公开(公告)号：CN101879661A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010176820.8

申请日：2010-05-05

Applicant: 通用电气公司

Inventor： R·S·班克 ,  W·张 ,  W·D·谢德特 ,  M·N·阿策尔 ,  M·G·琼斯 ,  李经邦

IPC: B23K26/36 ,  B23K26/42

CPC classification number: F01D25/12 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/389 ,  F01D25/285 ,  F05D2230/13 ,  F05D2260/202 ,  F05D2260/221 ,  Y02T50/67 ,  Y02T50/672 ,  Y02T50/676

Abstract: 本发明涉及一种用于改进的薄膜冷却的系统和方法。提供了一种用于产生至少一个沟(44)以改进样品(92)中的薄膜冷却的系统(80)。系统(80)包括输出至少一个脉冲激光束(84)的至少一个激光源(82)。脉冲激光束(84)包括：包括小于约50μs的范围的脉冲持续时间；具有小于约0.1焦耳的范围的每脉冲能量；以及具有大于约1000Hz的范围的重复率。系统(80)还包括联接到激光源(82)上的控制子系统(98)，控制子系统(98)构造成以便使样品(92)的位置与脉冲持续时间和能量水平同步，以便选择性地移除样品(92)中的隔热涂层、结合层和基底金属中的至少一个，以形成至少一个沟(44)。

公开(公告)号：CN101879661B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010176820.8

申请日：2010-05-05

Applicant: 通用电气公司

Inventor： R·S·班克 ,  W·张 ,  W·D·谢德特 ,  M·N·阿策尔 ,  M·G·琼斯 ,  李经邦

IPC: B23K26/382 ,  B23K26/70

CPC classification number: F01D25/12 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/389 ,  F01D25/285 ,  F05D2230/13 ,  F05D2260/202 ,  F05D2260/221 ,  Y02T50/67 ,  Y02T50/672 ,  Y02T50/676

Abstract: 本发明涉及一种用于改进的薄膜冷却的系统和方法。提供了一种用于产生至少一个沟(44)以改进样品(92)中的薄膜冷却的系统(80)。系统(80)包括输出至少一个脉冲激光束(84)的至少一个激光源(82)。脉冲激光束(84)包括：包括小于约50μs的范围的脉冲持续时间；具有小于约0.1焦耳的范围的每脉冲能量；以及具有大于约1000Hz的范围的重复率。系统(80)还包括联接到激光源(82)上的控制子系统(98)，控制子系统(98)构造成以便使样品(92)的位置与脉冲持续时间和能量水平同步，以便选择性地移除样品(92)中的隔热涂层、结合层和基底金属中的至少一个，以形成至少一个沟(44)。