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公开(公告)号:CN103952729B
公开(公告)日:2017-09-19
申请号:CN201410058921.3
申请日:2009-03-12
Applicant: GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司
CPC classification number: C25D1/006 , B01J19/0093 , B01J23/42 , B01J23/72 , B01J35/0006 , B01J2219/00783 , B01J2219/00835 , B01J2219/00846 , B01J2219/00853 , B01J2219/0086 , B01J2219/00873 , B22F1/0025 , B22F3/002 , B81B2201/0292 , B81B2201/051 , B81C99/0085 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D1/00 , C25D1/003 , C25D1/04 , C25D1/08 , C25D5/18 , G01F1/688 , G01N25/00 , Y10S977/762 , Y10T29/49117 , Y10T428/12201 , Y10T428/12389 , Y10T428/24562 , Y10T428/24893 , Y10T428/25
Abstract: 本发明涉及一种纳米线结构元件,其适于例如安装到微反应器系统或微催化剂系统中。为了制备纳米线结构元件,使用基于模板的方法,其中在纳米孔中纳米线的电化学沉积优选至少进行如此长的时间,直至已形成凸端,其优选至少部分地长成一片。在增强两个覆盖层之后,通过溶解模板膜并去除已溶解的模板材料使两个覆盖层之间的结构化空腔露出,其中仍然保留所述两个覆盖层。由此产生稳定的三明治状纳米结构,其具有在两侧面由覆盖层划定边界的并由纳米线柱状贯穿的在平行于覆盖层的平面内二维开口的空腔结构。
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公开(公告)号:CN104067171A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201380006584.7
申请日:2013-01-24
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
Inventor: 三田村哲理
IPC: G03F7/004 , B29C33/38 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: B29C33/3842 , B29C33/38 , B29C33/42 , B29C59/002 , B29K2905/06 , B29L2031/757 , B81C99/0085 , C09K13/00 , C23F1/00 , G03F7/0002 , G03F7/04 , G03F7/0755 , H01L21/0337 , Y10T428/24612
Abstract: 微细凹凸结构体(10)具备蚀刻层(11)和设置于前述蚀刻层(11)上的由干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料构成的抗蚀剂层(12),与形成于前述抗蚀剂层(12)上的开口部(12a)对应的凹凸结构形成于蚀刻层(11)中,凹凸结构的微细图案的图案间距P为1nm以上10μm以下,微细图案的图案深度H为1nm以上10μm以下,并且,微细图案的图案截面形状为梯形或三角形或者它们混合存在。干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料以选自由Cu、Nb、Sn和Mn、它们的氧化物和氮化物以及NiBi所组成的组中的至少1种为主要构成要素。
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公开(公告)号:CN101573802B
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN200780026068.5
申请日:2007-05-09
Applicant: 北卡罗来纳-查佩尔山大学 , 流体科技公司
IPC: H01L31/0352 , H01L51/46 , H01L51/42 , B82Y20/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/18 , B29C37/0003 , B29C39/36 , B81C1/00214 , B81C99/0085 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L31/0352 , H01L51/0004 , H01L51/0036 , H01L51/0047 , H01L51/422 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 光伏器件包括受电子材料和给电子材料。受电子或给电子材料之一作为本体异质结的第一部件以第一结构体的预定阵列构造和确定尺寸,各第一结构体在三维形状上基本相同,具有基本相同的横截面尺寸,且其中第一结构体阵列的各第一结构体与该预定阵列的相邻第一结构具有基本相同的取向,从而形成基本均匀的阵列。
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公开(公告)号:CN102016127A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200980115998.7
申请日:2009-03-12
Applicant: GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司
CPC classification number: C25D1/006 , B01J19/0093 , B01J23/42 , B01J23/72 , B01J35/0006 , B01J2219/00783 , B01J2219/00835 , B01J2219/00846 , B01J2219/00853 , B01J2219/0086 , B01J2219/00873 , B22F1/0025 , B22F3/002 , B81B2201/0292 , B81B2201/051 , B81C99/0085 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D1/00 , C25D1/003 , C25D1/04 , C25D1/08 , C25D5/18 , G01F1/688 , G01N25/00 , Y10S977/762 , Y10T29/49117 , Y10T428/12201 , Y10T428/12389 , Y10T428/24562 , Y10T428/24893 , Y10T428/25
Abstract: 本发明涉及一种纳米线结构元件,其适于例如安装到微反应器系统或微催化剂系统中。为了制备纳米线结构元件,使用基于模板的方法,其中在纳米孔中进行纳米线的电化学沉积。辐照在不同的角度下进行,使得形成纳米线网络。在纳米线网络中的结构化空腔通过将模板膜溶解并去除溶解的模板膜而露出。纳米线的网状互联赋予纳米线结构元件以稳定性并且建立了在纳米线之间的电连接。
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公开(公告)号:CN101668711A
公开(公告)日:2010-03-10
申请号:CN200880013743.5
申请日:2008-02-27
