

公开(公告)号：CN105359261B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480037406.5

申请日：2014-07-03

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 ,  L·林 ,  Q·贾 ,  Q·杨 ,  J·刘

IPC: H01L21/44 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L29/7802 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144

Abstract: 在所描述的示例中，形成包括底部介电层(211)和顶部介电层(212)的介电堆叠，其具有在键合焊盘(215)上方的接触孔(239)。接触孔(239)内的底部介电层(211)的外边缘延伸超过顶部介电层(212)的外边缘，以限定具有键合焊盘边缘的暴露的键合焊盘区域。第一金属层(226)被沉积。第二金属层(227)被沉积在第一金属层(226)上。第二金属层(227)被湿法刻蚀以使其从接触孔(239)中的底部介电层(211)的侧壁凹进。第一金属层(226)被湿法刻蚀以使其从顶部介电层(212)凹进。第一金属层(226)在键合焊盘边缘上方延伸到底部介电层(211)上。

公开(公告)号：CN108140568A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059649.8

申请日：2016-09-29

Applicant: 威世通用半导体有限责任公司

Inventor： 圣菲利波·卡尔梅洛 ,  路易吉·梅林 ,  伊莎贝拉·帕拉 ,  乔瓦尼·里基耶里

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/3083 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091

Abstract: 局部削薄处理被用在半导体基底(诸如，晶片)的背面以便提高布置在晶片的前侧上或前侧内的电子装置的热性能。

公开(公告)号：CN105051886B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201380075051.4

申请日：2013-03-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 船矢琢央 ,  五十岚孝行

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/3205 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0688 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01015

Abstract: 在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1)，以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF)，在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。

公开(公告)号：CN103530679B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201310272931.2

申请日：2013-07-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 黒田宏 ,  小池秀雄

IPC: G06K19/077 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48149 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H04B5/0075 ,  H04B7/24 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。公开的半导体器件能够处理多个不同高频率的非接触通信模式，并由多芯片结构形成。执行高频率非接触通信的接口控制和通信数据的数据处理的第一半导体芯片被装载在布线板上；执行通信数据的另一个数据处理的第二半导体芯片被装载在第一半导体芯片上。在这种情况下，第一半导体芯片中的发送焊盘与接收焊盘的相比布置在距芯片的周边较远的位置，第二半导体芯片通过在第一半导体芯片上偏置来装载，以便避开发送焊盘。

公开(公告)号：CN104810330B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201510042301.5

申请日：2015-01-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.赫格劳尔 ,  李徳森 ,  R.奥特伦巴 ,  K.希斯 ,  X.施勒格尔 ,  J.施雷德尔

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/4006 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4093 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2023/4031 ,  H01L2023/405 ,  H01L2023/4087 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本文涉及电子器件和用于制作电子器件的方法。一种电子器件包括包含电极的半导体芯片、衬底元件和接触元件，该接触元件将电极连接到衬底元件。该电子器件进一步包含密封剂，该密封剂被配置成使接触元件至少部分暴露，使得热沉可以被连接到接触元件。

公开(公告)号：CN103646848B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310435963.X

申请日：2005-06-02

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0392 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/76 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/308 ,  H01L21/322 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

公开(公告)号：CN104285287B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201380023826.3

申请日：2013-05-07

Applicant: 贺利氏材料工艺有限责任两合公司

Inventor： E.米尔克 ,  P.普雷诺西尔 ,  S.托马斯

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L24/48 ,  B21C1/003 ,  B21C9/00 ,  B32B15/01 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/2075 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/1275 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049

Abstract: 本发明涉及一种条带，优选地用于微电子学中的结合的结合条带，包括包含具有表面的铜的第一层（2）和被叠加在第一层（2）的表面上的至少一个涂层（3）以及中间层（7），其中，该涂层（3）包括铝，其中，在条带的截面图中，基于条带的截面的总面积，第一层（2）的面积份额在从50至96%范围内，其中，截面图中的条带的宽度和高度之间的纵横比在从0.03至小于0.8范围内，其中，所述条带具有在从25000µm2至800000µm2范围内的截面面积，其中，所述中间层（7）被布置在第一层（2）与涂层（7）之间。其中，所述中间层（7）包括至少一个金属间相，其包括第一层（2）的材料和涂层（3）的材料。本发明还涉及一种用于制作导线的工艺、由所述工艺可获得的导线、包括至少两个元件和至少上述导线的电设备、包括所述电设备的推进设备和由楔结合通过上述导线来连接两个元件的工艺。

公开(公告)号：CN107732329A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710686255.1

申请日：2017-08-11

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 田中伸史 ,  佐竹义裕 ,  川口德仁 ,  小清水浩士 ,  碓井薰 ,  大场雄介

IPC: H01M10/42 ,  H01M10/44 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H02J7/0029 ,  H01L23/49 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/181 ,  H02J7/0042 ,  H02J7/0072 ,  H02J2007/0037 ,  H02J2007/0039 ,  H02J2007/004 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01M10/425 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/448 ,  H01M2010/4271

Abstract: 本发明提供一种电池保护装置，有助于小型化以及导通电阻的降低。其具备：充放电控制芯片，其包括连接到二次电池的充电控制FET和放电控制FET；保护芯片，其根据二次电池的两端电压控制充电控制FET和放电控制FET来防止二次电池的过充电、过放电以及过电流；引线框架，其具有多个外部端子的连接面和与连接面导通的另一面，引线框架的另一面和形成于充放电控制芯片的表面的充电控制FET以及放电控制FET的端子经由导电材料进行电连接，保护芯片以该保护芯片的背面相向的方式经由绝缘部件被安装在充放电控制芯片的背面，保护芯片的端子和引线框架的另一面通过接合线进行电连接，充放电控制芯片和所述保护芯片被树脂覆盖。