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公开(公告)号：CN101582365A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910141789.1
申请日：2009-05-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01J35/08
CPC classification number: H01J35/105 , H01J2235/081 , H01J2235/086 , H01J2235/1204 , H01J2235/1229 , H01J2235/1291
Abstract: 本发明提供一种用于增加X射线管中的辐射传热的装置及其制造方法。一种用于产生X射线(14)的靶组件(56)，包括靶基体(57)以及施加到靶基体(57)的一部分的辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)，辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)包含碳化物和碳氮化物中的一种或多种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102628161A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210103172.2
申请日：2012-01-13
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L31/1828 , C23C14/0629 , C23C14/3485 , H01L31/073 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的一个方面提供制造膜的方法。该方法包含：在无氧环境中提供包括硫化物的靶；将多个直流脉冲施加到靶以生成脉冲直流等离子体；用脉冲DC等离子体对硫化物靶进行溅射以将包括硫的材料喷射到等离子体中；以及将包括所喷射材料的膜沉积到支撑上。本发明的另一个方面提供制造光伏装置的方法。
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公开(公告)号：CN102446989B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110309568.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L21/02 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/18 , C23C14/00 , C23C14/06 , C23C14/34
Abstract: 本发明涉及光伏器件及其制造方法。本发明的一个方面提供一种器件，其包括：衬底；第一半导体层；透明传导层；透明窗口层。该透明窗口层包括硫化镉和氧。该器件具有大于大约0.65的填充因数。本发明的另一个方面提供制造该器件的方法。
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公开(公告)号：CN102447008A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110310788.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L21/02557 , H01L21/02472 , H01L21/02474 , H01L21/0251 , H01L21/02554 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/1836 , H01L31/1864 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及光伏器件及其制造方法。本发明的一个方面提供制造膜的方法。该方法包括：在包括氧的环境内提供包括半导体材料的靶；对该靶施加多个直流脉冲以形成脉冲直流等离子体；用该脉冲直流等离子体溅射该靶以将包括镉和硫的材料喷入该等离子体；以及将包括该材料的膜沉积到衬底上。该靶包括半导体材料，其中包括含镉和硫的半导体材料。
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公开(公告)号：CN102446989A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110309568.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0296 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/073 , C23C14/0036 , C23C14/0084 , C23C14/0629 , C23C14/3485 , H01L21/02554 , H01L21/02557 , H01L21/02631 , H01L31/02966 , H01L31/1832 , H01L31/1836 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及光伏器件及其制造方法。本发明的一个方面提供一种器件，其包括：衬底；第一半导体层；透明传导层；透明窗口层。该透明窗口层包括硫化镉和氧。该器件具有大于大约0.65的填充因数。本发明的另一个方面提供制造该器件的方法。
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公开(公告)号：CN101853893A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010159775.5
申请日：2010-03-31
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/036 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L31/02963 , H01L31/03529 , H01L31/0368 , Y02E10/543
Abstract: 提供了一种光伏装置，其包括吸收层，其中吸收层包括由晶界隔开的多个晶粒。至少一个层布置在吸收层上。吸收层包括基本上垂直于布置在吸收层上的至少一个层的晶界。多个晶粒具有小于1微米的中值晶粒直径。而且，晶粒为p型或n型。晶界包括活性掺杂剂。晶界中的活性掺杂剂浓度高于晶粒中的有效掺杂剂浓度。晶粒和晶界可为相同类型或相反类型。而且，在晶界为n型时，晶界的底部可为p型。还公开了一种制成吸收层的方法。
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