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公开(公告)号：CN104220638A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201280061213.4
申请日：2012-10-12
Applicant: 1366科技公司
IPC: C23C18/14
CPC classification number: B05B5/001 , B05B5/005 , B05B5/087 , B05B7/0012 , B05B12/16 , B05B13/02 , B05D1/04 , B05D1/06 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/6776
Abstract: 本发明涉及薄聚合物膜在衬底上的形成。描述了一种设备，该设备用于将固体聚合物抗蚀剂转化为小颗粒的气溶胶，使颗粒带静电并将其沉积在衬底上，并且使颗粒流动为连续的层。还描述了一种设备，该设备用于通过加热抗蚀剂以形成例如适合雾化的低粘度液体并且应用射流或冲击雾化以及气溶胶颗粒定径的技术来形成气溶胶，从而将固体聚合物抗蚀剂转化为小颗粒的气溶胶。还描述了使用电离气体在气溶胶颗粒上赋予电荷以及使用一系列充电装置建立将带电颗粒流导向至衬底的电场的方法。该系列充电装置和相关联的设备导致气溶胶颗粒的高收集效率。
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公开(公告)号：CN106233468A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580021644.1
申请日：2015-04-17
Applicant: 1366科技公司
Inventor： E.M.萨赫斯 , R.荣茨克 , A.L.罗伦斯 , R.L.华莱士 , G.D.S.哈德尔森
IPC: H01L31/0236
Abstract: 带有在受控位置处的更厚区和薄区的半导体晶片可以用于光电。内部可以少于180微米或更薄至50微米，带有在180-250微米处的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工强度。更厚的条带、着陆台、和岛状物用于金属化耦合。晶片可以从模板上的熔化物直接制得，所述模板带有被布置成对应于相对厚度的位置的不同热提取倾向的区。间隙氧少于6x1017 atoms/cc，优选地少于2x1017，总氧少于8.75x1017 atoms/cc，优选地少于5.25x1017。更厚的区邻近具有相对更高热提取倾向的模板区形成；更薄的区邻近带有更少提取倾向的区。更厚的模板区具有更高的提取倾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取倾向。
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公开(公告)号：CN102272935B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201080004068.7
申请日：2010-01-06
Applicant: 1366科技公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L21/6715 , Y02E10/50
Abstract: 含液体的材料被沉积到工件－如硅片表面上的凹槽内，以便形成太阳能电池。液体能够被配送入工件路径内，如在压力下通过配送管进入凹槽内。配送管机械地遵循凹槽中的轨迹。所述配送管可以较小，且能够在槽底搁置，侧壁起限制作用。或者其也可以较大，且能在凹槽的顶边上骑行。诸如突起、非圆形横截面、模制突起和凸起部的轨迹特征也能增强循迹效果。配送管可以通过弹性或磁性加载而对凹槽施力。对准引导件－如引入特征可以导引配送管进入凹槽。沿该路径的恢复特征可以恢复任意的管。可使用多根管。多个工件可排成行或在一个鼓状物上处理。
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公开(公告)号：CN107408490A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580078308.0
申请日：2015-10-14
Applicant: 1366科技公司
Inventor： R.荣茨克 , B.D.克南 , G.D.S.赫德尔森 , A.M.罗伦斯 , E.M.萨赫斯
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L31/1804 , C30B11/002 , C30B19/12 , C30B28/04 , C30B29/06 , C30B31/02 , C30B31/04 , C30B35/002 , H01L21/00 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/0288 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/182 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 半导体晶片在包含掺杂剂的模具上形成。掺杂剂对邻近模具的熔体区域进行掺杂。在那里，掺杂剂浓度高于熔体块体中的掺杂剂浓度。晶片开始凝固。掺杂剂在固体半导体中不良地扩散。在晶片开始凝固之后，掺杂剂不能进入熔体。之后，邻近晶片表面的熔体中的掺杂剂的浓度小于晶片开始形成的地方存在的掺杂剂的浓度。新的晶片区域从其掺杂剂浓度随时间的推移减少的熔体区域生长。这在晶片中建立了掺杂剂梯度，邻近模具具有较高浓度。能够修整梯度。梯度产生能够起漂移场或背表面场的作用的场。太阳能收集器能够在背表面上具有开放栅格导体和更好的光学反射器，固有的背表面场使所述更好的光学反射器变得可能。
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公开(公告)号：CN102272935A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004068.7
申请日：2010-01-06
Applicant: 1366科技公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L21/6715 , Y02E10/50
