公开(公告)号：CN116249795A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180067306.7

申请日：2021-10-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 河原弘治 ,  小川朝敬

IPC: C23C16/42

Abstract: 本发明的部件是用于半导体制造的成膜装置或蚀刻装置用的部件，该部件包含外径为300mm以上且厚度为3mm以上的圆板或环状的SiC膜，该部件在上述SiC膜的露出的侧面不包含与上述SiC膜的厚度方向垂直地延伸的界面。

公开(公告)号：CN117693607A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202280051650.1

申请日：2022-07-26

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 林瑠衣 ,  小川朝敬 ,  河原弘治

IPC: C23C16/42

Abstract: 一种半导体制造装置用的部件，具有CVD制的多晶SiC部分，上述部分包含相对于该部分的整体以10原子浓度ppm～10原子浓度％的范围掺杂的第1掺杂剂，上述第1掺杂剂具有选自Al(铝)、Y(钇)、Mg(镁)、Sn(锡)、Ca(钙)、Zn(锌)、Co(钴)、Fe(铁)、Ni(镍)、Ag(银)和Cr(铬)中的至少一种元素。