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公开(公告)号:CN1892250A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610099649.9
申请日:2006-06-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/24
Abstract: 根据本技术的实施,公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上,与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成,但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的,从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。
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公开(公告)号:CN101273898B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200810087899.X
申请日:2008-03-27
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: A61B6/482 , A61B6/032 , A61B6/4241 , G01T1/1642 , G01T1/2018
Abstract: 提供一种用于CT成像系统(10)的探测器模块(20),它包括将X射线(16)转换成可见光子的闪烁器(58)。闪烁器(58)与带内部增益的固态光电倍增管(53)光耦合以接收可见光子并将其转换为相应的电信号。
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公开(公告)号:CN1892250B
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN200610099649.9
申请日:2006-06-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/24
Abstract: 具有电绝缘像素的探测器。根据本技术的实施,公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上,与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成,但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的,从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。
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公开(公告)号:CN101273898A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200810087899.X
申请日:2008-03-27
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: A61B6/482 , A61B6/032 , A61B6/4241 , G01T1/1642 , G01T1/2018
Abstract: 提供一种用于CT成像系统(10)的探测器模块(20),它包括将X射线(16)转换成可见光子的闪烁器(58)。闪烁器(58)与带内部增益的固态光电倍增管(53)光耦合以接收可见光子并将其转换为相应的电信号。
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