公开(公告)号：CN102628161A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210103172.2

申请日：2012-01-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D·钟 ,  G·帕塔萨拉蒂 ,  R·A·小纳迪

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1828 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/3485 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的一个方面提供制造膜的方法。该方法包含：在无氧环境中提供包括硫化物的靶；将多个直流脉冲施加到靶以生成脉冲直流等离子体；用脉冲DC等离子体对硫化物靶进行溅射以将包括硫的材料喷射到等离子体中；以及将包括所喷射材料的膜沉积到支撑上。本发明的另一个方面提供制造光伏装置的方法。

公开(公告)号：CN102446989B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110309568.8

申请日：2011-09-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D·钟 ,  G·帕塔萨拉蒂 ,  R·A·小纳迪

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及光伏器件及其制造方法。本发明的一个方面提供一种器件，其包括：衬底；第一半导体层；透明传导层；透明窗口层。该透明窗口层包括硫化镉和氧。该器件具有大于大约0.65的填充因数。本发明的另一个方面提供制造该器件的方法。

公开(公告)号：CN102447008A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110310788.2

申请日：2011-09-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D·钟 ,  G·帕塔萨拉蒂 ,  R·A·小纳迪

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L21/02557 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光伏器件及其制造方法。本发明的一个方面提供制造膜的方法。该方法包括：在包括氧的环境内提供包括半导体材料的靶；对该靶施加多个直流脉冲以形成脉冲直流等离子体；用该脉冲直流等离子体溅射该靶以将包括镉和硫的材料喷入该等离子体；以及将包括该材料的膜沉积到衬底上。该靶包括半导体材料，其中包括含镉和硫的半导体材料。

公开(公告)号：CN102446989A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110309568.8

申请日：2011-09-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D·钟 ,  G·帕塔萨拉蒂 ,  R·A·小纳迪

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/073 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0084 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/3485 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光伏器件及其制造方法。本发明的一个方面提供一种器件，其包括：衬底；第一半导体层；透明传导层；透明窗口层。该透明窗口层包括硫化镉和氧。该器件具有大于大约0.65的填充因数。本发明的另一个方面提供制造该器件的方法。

公开(公告)号：CN100539240C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510064977.0

申请日：2005-04-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·N·路易斯 ,  J·J·香 ,  A·亚基莫夫 ,  G·帕塔萨拉蒂 ,  J·刘 ,  S·克尼尔詹斯基

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/20 ,  H05B33/10 ,  C09K11/06

CPC classification number: H05B33/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/183 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/5012 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明公开了一种光-电活性设备，其包含下式的金属茂，其中M是锆或铪；X是卤素和R1-R5各自独立地是氢、芳基、烷基、卤素或-Si(R6)3；或其中至少一个环上的至少两个相邻的R取代基连接形成稠合环，其可以是未取代的或被芳基、烷基、卤素或-Si(R6)3取代；或其中每个环上的R1取代基相连接，从而将环以柄状桥的形式来连接起来，且其中R6是烷基、取代的烷基、芳基或取代的芳基。还公开了一种制造包含金属茂的光-电活性设备的方法。

公开(公告)号：CN102187492B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN200980141553.6

申请日：2009-07-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·罗戈杰维克 ,  G·帕塔萨拉蒂

IPC: H01L51/52

Abstract: 本技术提供用于形成装置的方法和系统，该装置可由电致发光有机材料的发光区域形成。该发光区域的小的尺寸允许形成混合颜色，混合颜色可形成照明设计。多个装置可结合在一起以形成多层面板，其中较近层可具有与较远层不同的设计，或者较远层可具有适用作为较近层的背景的纯照明颜色。另外，该多层装置可用作颜色可调的光源。

公开(公告)号：CN102187492A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141553.6

申请日：2009-07-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·罗戈杰维克 ,  G·帕塔萨拉蒂

IPC: H01L51/52

Abstract: 本技术提供用于形成装置的方法和系统，该装置可由电致发光有机材料的发光区域形成。该发光区域的小的尺寸允许形成混合颜色，混合颜色可形成照明设计。多个装置可结合在一起以形成多层面板，其中较近层可具有与较远层不同的设计，或者较远层可具有适用作为较近层的背景的纯照明颜色。另外，该多层装置可用作颜色可调的光源。

公开(公告)号：CN1684564A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064977.0

申请日：2005-04-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·N·路易斯 ,  J·J·香 ,  A·亚基莫夫 ,  G·帕塔萨拉蒂 ,  J·刘 ,  S·克尼尔詹斯基

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/20 ,  H05B33/10 ,  C09K11/06

CPC classification number: H05B33/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/183 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/5012 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明公开了一种光－电活性设备，其包含右式的金属茂，其中M是锆或铪；X是卤素和R1－R5各自独立地是氢、芳基、烷基、卤素或－Si(R6)3；或其中至少一个环上的至少两个相邻的R取代基连接形成稠合环，其可以是未取代的或被芳基、烷基、卤素或－Si(R6)3取代；或其中每个环上的R1取代基相连接，从而将环以柄状桥的形式来连接起来，且其中R6是烷基、取代的烷基、芳基或取代的芳基。还公开了一种制造包含金属茂的光－电活性设备的方法。