Abstract: 含液体的材料被沉积到工件－如硅片表面上的凹槽内，以便形成太阳能电池。液体能够被配送入工件路径内，如在压力下通过配送管进入凹槽内。配送管机械地遵循凹槽中的轨迹。所述配送管可以较小，且能够在槽底搁置，侧壁起限制作用。或者其也可以较大，且能在凹槽的顶边上骑行。诸如突起、非圆形横截面、模制突起和凸起部的轨迹特征也能增强循迹效果。配送管可以通过弹性或磁性加载而对凹槽施力。对准引导件－如引入特征可以导引配送管进入凹槽。沿该路径的恢复特征可以恢复任意的管。可使用多根管。多个工件可排成行或在一个鼓状物上处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107408490B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201580078308.0
申请日：2015-10-14
Applicant: 1366科技公司
Inventor： R.荣茨克 , B.D.克南 , G.D.S.赫德尔森 , A.M.罗伦斯 , E.M.萨赫斯
IPC: H01L21/00
Abstract: 半导体晶片在包含掺杂剂的模具上形成。掺杂剂对邻近模具的熔体区域进行掺杂。在那里，掺杂剂浓度高于熔体块体中的掺杂剂浓度。晶片开始凝固。掺杂剂在固体半导体中不良地扩散。在晶片开始凝固之后，掺杂剂不能进入熔体。之后，邻近晶片表面的熔体中的掺杂剂的浓度小于晶片开始形成的地方存在的掺杂剂的浓度。新的晶片区域从其掺杂剂浓度随时间的推移减少的熔体区域生长。这在晶片中建立了掺杂剂梯度，邻近模具具有较高浓度。能够修整梯度。梯度产生能够起漂移场或背表面场的作用的场。太阳能收集器能够在背表面上具有开放栅格导体和更好的光学反射器，固有的背表面场使所述更好的光学反射器变得可能。
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公开(公告)号：CN103959485A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280057845.3
申请日：2012-09-22
Applicant: 1366科技公司
Inventor： E.M.萨赫斯
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , B29C33/40 , B29C33/42 , B29C33/424 , B29C43/021 , B29C2033/426 , B29C2043/025 , B29C2059/023 , B81C99/0085 , B81C2201/0153 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 一种用于将图案压印到衬底上的可流动抗蚀剂材料的方法包含提供如此薄的抗蚀剂层，使得在印模楔压处理中，抗蚀剂决不完全填满位于楔形突部之间的衬底与印模的底面之间的空间，从而在其间的各个地方留下间隙。在抗蚀剂与印模的扩展表面之间留有间隙。如果沉积的抗蚀剂层比目标量略厚，其将在抗蚀剂与工具之间简单地导致更小间隙。连续间隙的存在确保了没有压力积累在印模下。因而，突部上的力仅由印模上面的压力确定，并很好控制，导致很好控制的孔尺寸。间隙防止抗蚀剂被整体抽出任何一个区域，并因而防止任何区域未被抗蚀剂覆盖。印模可在与衬底接触时脉动，使锯齿状突部重复变形。若干脉动比单次按压更好地清除任何浮渣层，如通过与正常持续时间的正常蚀刻所蚀刻掉的衬底材料的程度对比的蚀刻试验而测得的。一种用于将图案压印到衬底上的可流动抗蚀剂材料的方法包含提供如此薄的抗蚀剂层，使得在印模楔压处理中，抗蚀剂决不完全填满位于楔形突部之间的衬底与印模的底面之间的空间，从而在其间的各个地方留下间隙。在抗蚀剂与印模的扩展表面之间留有间隙。
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公开(公告)号：CN103958161A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280057891.3
申请日：2012-09-22
Applicant: 1366科技公司
IPC: B29C59/02
CPC classification number: B29B13/02 , B29C59/02 , B29C2059/023 , G03F7/0002
Abstract: 工件利用多孔皮带运送，该皮带将工件传送到卡盘，工件通过真空保持在卡盘上。皮带可为多孔PTFE(聚四氟乙烯)。柔性印模在其施加至工件之前被预热，通过例如用真空将印模拉向受热板。
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公开(公告)号：CN106233468B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201580021644.1
申请日：2015-04-17
Applicant: 1366科技公司
Inventor： E.M.萨赫斯 , R.荣茨克 , A.L.罗伦斯 , R.L.华莱士 , G.D.S.哈德尔森
IPC: H01L31/0236
Abstract: 在受控位置处带有更厚区和薄区的半导体晶片可以用于光电。内部可以少于180微米或更薄至50微米，带有在180‑250微米处的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工强度。更厚的条带、着陆台、和岛状物用于金属化耦合。晶片可以从模板上的熔化物直接制得，所述模板带有被布置成对应于相对厚度的位置的不同热提取倾向的区。间隙氧少于6x1017 atoms/cc，优选地少于2x1017，总氧少于8.75x1017 atoms/cc，优选地少于5.25x1017。更厚的区邻近具有相对更高热提取倾向的模板区形成；更薄的区邻近带有更小提取倾向的区。更厚的模板区具有更高的提取倾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取倾向。
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公开(公告)号：CN103958161B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201280057891.3
申请日：2012-09-22
Applicant: 1366科技公司
IPC: B29C59/02
CPC classification number: B29B13/02 , B29C59/02 , B29C2059/023 , G03F7/0002
Abstract: 工件利用多孔皮带运送，该皮带将工件传送到卡盘，工件通过真空保持在卡盘上。皮带可为多孔PTFE(聚四氟乙烯)。柔性印模在其施加至工件之前被预热，通过例如用真空将印模拉向受热板。
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