具有电绝缘像素的探测器

    公开(公告)号:CN1892250A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200610099649.9

    申请日:2006-06-29

    CPC classification number: G01T1/2018 G01T1/24

    Abstract: 根据本技术的实施,公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上,与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成,但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的,从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。

    用于固态辐射成像器的存储电容器阵列

    公开(公告)号:CN100459135C

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200410048480.5

    申请日:2004-06-07

    CPC classification number: H01L27/14609

    Abstract: 本发明提供一种用于固态辐射成像器(200)的存储电容器阵列。该成像器阵列包括以成像阵列图案设置在基板上的多个像素(110)。每个像素包括与薄膜开关晶体管(130)连接的光电探测器(120)。多条扫描线(150)沿第一轴方向相对于基板设置在第一高度,多条数据线(140)沿成像阵列的第二轴设置在第二高度。电容器(241)设置在基板上,其中每个电容器具有与相应光电探测器和相应薄膜晶体管连接的第一电极(291),和与电容器线性电极(251)连接的第二电极(296)。

    用于固态辐射成像器的存储电容器阵列

    公开(公告)号:CN1574375A

    公开(公告)日:2005-02-02

    申请号:CN200410048480.5

    申请日:2004-06-07

    CPC classification number: H01L27/14609

    Abstract: 本发明提供一种用于固态辐射成像器(200)的存储电容器阵列。该成像器阵列包括以成像阵列图案设置在基板上的多个像素(110)。每个像素包括与薄膜开关晶体管(130)连接的光电探测器(120)。多条扫描线(150)沿第一轴方向相对于基板设置在第一高度,多条数据线(140)沿成像阵列的第二轴设置在第二高度。电容器(241)设置在基板上,其中每个电容器具有与相应光电探测器和相应薄膜晶体管连接的第一电极(291),和与电容器线性电极(251)连接的第二电极(296)。

    具有电绝缘像素的探测器

    公开(公告)号:CN1892250B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN200610099649.9

    申请日:2006-06-29

    CPC classification number: G01T1/2018 G01T1/24

    Abstract: 具有电绝缘像素的探测器。根据本技术的实施,公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上,与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成,但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的,从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。

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