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公开(公告)号：CN1991409B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200610064073.2
申请日：2006-11-10
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/2018 , A61B6/032
Abstract: 具有多个电荷存储装置的计算机断层摄影检测器光电二极管CT检测器(20)包括具有单个光电二极管(54)和被交替存储和读出的多个电荷存储装置(C1，C2)的像素(62)。该光电二极管(54)是正面照射二极管，其具有一对在数据采集期间交替存储所产生的电荷的电容器(C1，C2)。将多个像素(62，68)连接到单个读出放大器(A1)。从每个光电二极管(54)持续采集电荷，并且将其存储在所述电荷存储装置(C1，C2)上，但是这种读出每次只来自于单个电荷存储装置。这样，独立地读出每个电荷存储装置(C1，C2)，但是所述电荷存储装置(C1，C2)连接到公共读出通道或端口(A1)。
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公开(公告)号：CN101110157B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200710137349.X
申请日：2007-07-20
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/17
Abstract: 一种数字获取电路(26)包括放大器(14)，该放大器响应于在检测器上入射的能量放大由检测器产生的电脉冲。该自适应数据获取电路还包括用于对放大器产生的放大的电脉冲计数的计数电路(28)。另外，该自适应数据获取电路还包括数字逻辑电路(30)，该数字逻辑电路(30)用于确定表示脉冲率和在放大的电脉冲中存在的能量的量的脉冲参数，还用于响应于该脉冲参数生成控制信号(34)，来控制该数据获取电路的操作参数。
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公开(公告)号：CN101273898A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087899.X
申请日：2008-03-27
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: A61B6/482 , A61B6/032 , A61B6/4241 , G01T1/1642 , G01T1/2018
Abstract: 提供一种用于CT成像系统(10)的探测器模块(20)，它包括将X射线(16)转换成可见光子的闪烁器(58)。闪烁器(58)与带内部增益的固态光电倍增管(53)光耦合以接收可见光子并将其转换为相应的电信号。
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公开(公告)号：CN105118885B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510553548.3
申请日：2010-05-04
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/115 , G01T1/20 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14663 , G01T1/2018 , H01L27/14603 , H01L31/105 , H01L31/115
Abstract: 一种光电二极管元件(20)包括第一扩散类型的第一层以及第二层。第二层定义电荷收集区域(29)。电荷收集区域(29)包括第二扩散类型的活性区(32)以及无活性区(33)。活性区(32)围绕无活性区(33)。光电二极管元件(20)还包括第一层与第二层之间的本征半导体层。
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公开(公告)号：CN105118885A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510553548.3
申请日：2010-05-04
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/115 , G01T1/20 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14663 , G01T1/2018 , H01L27/14603 , H01L31/105 , H01L31/115
Abstract: 一种光电二极管元件(20)包括第一扩散类型的第一层以及第二层。第二层定义电荷收集区域(29)。电荷收集区域(29)包括第二扩散类型的活性区(32)以及无活性区(33)。活性区(32)围绕无活性区(33)。光电二极管元件(20)还包括第一层与第二层之间的本征半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102331586A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110160505.0
申请日：2011-06-03
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/2928 , A61B6/037
Abstract: 本公开涉及辐射检测器(12)中的电荷丢失的校正。在一个实施例中，电荷丢失的校正因数可基于电荷形成事件(48)的辐射检测器(12)内的相互作用深度(82)和横向位置确定。该校正因数可应用于随后测量的信号以校正该测量的信号中的电荷丢失的发生。
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公开(公告)号：CN101882626A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010178129.3
申请日：2010-05-04
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/08 , A61B6/03
CPC classification number: H01L27/14663 , G01T1/2018 , H01L27/14603 , H01L31/105 , H01L31/115
Abstract: 一种光电二极管元件(20)包括第一扩散类型的第一层以及第二层。第二层定义电荷收集区域(29)。电荷收集区域(29)包括第二扩散类型的活性区(32)以及无活性区(33)。活性区(32)围绕无活性区(33)。光电二极管元件(20)还包括第一层与第二层之间的本征半导体层。
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公开(公告)号：CN101110157A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137349.X
申请日：2007-07-20
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/17
Abstract: 一种数字获取电路(26)包括放大器(14)，该放大器响应于在检测器上入射的能量放大由检测器产生的电脉冲。该自适应数据获取电路还包括用于对放大器产生的放大的电脉冲计数的计数电路(28)。另外，该自适应数据获取电路还包括数字逻辑电路(30)，该数字逻辑电路(30)用于确定表示脉冲率和在放大的电脉冲中存在的能量的量的脉冲参数，还用于响应于该脉冲参数生成控制信号(34)，来控制该数据获取电路的操作参数。
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公开(公告)号：CN1991409A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610064073.2
申请日：2006-11-10
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/2018 , A61B6/032
Abstract: CT检测器(20)包括具有单个光电二极管(54)和被交替存储和读出的多个电荷存储装置(C1，C2)的像素(62)。该光电二极管(54)是正面照射二极管，其具有一对在数据采集期间交替存储所产生的电荷的电容器(C1，C2)。将多个像素(62，68)连接到单个读出放大器(A1)。从每个光电二极管(54)持续采集电荷，并且将其存储在所述电荷存储装置(C1，C2)上，但是这种读出每次只来自于单个电荷存储装置。这样，独立地读出每个电荷存储装置(C1，C2)，但是所述电荷存储装置(C1，C2)连接到公共读出通道或端口(A1)。
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公开(公告)号：CN101882626B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201010178129.3
申请日：2010-05-04
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/08 , A61B6/03
CPC classification number: H01L27/14663 , G01T1/2018 , H01L27/14603 , H01L31/105 , H01L31/115
Abstract: 一种光电二极管元件(20)包括第一扩散类型的第一层以及第二层。第二层定义电荷收集区域(29)。电荷收集区域(29)包括第二扩散类型的活性区(32)以及无活性区(33)。活性区(32)围绕无活性区(33)。光电二极管元件(20)还包括第一层与第二层之间的本征半导体层。
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