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: C03B23/203 , C03B11/08
CPC classification number: C03B23/203 , B81B2201/051 , B81C99/0085 , B81C2201/019 , B81C2201/036 , C03B2215/412
Abstract: 本文描述了制造包含玻璃材料或含玻璃材料的微流体器件的方法,与使用现有技术生产的类似玻璃成形制品相比,本发明方法成本降低并且/或者维度性质提高。具体地说,提供具有图案化模塑表面的第一片刚性不粘材料片;提供第一用量的含玻璃组合物;使第一用量的含玻璃组合物接触图案化模塑表面,并且在图案化模塑表面和第二表面之间进行压制;将该片刚性不粘材料和第一用量的含玻璃组合物一起加热至足以软化该用量的含玻璃组合物的程度,从而在第一用量的含玻璃组合物中复制图案化模塑表面,形成含玻璃成形制品;密封含玻璃成形制品的至少一部分,形成其间具有至少一个流体通道的微流体器件。
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公开(公告)号:CN101573802A
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200780026068.5
申请日:2007-05-09
Applicant: 北卡罗来纳-查佩尔山大学 , 流体科技公司
IPC: H01L31/072 , H01L21/04
CPC classification number: H01L31/18 , B29C37/0003 , B29C39/36 , B81C1/00214 , B81C99/0085 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L31/0352 , H01L51/0004 , H01L51/0036 , H01L51/0047 , H01L51/422 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 光伏器件包括受电子材料和给电子材料。受电子或给电子材料之一作为本体异质结的第一部件以第一结构体的预定阵列构造和确定尺寸,各第一结构体在三维形状上基本相同,具有基本相同的横截面尺寸,且其中第一结构体阵列的各第一结构体与该预定阵列的相邻第一结构具有基本相同的取向,从而形成基本均匀的阵列。
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公开(公告)号:CN100513145C
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200480002378.X
申请日:2004-01-16
Applicant: 李承燮
IPC: B29D31/00
CPC classification number: B81C99/0085 , A61B5/14514 , A61M37/0015 , A61M2037/0053 , B81B2201/055 , B81C2201/032 , G03F7/00 , G03F7/0035
Abstract: 本发明涉及以X射线工艺制造微针阵列的方法。本发明提供了微针阵列的制造方法,包含的步骤为:通过在基片上生成具有微针阵列构造的吸收器,制备X射线掩膜;采用X射线掩膜,通过将PMMA曝光于垂直和倾斜的X射线,制备用于微针阵列的PMMA铸型;通过将PDMS浇注于PMMA铸型上,制备具有与PMMA相反构造的柔性PDMS模具;以凝胶型聚合物填充PDMS模具的上表面,得到期望厚度的聚合物;通过在聚合物上辐照紫外线,将具有期望构造的孔穴图案代;以及分离PDMS模具,完成聚合物微针阵列。本发明的微针阵列由聚合物材料制成,可用于从皮肤抽取血液或将药物注射入皮肤。
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公开(公告)号:CN101023553A
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:CN200580031871.9
申请日:2005-09-15
Applicant: 爱德万测试株式会社
CPC classification number: H01H1/0036 , B81C99/0085 , B81C2203/0109 , H01H1/20 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01H2061/006 , H01P1/127 , H01P1/15 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明提供一种可对高频信号的信号路径进行切换的微型开关,其具备:电路基板;一对第1贯穿型配线,其在电路基板上互相离开而配置着且以电气方式分别连接着电路基板的表面和里面;一对信号线,其在电路基板的表面上在一对第1贯穿型配线连结用的直线上具有间隙以及互相面对而配置着,且以电气方式分别连接着一对第1贯穿型配线;以及可动部,其在构造上可对电路基板的表面交替地相接触或相离开,且其在与表面相接触时可以电气方式而与一对信号线相连接。
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公开(公告)号:CN1937172A
公开(公告)日:2007-03-28
申请号:CN200610112308.0
申请日:2006-08-31
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01L21/00 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01F41/00 , C01B31/02 , B82B3/00
CPC classification number: H01L21/76877 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C99/0085 , B81C2201/034 , B82Y10/00 , H01F41/041 , H01L21/76885 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/53276 , H01L51/0048 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种通过在凹槽内填充碳纳米管以制备半导体器件的方法。所述的制备半导体器件方法包括:在衬底上图形化一层掩膜;在凹槽和通过图形化形成的掩膜的整个表面覆盖碳纳米管;将覆盖在整个掩膜表面的碳纳米管填进凹槽;去掩膜。
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公开(公告)号:CN1433379A
公开(公告)日:2003-07-30
申请号:CN00818842.4
申请日:2000-12-04
Applicant: 西孝
Inventor: 西孝
CPC classification number: F16H55/22 , B23P15/14 , B81B2201/035 , B81C99/0085 , Y10T29/49462 , Y10T29/49467 , Y10T29/49469 , Y10T29/4948
Abstract: 为了蜗杆(1)旋转,在基板(3)上形成间隙(形成与轴承部,蜗轮的间隙部分区域)(图4(1)~图4(3))。形成制造蜗杆的下半部区域的模具(12)(图4(8))。将蜗杆材料(5)堆积到下半部区域与蜗杆的上半部的高度(图4(9))。形成蜗杆的上半部(图4(10)~图4(12))。最后,为了齿轮可以旋转,除去位于基板(3)与齿轮(1)的间隙内的材料(13)(图4(13))。
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